本發(fā)明涉及環(huán)電壓控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種聚變中基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的環(huán)電壓控制方法。其技術(shù)方案包括以下方法步驟：選擇訓(xùn)練模型的數(shù)據(jù)：將等離子體相關(guān)參數(shù)以及下一時(shí)刻需控制的目標(biāo)環(huán)電壓作為輸入，輸出為下一時(shí)刻的LHW功率；構(gòu)建數(shù)據(jù)庫(kù)：使用托卡馬克...

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于低溫環(huán)境下測(cè)量超導(dǎo)磁體軸向磁場(chǎng)分布的測(cè)量裝置，該裝置由上到下依次包括軸向調(diào)節(jié)系統(tǒng)、緊固密封系統(tǒng)、法蘭轉(zhuǎn)換系統(tǒng)以及磁場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)；該裝置可以滿足低溫環(huán)境下超導(dǎo)磁體一定軸向空間內(nèi)各處磁場(chǎng)大小實(shí)時(shí)測(cè)量的需求。其中霍爾支撐桿由...

本發(fā)明涉及聚變等離子體控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)的聚變等離子體環(huán)電壓控制方法。其技術(shù)方案包括以下步驟：選擇訓(xùn)練模型的數(shù)據(jù)：在托卡馬克聚變等離子體背景下，將當(dāng)前時(shí)刻的等離子體參數(shù)作為輸入，輸出為下一時(shí)刻的vloop；構(gòu)建數(shù)據(jù)庫(kù)...

本發(fā)明涉及核聚變仿真技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于數(shù)字托卡馬克的分布式仿真方法。其技術(shù)方案包括以下步驟：設(shè)計(jì)分布式仿真協(xié)調(diào)機(jī)制，在分布式的仿真模型集群中，通過(guò)主節(jié)點(diǎn)約定公開(kāi)的IP和端口，從節(jié)點(diǎn)通過(guò)該公開(kāi)的IP和端口與主節(jié)點(diǎn)取得聯(lián)系并發(fā)送自身...

本發(fā)明提供了一種高熵富鎳單晶正極材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明屬于鋰離子電池正極材料技術(shù)領(lǐng)域，所述高熵單晶正極材料化學(xué)式為L(zhǎng)iNi<subgt;x</subgt;Co<subgt;y</subgt;Mn<s...

本發(fā)明公開(kāi)了一種回旋管性能調(diào)試用保護(hù)型吸收負(fù)載，涉及負(fù)載技術(shù)領(lǐng)域，該負(fù)載包括波導(dǎo)，波導(dǎo)包括相連的監(jiān)測(cè)波導(dǎo)段和抽真空波導(dǎo)段，監(jiān)測(cè)波導(dǎo)段的一端設(shè)置有弧光探測(cè)端口以及窗片溫度監(jiān)測(cè)端口，抽真空波導(dǎo)段的一端連接有毫米波吸收腔體；毫米波吸收腔體外層...

本發(fā)明涉及中子成像技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種中子照相樣品臺(tái)系統(tǒng)。其技術(shù)方案包括前后移動(dòng)滑軌一，所述前后移動(dòng)滑軌一上滑動(dòng)安裝有可控旋轉(zhuǎn)臺(tái)，所述可控旋轉(zhuǎn)臺(tái)的頂部固定安裝有樣品平臺(tái)本體，所述可控旋轉(zhuǎn)臺(tái)上安裝有中子活化探測(cè)平臺(tái)，還包括；位于樣品平臺(tái)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種集成高溫超導(dǎo)與低溫超導(dǎo)材料的磁體繞制系統(tǒng)及方法，屬于應(yīng)用超導(dǎo)電工領(lǐng)域。該磁體繞制系統(tǒng)包括依次設(shè)置于同一工作臺(tái)面上的繞線系統(tǒng)、排線系統(tǒng)、放線系統(tǒng)、張力加載系統(tǒng)以及中央控制系統(tǒng)；高溫超導(dǎo)放線盤(pán)與排線架、定滑輪、動(dòng)滑輪等在一個(gè)...

本發(fā)明提供一種適用于高溫超導(dǎo)磁體REBCO接頭的焊接裝置及方法，包括基板、墊塊、彈性件、頂桿、刻度尺、套筒；所述基板為由鋁合金制成的U型槽，U型槽的一端均勻設(shè)置多個(gè)螺紋孔；所述頂桿具有和螺紋孔相配的螺紋，頂桿的另一端連接彈性件；每個(gè)螺紋...

本發(fā)明提供了一種利用傳熱場(chǎng)耦合的功率器件精細(xì)化仿真方法，屬于功率半導(dǎo)體器件有限元仿真技術(shù)領(lǐng)域，包括：COMSOL三維模型搭建，瞬態(tài)熱阻抗(Z<subgt;th</subgt;)曲線校準(zhǔn)，芯片功耗函數(shù)擬合，總功耗函數(shù)擬合和鍵合...

