本發(fā)明涉及一種可用于GMI傳感器的多層復(fù)合型銅箔及制備方法，以銅箔作為中間芯層，上下表面依次設(shè)置阻擋層和軟磁層形成平面疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過在銅箔與軟磁層之間設(shè)置阻擋層，阻擋銅箔與軟磁層直接接觸，當(dāng)此材料用于GMI傳感器探頭在高頻電流激勵(lì)...

本發(fā)明提供一種柔性覆銅板用銅箔及其制備方法、柔性覆銅板，本發(fā)明的柔性覆銅板用銅箔在掃描電鏡8000倍率下，對(duì)于銅箔任意的選定的視野范圍為邊長為26μm的正方形區(qū)域進(jìn)行觀測(cè)，觀測(cè)到氣孔直徑0.3~0.7μm的氣孔數(shù)為3~15個(gè)，所述銅箔的...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N銅箔及其制備方法、覆銅板和印制電路板，銅箔包括：基體銅箔，以及設(shè)置于基體銅箔表面上的絕緣粗化層；絕緣粗化層的體積電阻率為大于或等于10^10Ω·m，絕緣粗化層的表面粗糙度為大于或等于0.5μm。本申請(qǐng)?zhí)峁┑你~箔能夠有效兼顧...

本發(fā)明提供一種銅?鎳復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：S1）制備電解銅箔；S2）將電解銅箔在電鍍液中進(jìn)行直流電鍍，得到銅?鎳復(fù)合材料；所述電鍍液包括聚乙二醇、糖精鈉和2?（羧甲基）苯并咪唑。本申請(qǐng)還提供了銅?鎳復(fù)合材料的鍍層電鍍液。本申...

本發(fā)明提供一種銅箔及其制備方法，以及包含該銅箔的集流體、極片、鋰二次電池、儲(chǔ)能裝置。本發(fā)明的銅箔的抗拉強(qiáng)度、厚度及晶粒的參數(shù)之間滿足如下關(guān)系：其中，UHT為抗拉強(qiáng)度，單位MPa；δ為銅箔截面5.5μm×26μm矩形面積內(nèi)孿晶晶粒的個(gè)數(shù)；...

本發(fā)明涉及一種可用于生產(chǎn)FPC用的電解銅箔的添加劑及使用方法，所述添加劑由低分子量膠原蛋白和羥乙基纖維素組成。本發(fā)明的添加劑可以用于生產(chǎn)9?50μm不同規(guī)格的FPC用銅箔，所得銅箔具有較高的高溫延伸率及較低的表面粗糙度，且在實(shí)際生產(chǎn)中容...

本發(fā)明提供一種低熱衰減率超厚低輪廓電解銅箔及其表面處理方法和應(yīng)用，在FR?4系列半固化片上，電解銅箔的抗剝離≥7?lb/inch；電解銅箔的熱衰減率≤10%；毛面粗糙度Rz≤17μm，界面擴(kuò)展面積比Sdr為40~60%，波峰頂點(diǎn)密度Sp...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N銅箔及其制備方法、覆銅板和印制電路板，銅箔包括銅箔本體和設(shè)于銅箔本體至少一側(cè)上的多個(gè)島狀金屬基層，以及設(shè)于島狀金屬基層表面上的粗化層；其中，至少有相鄰的兩個(gè)島狀金屬基層之間含有間隙。本申請(qǐng)?zhí)峁┑你~箔可以抑制趨膚效應(yīng)，改善信...

本發(fā)明涉及電解銅箔技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及電解銅箔用添加劑、電解液、超高抗拉強(qiáng)度電解銅箔及其制備方法。采用電解銅箔用電解液梯度電流沉積，原位退火，得到所述銅箔。電解液包括如下質(zhì)量濃度的原料：聚丙烯酰胺?稀土絡(luò)合物15?20ppm、含硒化合物...

本申請(qǐng)?zhí)峁┗跀?shù)字孿生與行為預(yù)測(cè)的人機(jī)交互安全動(dòng)態(tài)預(yù)警方法，包括：S1.通過感知層采集作業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)包括人員位置、設(shè)備狀態(tài)和環(huán)境信息；S2.基于采集數(shù)據(jù)構(gòu)建數(shù)字孿生模型，所述模型實(shí)時(shí)映射作業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的動(dòng)態(tài)狀態(tài)；S3.通過預(yù)測(cè)算...

