本發(fā)明涉及電子電路材料加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種載體銅箔及其制備方法和應(yīng)用，所述載體銅箔從下至上依次包括：載體層、剝離層、極薄銅層；所述載體層在(111)晶面的織構(gòu)系數(shù)[TC(111)]介于55至85之間；所述極薄銅層在(220)晶面...

本發(fā)明涉及PCB銅箔與鋰電銅箔生產(chǎn)領(lǐng)域，公開了一種基于電流預(yù)測的電解銅箔銅濃度控制方法及系統(tǒng)，該方法通過實時采集生箔機電流，依據(jù)法拉第定律計算銅離子理論消耗量，實現(xiàn)前饋補銅；同時結(jié)合在線濃度檢測進行PID反饋微調(diào)，并利用累計理論與實際補...

本發(fā)明涉及一種柔性電路板用超細(xì)晶電解銅箔的制備方法，包括如下步驟：（1）將銅單質(zhì)加入到含有硫酸的溶銅罐中，溶解成硫酸銅電解液，經(jīng)多級過濾凈化后送到生箔機；（2）將鉬酸及鹽酸導(dǎo)入到上述硫酸銅電解液中，得到生箔電解液；（3）將上述生箔電解液...

本技術(shù)涉及一種銅箔生產(chǎn)含銅廢水的資源化處理系統(tǒng)，包括依次連接的預(yù)處理單元、膜分離單元、納濾單元、濃水回用單元和旋流電解單元；所述膜分離單元包括多級滲透膜裝置，所述納濾單元包括多級納濾膜裝置；銅箔生產(chǎn)含銅廢水通過預(yù)處理單元預(yù)處理后，經(jīng)過膜...

本發(fā)明涉及一種銅箔同步粗糙化與親鋰化處理方法，包括如下步驟：將銅箔置于氧氣體積分?jǐn)?shù)為20%?100%的含氧氣氛的反應(yīng)腔室中，在150?350℃溫度范圍內(nèi)熱處理10?600秒，一步形成具有銅瘤結(jié)構(gòu)和金屬氧化物親鋰層的表面。本發(fā)明通過氧化反...

本發(fā)明涉及一種微孔銅箔刻蝕方法，包括（1）銅箔基材表面預(yù)處理、（2）蝕刻液配置、（3）電化學(xué)刻蝕、（4）后處理。本發(fā)明中主刻蝕劑提供刻蝕驅(qū)動力，孔結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)劑通過吸附調(diào)控刻蝕位點的選擇性，導(dǎo)電介質(zhì)提升刻蝕液導(dǎo)電性，氯離子協(xié)同控制孔的生長方...

本申請涉及鎳箔及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括將不可溶性陽極和陰極置于電解液中電解，在陰極上電沉積鎳箔；電解液包括鎳鹽、氯化劑、光亮劑、潤濕劑和緩沖劑；在電解液中，鎳離子的質(zhì)量濃度為50g/L~100g/L，氯離子質(zhì)量濃度為80mg/L~...

本發(fā)明涉及電子電路材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高抗拉陣列式微孔銅箔及其制備方法。本發(fā)明所述微孔銅箔包括銅箔基體及貫穿所述銅箔基體的多個微孔，所述多個微孔呈陣列分布；所述微孔的孔徑小于等于100μm，所述微孔銅箔的孔隙率小于等于25%，且所...

本申請?zhí)峁┮环N銅箔及其制備方法、集流體、負(fù)極極片和二次電池，銅箔包括銅箔基體和設(shè)于銅箔基體內(nèi)的至少一層中間層；中間層包含鎳、鈷和銅中的至少兩種，中間層包括沿銅箔基體的寬度方向間隔設(shè)置的多個子區(qū)。本申請?zhí)峁┑你~箔具備改善的抗拉強度和/或伸...

本發(fā)明提供一種箔材脆性檢測的制樣裝置及方法，屬于金屬材料檢測技術(shù)領(lǐng)域。該制樣裝置包括底座、載荷組件和壓緊組件，載荷組件通過連桿與壓緊組件連接，底座設(shè)有帶緩沖墊的定位槽及可更換的定位片。檢測方法利用載荷組件重力施加定量負(fù)荷折彎箔材，并配合...

