本發(fā)明公開了一種傳輸帶內(nèi)部缺陷高速檢測裝置，屬于工業(yè)無損檢測技術(shù)領(lǐng)域，包括：毫米波發(fā)射源，用于產(chǎn)生單頻毫米波；扇形喇叭天線，用于將單頻毫米波以扇形波束的形狀照射到傳輸帶上；毫米波相機(jī)，用于接收穿透傳輸帶的單頻毫米波，并將單頻毫米波信號轉(zhuǎn)...

本發(fā)明涉及托卡馬克等離子體診斷與數(shù)據(jù)融合技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多模態(tài)融合的托卡馬克高頻湯姆遜散射重建方法。其技術(shù)方案包括以下步驟：獲取托卡馬克裝置上的多模態(tài)診斷數(shù)據(jù)，包括高頻輔助診斷數(shù)據(jù)和低頻湯姆遜散射數(shù)據(jù)；對所述高頻輔助診斷數(shù)據(jù)進(jìn)行特...

本發(fā)明涉及聚變堆活化腐蝕產(chǎn)物安全評價(jià)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁場環(huán)境下腐蝕產(chǎn)物遷移運(yùn)動(dòng)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)及方法。其主要針對全超導(dǎo)托卡馬克核聚變裝置的水冷系統(tǒng)在強(qiáng)磁場環(huán)境中，冷卻回路中具有磁性的活化腐蝕產(chǎn)物會(huì)受磁場力作用，目前尚缺乏相關(guān)實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)及方法...

本發(fā)明涉及芯片老化診斷技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于雙偏置電壓的SiC?MOSFET老化診斷方法。其技術(shù)方案包括以下步驟：建立被測SiC?MOSFET的溫敏電參數(shù)與結(jié)溫之間的第一映射關(guān)系；建立被測SiC?MOSFET在加熱電流下的導(dǎo)通壓降與...

本發(fā)明涉及爐頭技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控等離子體爐頭及電焰灶。其技術(shù)方案包括爐頭板、集氣盒以及多個(gè)磁控等離子體噴嘴；所述爐頭板與集氣盒連接并共同圍成一個(gè)集氣腔室，所述集氣腔室設(shè)有用于通入放電介質(zhì)氣體的集氣腔室入口；每個(gè)所述磁控等離子體噴...

本發(fā)明公開了一種不銹鋼/PVC無電磁閥及移動(dòng)強(qiáng)磁閥開關(guān)，屬于真空系統(tǒng)領(lǐng)域，方案一為不銹鋼盒閥體，上蓋安裝不銹鋼進(jìn)口管，盒底平行安裝漏斗形不銹鋼閥座與微磁閥芯密封配制。使用溫度范圍高溫500℃，低溫負(fù)196℃。方案二為PVC盒閥體，上蓋安...

本發(fā)明公開了一種基于時(shí)域同步與低通濾波的大跨越縮比桿塔反演雷電流方法，涉及磁場反演雷電流測量技術(shù)領(lǐng)域，具體包括以下步驟：通過兩個(gè)雙軸TMR陣列雷電流測量設(shè)備，測量對應(yīng)數(shù)據(jù)，對實(shí)驗(yàn)測得數(shù)據(jù)進(jìn)行處理：將四組磁感應(yīng)強(qiáng)度分量處理為同一維度，編寫...

本發(fā)明公開了一種太赫茲近場成像光路系統(tǒng)，包括：準(zhǔn)直光路組，用于準(zhǔn)直經(jīng)過喇叭天線增益后發(fā)射出來的太赫茲波波源；干涉光路組件，包括第一光路組件和第二光路組件，第一光路組件用于將第一光路傳輸至樣品臺(tái)上方針尖處，并且接收樣品與針尖相互作用后散射...

本發(fā)明涉及太赫茲生物應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及基于太赫茲技術(shù)對皮膚毛細(xì)血管作用并調(diào)節(jié)疏通方法。其技術(shù)方案包括以下步驟：利用低能量太赫茲波對瘢痕位置的皮膚進(jìn)行周期性照射，使太赫茲波穿透表皮層到達(dá)真皮層，作用于毛細(xì)血管中的水分子加速運(yùn)動(dòng)，使得毛...

本發(fā)明公開了一種基于多參數(shù)雙距離度量級聯(lián)的梯度系統(tǒng)故障預(yù)警方法，屬于磁共振技術(shù)領(lǐng)域。所述方法首先建立包含正常與故障類型的梯度系統(tǒng)故障數(shù)據(jù)庫，對實(shí)時(shí)采集的多維測試數(shù)據(jù)歸一化處理后，計(jì)算其與正常數(shù)據(jù)集的馬氏距離以識(shí)別異常；隨后通過最大殘差法...