本發(fā)明涉及電解銅箔技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電解銅箔及其制備方法、二次電池。所述電解銅箔包括m層粗晶粒層和n層細(xì)晶粒層，其中，m≥1，n≥1，所述粗晶粒層和細(xì)晶粒層相鄰排布，所述銅箔中粗晶粒層總厚度與細(xì)晶粒層總厚度比值γ為0.05?30....

本申請(qǐng)涉及一種多孔銅箔及其制備方法和應(yīng)用，該方法包括如下步驟：在陰極輥上設(shè)置多個(gè)陰極絕緣區(qū)，其中，所述多個(gè)陰極絕緣區(qū)的總面積占所述陰極輥上目標(biāo)區(qū)域面積的5%~50%；在陽極上設(shè)置多個(gè)陽極絕緣區(qū)，其中，所述多個(gè)陽極絕緣區(qū)的總面積與所述多個(gè)...

本發(fā)明涉及一種消除銅箔制程中表面產(chǎn)生黑點(diǎn)的方法，包括如下方式中的一種或幾種：A.?在鈦輥側(cè)面設(shè)置刮水裝置和吹風(fēng)裝置；B.?在鈦輥前后設(shè)置抽風(fēng)管道；C.?陰極輥PP槽中的四氟墊片加厚；D.?陰極輥PP槽中的唇形密封加高；E.?陰極輥PP槽...

本發(fā)明涉及鋰電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于鋰金屬負(fù)極的復(fù)合銅箔集流體及其制備方法。本發(fā)明提供的用于鋰金屬負(fù)極的復(fù)合銅箔集流體包括銅箔基底，所述銅箔基底至少一個(gè)表面設(shè)置有三維陣列結(jié)構(gòu)層，所述三維陣列結(jié)構(gòu)層由彼此分離的銅顆粒以陣列形式構(gòu)成，...

本發(fā)明提供一種埋阻銅箔及應(yīng)用，埋阻銅箔包括銅箔本體和電阻層，所述電阻層包括多層子結(jié)構(gòu)，每層子結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離銅箔本體的一面稱為界面，距離銅箔本體最遠(yuǎn)的界面為電阻層的最外表面，所述電阻層包括至少2個(gè)界面，從電阻層最外表面起算的厚度方向來看，所述子...

本發(fā)明提供了一種載體銅箔及其制備方法和應(yīng)用，包括依次設(shè)置的載體銅層、剝離層和極薄銅層；所述剝離層由多根銀納米線構(gòu)成。本發(fā)明通過在載體銅層和極薄銅層之間設(shè)置多根銀納米線，它們錯(cuò)亂堆疊構(gòu)成剝離層，能夠?qū)崿F(xiàn)極薄銅層穩(wěn)定分離。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：常溫...

本發(fā)明屬于電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高峰密度基體超薄的復(fù)合鍍層銅箔及其制備方法與應(yīng)用。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的高峰密度基體超薄的復(fù)合鍍層銅箔具有以下優(yōu)點(diǎn)：顯著提高了銅箔與活性物質(zhì)之間的結(jié)合力，有效增強(qiáng)了電極的穩(wěn)定性和耐久性；采用超薄...

本發(fā)明涉及一種提高電解銅箔抗剝離性能的方法，電解銅箔生產(chǎn)過程中采用硅烷SCA?5或硅烷SCA?403作為硅烷偶聯(lián)劑，在酸性條件下制備成溶液，涂覆到粗化箔上，即可。本發(fā)明利用電解銅箔在表面處理之后形成的羥基與硅烷進(jìn)行反應(yīng)形成牢固的化學(xué)鍵，...

本發(fā)明涉及一種薄膜電阻改性方法，包括如下步驟：在銅箔毛面真空濺射薄膜電阻，隨后對(duì)薄膜電阻進(jìn)行等離子體滲氮或滲碳處理，得到埋阻銅箔。經(jīng)過本發(fā)明改性的薄膜電阻具有低TCR，隨溫度變化電阻波動(dòng)小；可以通過滲碳或滲氮的含量來控制薄膜電阻的電阻率...

本申請(qǐng)涉及一種蝕刻液及其制備方法和應(yīng)用，以質(zhì)量百分比計(jì)，包括如下制備原料：10％～50％的鎳鹽，2％～25％的鹽酸，0.1％～1％的表面活性劑，0.5％～2％的絡(luò)合劑和22％～87.4％水；所述鹽酸的質(zhì)量濃度為36％～38％。上述蝕刻液...