本發(fā)明涉及電子材料及電子元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有雙極薄銅層的可剝離附載體銅箔及其制備方法。本發(fā)明提供的制備方法包括如下步驟：制備載體銅層；在載體銅層的光面表面制備第一無(wú)機(jī)剝離層；在第一無(wú)機(jī)剝離層表面制備第一極薄銅層；在第一極...

本發(fā)明涉及一種低信號(hào)傳輸損耗電解銅箔的制備方法，包括如下步驟：（1）將銅單質(zhì)加入到含有硫酸的溶銅罐中，溶解成硫酸銅電解液，經(jīng)多級(jí)過(guò)濾凈化后先進(jìn)行預(yù)熱；（2）將十二烷基胺聚氧乙烯醚及鹽酸導(dǎo)入到上述硫酸銅電解液中，得到生箔電解液；（3）將上...

本發(fā)明提供了一種電解銅箔，所述電解銅箔至少具有一低粗糙度表面，其特征在于，所述低粗糙度表面的銅瘤凸起呈棒狀凸起、針狀凸起和顆粒狀凸起中的一種或多種，所述低粗糙度表面的算術(shù)平均高度Sa為0.1～1μm，每平方微米銅瘤凸起的個(gè)數(shù)N為1～8個(gè)...

本發(fā)明涉及一種調(diào)控電解銅箔特殊形貌的方法，包括如下步驟：（1）將銅單質(zhì)加入到含有硫酸的溶銅罐中，溶解成硫酸銅電解液，經(jīng)多級(jí)過(guò)濾凈化后先進(jìn)行預(yù)熱；（2）將芐基化聚乙烯亞胺和苯乙基酮及鹽酸導(dǎo)入到上述硫酸銅電解液中，得到生箔電解液；（3）將上...

本技術(shù)公開了一種銅箔生箔機(jī)換卷牽引的裝置，包括陰極輥，陰極輥的一側(cè)安裝有剝離輥；收卷軸，與剝離輥平行設(shè)置；牽引過(guò)渡輥，平行設(shè)置在剝離輥與收卷軸之間的位置，牽引過(guò)渡輥的軸向兩端設(shè)置有固定板，固定板的外側(cè)安裝有升降氣缸，升降氣缸的伸出桿向上...

本發(fā)明提供了一種微孔銅箔及其制備方法和應(yīng)用，包括以下步驟：(1)將銅箔表面預(yù)處理；(2)在經(jīng)過(guò)步驟(1)預(yù)處理的銅箔表面施鍍催化層；(3)將步驟(2)得到的銅箔置于化學(xué)鍍液中，沉積鎳合金層；(4)對(duì)鎳合金層進(jìn)行化學(xué)氧化，再進(jìn)行堿性蝕刻；...

本發(fā)明涉及電解銅箔技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電解銅箔及其制備方法、覆銅板、印刷線路板。所述電解銅箔包括生箔和分布在生箔沿厚度方向的兩側(cè)表面的至少一面的銅瘤，所述銅瘤包括多個(gè)第一銅瘤和多個(gè)第二銅瘤，所述第一銅瘤為直徑為20?200nm的球形...

本發(fā)明涉及一種基于分質(zhì)預(yù)處理與強(qiáng)化膜抗污的銅箔廢水高效回用系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)單元、預(yù)處理單元以及RO膜滲透單元；所述實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)單元將銅箔廢水分為A類廢水、B類廢水和C類廢水；所述A類廢水、B類廢水和C類廢水進(jìn)入預(yù)處理單元分別進(jìn)行處...

本申請(qǐng)涉及一種電子背散射衍射樣品的制備方法和金屬樣品的電子背散射衍射測(cè)試方法，該樣品的制備方法包括如下步驟：將金屬箔進(jìn)行熱處理；將經(jīng)所述熱處理后的金屬箔切割成預(yù)設(shè)尺寸制成具有切割截面的金屬樣品，其中，切割速度為10mm/s~20mm/s...

本申請(qǐng)涉及一種復(fù)合銅箔及其制備方法與應(yīng)用。復(fù)合銅箔，包括依次層疊設(shè)置的基底層、功能層、剝離前驅(qū)體層和極薄銅層，功能層包括電阻層和導(dǎo)電層中的至少一種，剝離前驅(qū)體層包括前驅(qū)體和穩(wěn)定劑，前驅(qū)體包括金屬鹽和氧化石墨烯中的至少一種，金屬鹽中的金屬...