本發(fā)明涉及銅箔技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種載體銅箔及其制備方法、應(yīng)用。所述銅箔包括銅箔層、剝離層和載體層；所述剝離層包括稀土氧化物納米顆粒和交織分布的銀納米線。將銀納米線、乙醇、異丙醇混合，隨后加入巰基丙酸、活化劑、穩(wěn)定劑，混合，得到含銀納...

本申請涉及一種微孔銅箔及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括以下步驟：將陽極和陰極置于電解液中進行電解，在陰極上沉積微孔銅箔；其中，電解液中含有銅離子、鎳離子、硫酸、絡(luò)合劑、緩沖劑和殼聚糖，在電解液中，銅離子的濃度為60g/L~90g/L，鎳離...

本發(fā)明公開了一種電解銅箔的制備方法和電解銅箔，屬于電解金屬箔的制備技術(shù)領(lǐng)域。所述電解銅箔的制備方法，包括以下步驟：（1）將溶液A、鹽酸和硫脲類添加劑混合得到電解液；（2）將電解液電化學(xué)沉積制備得到電解銅箔；所述溶液A由硫酸銅和硫酸組成；...

本申請涉及一種反轉(zhuǎn)銅箔及其制備方法、覆銅板及印刷電路板。反轉(zhuǎn)銅箔的制備方法包括以下步驟：將電解銅箔的一表面依次進行粗化處理和固化處理；將固化處理后的電解銅箔的至少一表面進行硅烷化處理，制得反轉(zhuǎn)銅箔；按質(zhì)量濃度計，粗化處理的粗化液包括：銅...

本發(fā)明涉及電子電路材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低傳輸損耗、高剝離強度的銅箔及其制備方法。本發(fā)明銅箔包括銅箔本體及依次層疊于其表面的絕緣層、中間層、鈍化層、粗化層和固化層。所述絕緣層為含鈦的氧化物層，鈦附著量為100~200mg/m2；所述...

本申請涉及銅箔及其制備方法、覆銅板和印刷電路板。上述銅箔包括基體、導(dǎo)電層和銅瘤層，基體為低輪廓銅箔基體或超低輪廓銅箔基體，具有相對設(shè)置的毛面和光面；基體的毛面和光面分別設(shè)置有導(dǎo)電層，導(dǎo)電層的電導(dǎo)率大于銅的電導(dǎo)率；基體兩側(cè)的導(dǎo)電層遠(yuǎn)離基體...

本申請涉及一種電解銅箔生產(chǎn)廢渣的回收利用方法及其設(shè)備，該方法包括以下步驟：在所述廢渣中加入溶劑，配置含銅廢液；將所述含銅廢液進行固液分離，得到第一含銅渣和低銅廢液；用所述低銅廢液對所述第一含銅渣進行第一循環(huán)洗脫，直到第一循環(huán)洗脫的洗脫液...

本發(fā)明涉及一種鎳箔及其制備方法、以及二次電池。本發(fā)明的鎳箔的厚度為5.5?6.5μm，所述鎳箔在一側(cè)分布有盲孔，在所述鎳箔的厚度方向上分布有盲孔的一側(cè)的面為盲孔面，另一側(cè)的面為光滑面，其中，所述盲孔是指未貫通鎳箔的凹坑狀結(jié)構(gòu)，所述盲孔面...

本發(fā)明涉及一種低粗糙度反轉(zhuǎn)銅箔的連續(xù)制備方法，包括如下步驟：（1）利用基層電解液制備電解銅箔基底；其中，所述電解銅箔基底具有相對設(shè)置的毛面與光面，所述光面為貼近陰極輥的一面；（2）利用合金電解液在所述光面上電沉積銅合金層；（3）對所述銅...

本發(fā)明涉及一種適用于高頻高速信號傳輸?shù)某洼喞娊忏~箔的表面處理方法，包括如下步驟：（1）提供雙面光電解銅箔作為基材；（2）對所述基材進行酸洗處理，以去除表面氧化物并活化；（3）在酸洗處理后的基材表面電沉積銅合金層；（4）對所述銅合金層...