本發(fā)明提供了一種中性束注入器打火自適應(yīng)恢復(fù)控制系統(tǒng)和方法，屬于核聚變實(shí)驗(yàn)裝置控制與故障診斷技術(shù)領(lǐng)域，該系統(tǒng)包括：通道獨(dú)立配置模塊，為中性束注入器中的每一個(gè)電源通道分別配置打火恢復(fù)參數(shù)；實(shí)時(shí)監(jiān)測與診斷模塊，實(shí)時(shí)采集每一個(gè)電源通道的電壓信號...

本發(fā)明涉及聚變裝置輔助裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于負(fù)離子束源的液態(tài)銫加熱蒸發(fā)饋入裝置及方法。其技術(shù)方案包括液態(tài)金屬銫存儲(chǔ)及蒸發(fā)單元、銫蒸汽傳輸單元、加熱控溫單元和銫蒸汽饋入噴嘴。本發(fā)明針對現(xiàn)有液態(tài)金屬銫饋入技術(shù)存在的真空密封性差、控溫...

本發(fā)明涉及太赫茲檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于太赫茲波傳輸系統(tǒng)的信號測量方法。其技術(shù)方案包括以下步驟：利用太赫茲源發(fā)射太赫茲波，并使所述太赫茲波經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)光學(xué)組件傳輸后，形成穩(wěn)定的傳輸光束；通過太赫茲探測器采集所述傳輸光束的圖像，獲...

本發(fā)明公開一種聚變用鎧裝超導(dǎo)線圈繞制的導(dǎo)體截面在線檢測校正裝置及方法，涉及核聚變堆用鎧裝超導(dǎo)導(dǎo)體制造領(lǐng)域，包含角度可調(diào)式四輥輪縮徑機(jī)構(gòu)、相控陣激光測控單元。四輥輪組采用雙自由度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)15°~75°輥輪傾角連續(xù)調(diào)節(jié)，可加工方形及梯...

本發(fā)明涉及釬焊真空組件參數(shù)檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種釬焊真空組件參數(shù)檢測平臺(tái)。其參數(shù)檢測通過氣密性檢測系統(tǒng)與同軸度檢測系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)，用于一體化檢測待測組件在同一工位、同一裝夾狀態(tài)下的氣密性與同軸度；所述平臺(tái)包括檢測臺(tái)面，所述檢測臺(tái)面下方連接...

本發(fā)明涉及情緒調(diào)節(jié)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于太赫茲輻射調(diào)節(jié)情緒與社交行為的方法及系統(tǒng)。其技術(shù)方案包括以下步驟：向哺乳動(dòng)物對象的頭部靶區(qū)定向照射太赫茲波。本發(fā)明通過確立特定太赫茲頻率與情緒行為調(diào)節(jié)效果之間的明確對應(yīng)關(guān)系，解決了該領(lǐng)域長期存...

本發(fā)明公開一種Y型介質(zhì)阻擋等離子體點(diǎn)火裝置及其運(yùn)行方法。所述Y型介質(zhì)阻擋等離子體點(diǎn)火裝置包括Y型燃燒結(jié)構(gòu)，所述Y型燃燒結(jié)構(gòu)包括Y型燃燒管、介質(zhì)阻擋放電組件和高壓電源；所述Y型燃燒管包括兩個(gè)進(jìn)口支管和一個(gè)出口主管，在至少一個(gè)所述進(jìn)口支管上...

本發(fā)明提供了一種磁學(xué)測量設(shè)備的樣品腔定位與調(diào)節(jié)裝置，涉及稀釋制冷機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，包括基座環(huán)、調(diào)節(jié)環(huán)和原位監(jiān)測與反饋控制模塊；基座環(huán)的內(nèi)底部前后左右四側(cè)均安裝有與調(diào)節(jié)環(huán)相配合用的智能主動(dòng)鎖緊模塊和調(diào)節(jié)頂絲；智能主動(dòng)鎖緊模塊包括記憶合金制動(dòng)器、...

本發(fā)明提供了一種基于射線沉積過程布爾運(yùn)算的X/γ射線探測器無源效率刻度計(jì)算方法，屬于核輻射測量技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：將放射源在空間上離散為多個(gè)點(diǎn)放射源，獲取射線角度分布；解析獲取射線在屏蔽體中的穿行距離；計(jì)算得到線吸收系數(shù)；計(jì)算屏蔽體的...

本發(fā)明涉及礦物分離技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種選擇性絮凝沉降分離微細(xì)粒石英與云母的方法。其技術(shù)方案包括以下步驟：提供微細(xì)粒石英與云母的混合礦物原料，其中所述混合礦物原料的粒度小于48微米。本發(fā)明通過陰離子聚丙烯酰胺在自然pH條件下的選擇性絮凝...