本申請(qǐng)涉及一種載體銅箔及其制備方法和應(yīng)用，該載體銅箔包括載體箔和超薄銅層，超薄銅層的抗拉強(qiáng)度為450MPa~800MPa；超薄銅層的截面晶粒平均尺寸為0.1μm~3.0μm，超薄銅層的平面晶粒平均尺寸為0.1μm~2.5μm。載體銅箔提...

本發(fā)明屬于電子電路材料加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于電沉積銅箔的復(fù)合帶材及其制備方法、雙面粗糙化銅箔及其制備方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)對(duì)金屬帶材的表面進(jìn)行電化學(xué)拋光處理使其具有可控的粗糙度，再在具有該可控粗糙度的表面設(shè)計(jì)合金層使電...

本發(fā)明屬于電子電路材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種免棕化處理的嵌入式埋阻銅箔與印制電路板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)在原本光滑的表面進(jìn)行粗糙化處理的方式，提升與半固化片之間的結(jié)合力，替代下游PCB在層壓半固化片前的棕化工序。避免了棕化藥水對(duì)暴...

本發(fā)明提供了一種帶載體銅箔的制備方法，包括在載體銅層表面氧化生成氧化膜層。該方法通過(guò)氧化法在載體銅層表面生成一層致密的氧化膜層，以此作為超薄銅層與載體銅層的分離界面，避免引入其它雜質(zhì)金屬或有機(jī)物，進(jìn)而避免后續(xù)加工過(guò)程中雜質(zhì)金屬或有機(jī)物發(fā)...

本申請(qǐng)涉及銅箔表面處理技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種銅箔及其制備方法和應(yīng)用。所述銅箔包括電解銅生箔以及在所述電解銅生箔的毛面依次層疊設(shè)置的粗糙化處理層、兒茶酚基聚合物層和硅烷偶聯(lián)劑層。該銅箔通過(guò)在粗糙化處理層和硅烷偶聯(lián)劑層之間引入兒茶酚基聚合...

本技術(shù)涉及一種超聲噴涂銥系鈦陽(yáng)極設(shè)備，該設(shè)備包括傳送系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、超聲噴涂系統(tǒng)、同步控制系統(tǒng)以及等離子處理系統(tǒng)。本技術(shù)制備的銥系鈦陽(yáng)極具有涂層均勻性好、IrO2氧化充分、表面活性面積大的特點(diǎn)；使用此涂層的陽(yáng)極部件在電沉積過(guò)程中有更小的...

本技術(shù)公開了一種生箔機(jī)自動(dòng)擠輥裝置，包括滑軌，并排設(shè)置在陰極輥的徑向一側(cè)，所述的滑軌的上端設(shè)置有滑動(dòng)底座，所述的滑軌的上側(cè)安裝有推動(dòng)滑動(dòng)底座沿著滑軌進(jìn)行移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)單元，所述的滑動(dòng)底座之間由上至下依次橫向安裝有擠水輥、噴水管、擠酸輥和噴酸...

本發(fā)明涉及金屬表面防氧化處理技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種環(huán)保型無(wú)鉻鈍化劑及其制備方法。本發(fā)明提供的環(huán)保型無(wú)鉻鈍化劑，包括按重量百分比計(jì)的如下組分：植酸鈉5.0％～10.0％；單寧酸1.0％～5.0％；硫酸鋅2.0％～5.0％；葡萄糖1.0％～...

本發(fā)明涉及電解銅箔技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及電解銅箔用添加劑、電解液、低翹曲超高強(qiáng)銅箔及其制備方法、集流體、極片。所述添加劑由光亮劑、走位劑、整平劑、螯合劑按質(zhì)量濃度比20?60:10?40:3?15:30?120組成。所述銅箔在85℃烘箱中...

本發(fā)明涉及電解銅箔技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種具有雙面盲孔結(jié)構(gòu)的電解銅箔及其制備方法、負(fù)極集流體、負(fù)極、二次電池。具有雙面盲孔結(jié)構(gòu)的電解銅箔，電解銅箔的M面和G面分別設(shè)有盲孔結(jié)構(gòu)，各所述盲孔結(jié)構(gòu)的尺寸分別為0.1μm?10μm，所述銅箔G面...