一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含化合物（A）和溶劑（B），所述化合物（A）含有結(jié)合有酚性羥基的芳香族烴環(huán)，所述組合物的固化膜中的酚性羥基的氧的原子百分率為2.00％以上。

本發(fā)明提供下述式(7)表示的2’?O?修飾腺苷亞磷酰胺及其中間體的新型制備方法。式中，R2為可具有取代基的C1?6烷基、可具有取代基的C7?16芳烷基、可具有取代基的C2?6烯基、可具有取代基的C2?6炔基或可具有取代基的C6?14芳基...

本發(fā)明的課題在于提供不發(fā)生與抗蝕劑層的混合、具有高干式蝕刻耐性、具有高耐熱性、高溫下的質(zhì)量減少少、顯示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蝕劑下層膜及用于形成該抗蝕劑下層膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物。解決手段為一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，...

一種粘接劑組合物，其通過氫化硅烷化反應而固化，由所述粘接劑組合物形成的粘接劑層的伸長率為70％以上。

本發(fā)明涉及一種光照射剝離用粘接劑組合物、層疊體、層疊體的制造方法以及剝離方法，所述光照射剝離用粘接劑組合物的特征在于，能通過照射光而剝離，所述光照射剝離用粘接劑組合物包含粘接劑成分(S)和光吸收性有機化合物(X)，所述光吸收性有機化合物...

本發(fā)明提供一種無溶劑系有機無機雜化樹脂組合物，該無溶劑系有機無機雜化樹脂組合物可提供具有高彈性模量的構(gòu)件。所述無溶劑系有機無機雜化樹脂組合物包含下述成分(A)～(C)，且在230℃以下燒成后，可得到具有自支撐性的樹脂薄膜。(A)二氧化硅...

含有［A］成分：聚硅氧烷和［B］成分：溶劑的用于形成i射線光刻用含硅抗蝕劑下層膜的組合物。

本發(fā)明的課題是提供用于形成膜密度、硬度、楊氏模量、扭曲耐性(圖案的彎曲耐性)高，由此具有高的蝕刻耐性的抗蝕劑下層膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物。解決手段是一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含具有下述式(1)所示的重復單元結(jié)構(gòu)的酚醛清漆樹脂...

一種含硅抗蝕劑下層膜形成用組合物，其含有[A]成分：聚硅氧烷，以及[C]成分：溶劑，所述聚硅氧烷包含來自水解性硅烷(A)的結(jié)構(gòu)單元，所述水解性硅烷(A)具備具有與芳香族環(huán)直接鍵合的碘原子的芳基磺酰基和具有與芳香族環(huán)直接鍵合的碘原子的芳基...

提供一種包括半導體基板的清洗工序的半導體基板的制造方法和包括這樣的半導體制造方法的經(jīng)加工的半導體基板的制造方法以及用于這樣的清洗工序的組合物，所述半導體基板的清洗工序能以簡便的操作、更短時間且更干凈地將粘接層從在表面具有該粘接層的半導體...

本發(fā)明涉及液晶取向劑、液晶取向膜、液晶顯示元件及其制造方法，提供不會產(chǎn)生顯示不均等缺陷、透射率高的液晶顯示元件。進而，提供用于該液晶顯示元件的液晶取向膜、以及用于制作該液晶取向膜的液晶取向劑。一種液晶取向劑，其含有下述(A)成分和(B)...

本發(fā)明涉及液晶取向劑、液晶取向膜、液晶顯示元件及其制造方法。提供不產(chǎn)生與液晶的取向不均相伴的顯示不均的液晶顯示元件。還提供用于該液晶顯示元件的液晶取向膜以及用于制作該液晶取向膜的液晶取向劑。一種液晶取向劑，其含有A成分和B成分。A成分：...

提供除了耐蝕刻性、耐熱性以外，還使固化性、產(chǎn)生的升華物的量、膜厚的面內(nèi)均勻性、平坦化性、埋入性等各種其它各特性也令人滿意的抗蝕劑下層膜形成用組合物。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物、使用了該組合物的抗蝕劑圖案的形成方法和半導體裝置的制造方法...

本發(fā)明提供一種保護膜形成用組合物，其包含具有酚羥基及羧基中的至少一種的聚合物(A)、含乙烯基醚基的交聯(lián)劑(B)、光產(chǎn)酸劑(C)及溶劑(D)。

一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含酚醛清漆樹脂(A)和溶劑(B)，上述酚醛清漆樹脂(A)具有酚性羥基和與芳香族烴環(huán)直接鍵合的鹵原子。

本發(fā)明的催化劑組合物包含烴系離聚物、催化劑和催化劑載體，所述烴系離聚物包含具有下述通式（I）所示結(jié)構(gòu)的高分子化合物，所述烴系離聚物相對于所述催化劑載體的碳的質(zhì)量比為0.10～1.20。（上述通式（I）中，n為1～2，o為1～3，p為0～...

提供適于在半導體基板上的導電配線圖案間通過加熱而形成空腔的空腔形成用組合物等。一種空腔形成用組合物，是用于在半導體基板上的導電配線圖案間形成空腔的空腔形成用組合物，其含有聚合物和溶劑，上述聚合物包含脂環(huán)式烴的結(jié)構(gòu)部位且不包含芳香族烴的結(jié)...

一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含具有下述式（1）所示的重復單元的聚合物（A）和溶劑（B）。（式（1）中，X1表示具有環(huán)結(jié)構(gòu)和直接鍵合于所述環(huán)結(jié)構(gòu)的碘原子的2價基團。X2表示2價基團。A1、A2、A3、A4、A5和A6各自獨立地表示氫...

為了通過更簡便的方法提供能夠在輸送將半導體基板進行切割而獲得的各個半導體芯片時保護半導體芯片避免伴隨輸送的損傷的帶有保護膜的半導體芯片，提供可以容易地形成被配置在半導體芯片的半導體芯片制造用保護膜的半導體芯片制造用保護膜形成用組合物。一...

本發(fā)明以提供進一步改善了抗蝕劑下層膜的固化性、耐蝕刻性、平坦化性、埋入性等特性的抗蝕劑下層膜形成用組合物、抗蝕劑下層膜、抗蝕劑圖案的形成方法和半導體裝置的制造方法作為目的。解決手段是一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含聚合物和溶劑，上述...