本發明涉及電子材料技術領域，特別涉及一種單晶銅箔及印制電路用覆銅板。本發明選擇多晶銅箔進行粗糙化表面處理，然后使用單晶銅箔作為模板，誘導粗糙化處理的多晶銅箔向單晶化轉變，通過對模板誘導處理參數的調控實現多晶基體銅箔和多晶粗糙化銅瘤的同步...

本發明提供了一種電解銅箔，所述電解銅箔至少具有一低粗糙度表面，所述低粗糙度表面的銅瘤呈棒狀凸起和/或顆粒狀凸起，相鄰2個凸起的間距為10～650nm，所述棒狀凸起的銅瘤的高度為300～800nm，所述顆粒狀凸起的銅瘤的高度為80～250...

本發明涉及電解銅箔加工和應用領域，公開了一種低損耗電解銅箔及其制備方法，所述電解銅箔由內至外包括基體銅箔、粗糙化組織層、非銅金屬功能層、化學結合層，所述化學結合層通過硅烷偶聯劑處理得到。本發明通過對電解銅箔結構中負責電信號傳輸區域微觀晶...

本發明涉及電解銅箔加工、印制線路板加工、電解銅箔技術領域，特別涉及一種雙組分剝離層載體銅箔的制備方法及雙組分剝離層載體銅箔。本發明提供的制備方法包括如下步驟：制備載體銅層；通過電化學/物理氣相沉積方法在載體銅層的光面表面制備第一無機剝離...

本發明提供了一種適用于硅基負極活性材料的集流體用銅箔及其制備方法和應用，包括銅箔基體和鍍鎳層；所述銅箔基體的至少一個表面設置有納米級凹凸結構。本發明提供的集流體用銅箔能有效解決現有技術中銅箔針孔和軟折印兩大質量難題，增強銅箔與硅基負極材...

本技術公開了一種一體循環式雙面電鍍實驗裝置，包括實驗槽，所述的實驗槽的內部分隔為上端敞開的電鍍區和儲液區，所述的電鍍區和儲液區相連通，所述的電鍍區連接有至少一根進液管，所述的儲液區連接有至少一根出液管，所述的進液管與出液管之間通過泵組相...

本技術公開了一種珍珠棉裁切裝置，包括定位部件，所述的定位部件的上端安裝有可繞著定位部件的中心進行轉動的連接桿，所述的連接桿與滑軌的一端鉸接，所述的滑軌上設置有可沿著其長度方向移動的裁刀固定支架，所述的裁刀固定支架上安裝有裁刀，所述的裁刀...

本技術公開了一種活性炭和硅藻土自動配料和輸送系統，包括進料部分、下料部分、配料部分、輸料部分與控制部分，進料部分包括粉料料筒，下料部分包括高精度動態稱重傳感器，高精度動態稱重傳感器設置于粉料料筒側面，配料部分包括漿料配料罐，漿料配料罐上...

本發明提供一種AFM?IR檢測銅箔表面硅烷含量和分布的方法。方法包括：1)采用AFM?IR對涂覆硅烷偶聯劑的銅箔表面任意點采集770～1800cm?1納米紅外光譜，確定涂覆硅烷偶聯劑的銅箔表面Si?O的特征峰為1020cm?1和1100...

本發明涉及電子材料技術領域，特別涉及一種柔性復合電阻箔及其制備方法。本發明所述柔性復合電阻箔包括絕緣基材，所述絕緣基材上依次層疊設置有催化層、電阻層和導電層；所述催化層包括樹脂基體和分散其中的金屬催化劑；所述電阻層為金屬合金層，呈多孔結...

本申請涉及一種電解銅箔及其制備方法、印刷電路板、負極集流體和電池，所述電解銅箔為層層結構，包括柱狀晶層和位于所述柱狀晶層兩側的塊狀晶層，所述柱狀晶層的晶粒尺寸為60nm~250nm，所述塊狀晶層的晶粒尺寸為350nm~750nm。上述層...

本發明涉及電池技術領域，特別是涉及一種銅箔及其制備方法、集流體、極片、儲能器件。銅箔的面密度與通孔大小、排列存在聯系度Γ，聯系度Γ的公式如下：且Γ取值范圍為1±0.1；通過電解法制備所述銅箔，電解法的陰極表面通過點涂絕緣耐酸涂料形成絕緣...

本發明涉及一種改善電解銅箔翹曲的方法，通過在電解液中添加聚二硫二丙烷磺酸鈉即可。本發明制備得到的電解銅箔具有較低的翹曲，更能適用于CCL、PCB壓合的自動化生產，有效提高下游產品的生產良率。

本技術涉及電解銅箔技術領域，具體公開了一種用于電解銅箔的鋼制管芯，包括外鋼管、套設于外鋼管內部的內鋼管，外鋼管內外表面均涂覆有涂層，內鋼管內外表面均設置有氧化膜層。本技術技術方案通過管芯采用高強度的鋼材制成，具有良好的強度和剛性，能夠承...

本發明涉及一種電解液中膠原蛋白含量的檢測方法，包括如下步驟：（1）對電化學工作站中測量系統的工作電極進行電極打磨、清洗，隨后采用VMS（不含添加劑的硫酸銅電解液，以下簡稱為VMS）仿電解液進行電極活化處理；（2）配制不同濃度的膠原蛋白標...

本發明涉及一種帶平面電阻的附載體銅箔及其制備方法以及線路板，所述附載體銅箔依次堆疊有載體、剝離層、極薄銅層和電阻層；所述載體為表面涂敷有樹脂層的金屬；所述電阻層分布在極薄銅層上的部分區域。本發明的附載體銅箔不僅可提升電阻器的尺寸精度，而...

本發明涉及電解銅箔加工和應用領域，公開了一種無鉻的環保型鈍化液及電解銅箔制備方法，所述鈍化液由80?120mg/L的磷酸銀、5?20mg/L的鄰叔丁基苯酚、60?100mg/L焦磷酸鉀、10?40mg/L硫酸組成。本發明的鄰叔丁基苯酚能...

本發明涉及一種電解銅箔粗化深鍍方法，包括粗化時采用脈沖電源對生箔進行粗化，同時在粗化液中添加粗化添加劑，即可。按照本發明方法生產的電解銅箔具有較低的粗糙度和優異的抗剝離性能，更能適用于下游CCL、PCB高端產品的需求；同時，其也具有良好...

本申請涉及一種銅箔及其制備方法和應用，該銅箔包括電解銅箔層和位于電解銅箔層兩側表面的二次長銅層，二次長銅層的晶粒的最大費雷特直徑平均值為2.5μm~3μm，電解銅箔層的晶粒的最大費雷特直徑平均值為1μm~2μm。上述銅箔表面的二次長銅層...

本發明涉及一種miniLED用低輪廓HTE銅箔的制備方法，包括如下步驟：（1）在復合添加劑的作用下電解生箔制備致密銅層；（2）將上述致密銅層送入表面處理工段經酸洗、粗化、固化、水洗工序形成低輪廓粗糙化結構，其中粗化液中加入粗化添加劑；（...