本發(fā)明提出一種大電流強(qiáng)磁場(chǎng)高溫超導(dǎo)套裝磁體結(jié)構(gòu)，涉及高溫磁體技術(shù)領(lǐng)域，由多個(gè)單元線圈同軸套裝而成，每個(gè)單元線圈由兩層超導(dǎo)導(dǎo)體層繞于一套骨架而成，相鄰線圈接頭相互串聯(lián)，多個(gè)單元線圈通過(guò)承托底板上的限位槽和磁體上部的環(huán)形擋圈進(jìn)行位置固定。本...

本發(fā)明涉及一種基于強(qiáng)流射頻離子源的緊湊型中子發(fā)生器，該裝置主要分為離子源部分、引出部分、腔室部分和靶體部分及其配套的抽真空系統(tǒng)、高壓饋入系統(tǒng)、射頻系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)和供氣系統(tǒng)；首先供氣系統(tǒng)向離子源內(nèi)通入反應(yīng)氣體，然后離子源通過(guò)射頻系統(tǒng)電離氣...

本技術(shù)提供了一種用于超聲探頭的自動(dòng)化低溫疲勞裝置，裝置包括中心控制機(jī)箱、升降儀、低溫杜瓦、熱風(fēng)槍，所述機(jī)箱控制升降儀和熱風(fēng)槍的運(yùn)行，機(jī)箱右側(cè)設(shè)有方形固定支架，支架正上方設(shè)有升降儀，由電機(jī)控制滾輪轉(zhuǎn)動(dòng)，鋼絲線纏繞在圓形滾輪上，其下方掛有一...

本發(fā)明公開(kāi)了一種聚合物基質(zhì)復(fù)合硅基鋰離子電池負(fù)極材料及其制備方法，本發(fā)明屬于鋰電池負(fù)極材料的技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明以聚氧化乙烯為聚合物導(dǎo)電層，與硅基材料進(jìn)行混合后熱高溫處理得到聚合物基質(zhì)復(fù)合的硅基鋰離子電池負(fù)極材料。該材料的特點(diǎn)是在硅/石墨或...

本發(fā)明涉及一種類三明治結(jié)構(gòu)復(fù)合石墨烯水性環(huán)氧涂層制備方法，所述方法包括以下步驟：（S1）對(duì)蛭石固體進(jìn)行剝離；（S2）將苯胺聚合在石墨烯表面采用溶液聚合的方式，將苯胺加入到鹽酸溶液中，充分混合溶解后與石墨烯分散液混合，再在攪拌的條件下緩慢...

本發(fā)明涉及一種含有間隙碳原子的金屬氫氧化物，所述間隙碳原子存在于金屬氫氧化物的晶格間隙處。上述金屬氫氧化物制備方法，包括以下步驟：室溫下稱量金屬鹽和有機(jī)小分子，兩者摩爾比在200:1到1:1之間；依次加入到有機(jī)溶劑中，均勻攪拌后超聲分散...

本發(fā)明涉及故障診斷與智能制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種分布式遷移學(xué)習(xí)機(jī)泵故障診斷交互方法、系統(tǒng)與裝置。其技術(shù)方案該系統(tǒng)包括傳感陣列、分布式從站模塊、通訊網(wǎng)關(guān)、參數(shù)主站服務(wù)器；所述傳感陣列包含依據(jù)現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境及實(shí)際需求安裝相應(yīng)的多種類型傳感器，并...

本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)單晶富鎳正極材料及其制備方法和應(yīng)用，本發(fā)明屬于鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域，所述復(fù)合材料由單晶富鎳LiNi<subgt;x</subgt;Co<subgt;y</subgt;M<subgt...

本發(fā)明公開(kāi)一種基于多級(jí)分區(qū)燃燒、等離子體助燃的高功率氨燃燒器，屬于高端裝備領(lǐng)域，包括等離子體預(yù)燃級(jí)模塊、主燃級(jí)模塊、駐渦燃燒級(jí)模塊和軸向燃燒級(jí)模塊。本發(fā)明在等離子體預(yù)燃燒級(jí)利用等離子體放電產(chǎn)生的活性組分和高溫以及強(qiáng)旋流產(chǎn)生的回流區(qū)穩(wěn)定氨...

一種太赫茲近場(chǎng)系統(tǒng)生物試驗(yàn)時(shí)信號(hào)增強(qiáng)和修復(fù)方法，屬于太赫茲近場(chǎng)成像領(lǐng)域，主要解決太赫茲近場(chǎng)系統(tǒng)在進(jìn)行生物樣品成像中太赫茲信號(hào)值變小、內(nèi)部成像不清晰的問(wèn)題。首先判斷是否可修復(fù)，其次進(jìn)行振動(dòng)實(shí)現(xiàn)信號(hào)修復(fù)，最后進(jìn)行機(jī)械處理實(shí)現(xiàn)信號(hào)增強(qiáng)。有效解...