本申請提供一種等離子體處理設備，涉及半導體設備技術領域，用于解決介電窗向設備本體漏熱的技術問題，該等離子體處理設備包括設備本體，具有反應腔，設備本體的頂部具有與反應腔連通的開口；介電窗支撐件控溫裝置，被配置為向介電窗提供高溫氣流，以使介...

本申請提供一種換針裝置及顯微鏡。顯微鏡包括換針裝置、壓電掃描器以及探針；換針裝置包括外殼、磁流體、磁性件以及氣路系統；磁流體安裝于外殼，磁流體與外殼圍出容置空間；磁性件活動設置在容置空間內，磁性件將容置空間分隔為第一空間和第二空間，相對...

一種光學器件和半導體設備，涉及光學儀器技術領域，本申請提供的光學器件包括套筒、波片、導向圈和壓圈，套筒設置有支撐部，壓圈、導向圈、波片和支撐部沿軸向依次設置，導向圈上設有第一限位結構，套筒內設有第二限位結構，第一限位結構和第二限位結構配...

本公開實施例提供一種探針檢測方法、結構、裝置及電子設備，該方法包括：在待檢測對象的檢測過程中，響應于探針的掃描距離滿足預設條件，根據第一預設指令控制探針移動至預設樣本所在位置；預設樣本用于構建探針的針尖形貌；根據第二預設指令控制探針掃描...

本申請提供一種可升降磁懸浮裝置及熱處理設備，磁懸浮裝置包括腔室、磁懸浮定子、磁懸浮轉子、升降裝置和多個傳感器，腔室用于容納磁懸浮轉子，磁懸浮定子環繞于腔室外周。其中，至少一個傳感器與磁懸浮定子相對固定，至少一個傳感器用于檢測磁懸浮轉子的...

本申請提供一種具有磁性組件的半導體設備，屬于半導體工藝技術領域，該半導體設備包括腔室、準直器以及磁性組件。準直器位于腔室中，磁性組件呈環狀位于腔室的外周側。磁性組件包括第一電磁線圈、第二電磁線圈以及第三電磁線圈，第一電磁線圈位于腔室的外...

一種鏡筒和半導體設備，涉及光學元件技術領域，鏡筒包括鏡組、套筒和殼體，鏡組容置于套筒內，套筒上設置有第一進氣孔和第一出氣孔，鏡組分隔通道為至少一個子通道，第一進氣孔和第一出氣孔位于鏡組的相對兩側，第一進氣孔、子通道和第一出氣孔依次連通；...

本申請實施例公開了一種晶圓圖像掃描方法、裝置、終端設備和可讀存儲介質，上述方法包括：獲取前饋參數；獲取反饋參數；基于前饋參數和反饋參數獲得晶圓掃描的控制參數；基于控制參數控制晶圓圖像掃描設備對晶圓進行掃描以獲取第一晶圓圖像，第一晶圓圖像...

本公開實施例提供一種晶圓檢測方法及晶圓檢測系統，該方法包括：根據接收到的檢測指令，控制運動臺上的水平橫移臺以及轉臺進行加速運動，其中，在加速運動過程中，任一時刻水平橫移臺的移動速度和轉臺的轉速的矢量和等于第一恒線速度，其中，所述運動臺上...

一種工藝組件和半導體設備，涉及半導體相關技術領域，工藝組件包括加熱件、固定件和反射件，加熱件用于加熱晶圓；固定件具有固定面，固定面用于固定晶圓；反射件位于固定件背離加熱件的一側，反射件具有反射面，反射面為反射件朝向固定面一側的外側面，反...

本申請提供一種具有加熱結構的半導體設備，涉及半導體制造工藝技術領域，包括粒子準直器、第一加熱結構和第一適配器，其中粒子準直器內部設有可供粒子束穿過的準直孔。第一加熱結構位于粒子準直器的外周側，第一加熱結構用于對粒子準直器進行加熱釋氣。第...

本申請涉及工藝處理設備技術領域，尤其涉及到一種進氣分流器、進氣結構、半導體工藝腔室及半導體設備。該進氣分流器包括分流器本體，該分流器本體具有進氣端和出氣端；分流器本體設置有進氣通道，進氣通道具有進氣口和至少兩個出氣口。其中，進氣口位于分...

一種靜電卡盤和半導體設備，涉及半導體技術領域，靜電卡盤包括主盤體、連接桿、基座和限位組件，連接桿一端與主盤體連接，連接桿的另一端具有第一凹陷部，第一凹陷部內設置有第一限位座；基座與連接桿的另一端連接，基座具有第二凹陷部，第二凹陷部內設置...

本申請提供一種蓋板及熱處理裝置，屬于熱處理技術領域，蓋板包括基底和依次層疊在基底一面上的低輻射層、傳熱層和吸收層。吸收層能夠吸收紅外光并轉化為熱能，傳熱層將熱能傳遞至基底，使基底溫度升高，低輻射層能夠減小基底溫度升高而因熱輻射損失的能力...

本申請提供一種對準裝置及對準方法，涉及加工設備技術領域。對準裝置可包括工作臺、第一圖像采集器和信息處理模塊；工作臺具有用于承載工件的承載面，工件上具有標記圖案，第一圖像采集器的中心線與承載面垂直，第一圖像采集器用于采集設置在工件上標記圖...

一種具有升降結構的工藝處理設備，涉及半導體工藝處理技術領域，該工藝處理設備包括框架結構、升降結構以及工藝腔室。升降結構包括驅動組件和移動框架，驅動組件安裝于框架結構。驅動組件傳動連接移動框架以驅動移動框架沿設定方向往復移動，設定方向平行...

一種調節組件和半導體設備，涉及半導體技術領域，調節組件包括第一固定板、第二固定板、調節板、第一調節件和第二調節件，第一固定板用于連接支撐架，第二固定板用于連接晶圓托盤，調節板分別與第一固定板和第二固定板連接，調節板和第一固定板繞第一軸向...

本申請實施例公開了一種上電極、等離子體刻蝕設備及溫度控制方法，其中，上電極包括：噴淋頭結構、冷卻結構、至少一個第一加熱結構以及至少一個第二加熱結構，通過設置第一加熱結構和第二加熱結構，第一加熱結構和第二加熱結構能夠分別為噴淋頭結構加熱，...

本申請實施例提供一種單色儀及光學設備，該單色儀包括光輸入組件、第一光輸出組件、第一濾光組件以及第二濾光組件；光輸入組件和第一光輸出組件間隔設置；第一濾光組件和第二濾光組件間隔設置在光輸入組件與第一光輸出組件之間；第一濾光組件包括第一濾光...

本申請提供了一種物理氣相沉積設備。該物理氣相沉積設備包括：殼體；蓋體，能夠蓋合在殼體上以與殼體圍成工作腔體；翻蓋機構，與所述蓋體相連接，所述翻蓋機構用于驅動所述蓋體相對所述殼體轉動；第一定位結構，包括第一定位部及第二定位部，所述第一定位...