本申請提供了一種搬運機構、工藝腔室和工藝設備，搬運機構包括第一轉軸、第二轉軸、第一旋轉件、第二旋轉件、第一連桿、第二連桿、第三連桿和托盤；第一轉軸與第二轉軸的軸線重合，兩個轉軸可獨立轉動；第一旋轉件套設并固定于第一轉軸，第二旋轉件套設并...

本申請涉及熱處理技術領域，尤其涉及到一種加熱裝置及半導體工藝處理設備。加熱裝置包括反射組件和至少一組周向熱輻射組件，其中，每組周向熱輻射組件包括至少三個均勻分布的熱輻射單元；反射組件位于所述至少一組周向熱輻射組件發射并匯聚的光線的路徑上...

本申請提供了一種承載組件、腔室及工藝設備，承載組件包括載臺、基座、升降銷和配重件。載臺與基座層疊間隔布置。升降銷與載臺滑動連接，升降銷具有第一配合部，配重件具有第二配合部。升降銷與配重件具有組裝狀態，在組裝狀態下，配重件套設在升降銷的外...

一種X射線衍射裝置和控制方法，涉及成像裝置技術領域，X射線衍射裝置包括X射線源、試樣臺、X射線探測器和一維彎晶，X射線源用于產生第一X射線，試樣臺用于放置待測材料，X射線探測器用于探測待測材料產生的待測衍射X射線，一維彎晶具有衍射面，衍...

本申請提供了一種等離子體的溫度檢測方法、裝置和系統，該方法包括：獲取激光維持等離子體發射的光譜中的至少兩個波長位置的光譜強度，并基于上述至少兩個波長位置的光譜強度獲得目標光譜強度比；獲取上述激光維持等離子體的光譜強度比與溫度的關系模型，...

本申請實施例公開了一種晶圓缺陷定位方法、裝置、終端設備和存儲介質，上述方法包括：獲取在半導體晶圓檢測系統中對晶圓執行晶圓對準得到的多個目標特征點的目標位置；獲取晶圓隨著半導體晶圓檢測系統中的運動臺運動得到的晶圓圖像，并對晶圓圖像進行缺陷...

本申請提供一種管路通斷結構及半導體制造設備，屬于半導體制造技術領域，管路通斷結構包括具有第一通路的第一閥塊和第二通路的第二閥塊，第一通路和第二通路分別與制造設備的傳輸管路連通，第一閥塊和第二閥塊分別設置在制造設備的蓋體和腔體上。第一閥塊...

本申請提供一種長焦鏡頭及半導體缺陷檢測裝置，屬于半導體技術領域。該長焦鏡頭包括沿物側到像側光路上設置的固定鏡組、變焦鏡組、至少兩個切換鏡組和至少兩個折疊反射鏡，變焦鏡組位于固定鏡組和切換鏡組之間，至少兩個折疊反射鏡位于像側和固定鏡組之間...

本申請涉及工藝處理技術領域，特別涉及一種熱處理模塊、工藝處理設備及半導體裝置。該熱處理模塊包括殼體組件和輻射組件；殼體組件包括外殼以及安裝架；外殼具有進風結構和出風結構；安裝架設置于進風結構和出風結構之間并將氣流空間分為進風空間和出風空...

本申請涉及等離子刻蝕技術領域，尤其涉及到一種氣體分配裝置及電容耦合等離子體刻蝕設備。氣體分配裝置中的氣體流量比例分配器具有m個氣體分配區，氣體分配區可接入工藝氣體；管路組件的第一端與m個氣體分配區連通，管路組件的第二端與氣體噴淋頭組件連...

本申請涉及一種用于準確抬升磁控管的抬升裝置和半導體設備，該抬升裝置包括第一驅動機構、傳動機構和轉接機構，傳動機構的一端與第一驅動機構的輸出軸傳動連接，第一驅動機構驅動傳動機構轉動；轉接機構的一端用于安裝磁控管，轉接機構的另一端與傳動機構...

本申請提供一種晶圓的加熱裝置及加熱方法。該加熱裝置包括：溫度傳感器、溫度處理器、第一加熱部件、第二加熱部件、第一控制器和第二控制器；溫度傳感器用于在晶圓旋轉時，測量晶圓沿徑向方向的單個或多個位置的實時溫度；溫度處理器用于接收溫度傳感器測...

本申請提供一種等離子體維持系統、方法與晶圓檢測設備，可用于晶圓檢測領域。該系統中的分束器分別與激光器和每個激光調節設備連接，控制器與每個激光調節設備通信連接。控制器在每個調節周期，向每個激光調節設備發送激光調節參數；激光器通過分束器將產...

本申請實施例提供一種轉子蓋板及快速熱處理裝置，涉及半導體設備技術領域，用于解決轉子污染及生產效率低的技術問題。該轉子蓋板具有第一通孔，第一通孔套設在轉子上，且第一通孔的至少部分內壁延伸至轉子的正上方，轉子蓋板與反應腔室接觸的表面設置有凹...

本申請提供一種薄膜晶體管以及薄膜晶體管的制備方法，涉及半導體技術領域。薄膜晶體管包括設置在基底上的源極、漏極、柵極、溝道層和柵介質層。沿基底的厚度方向，源極和漏極位于柵介質層的一側，柵極位于柵介質層的另一側，并且柵介質層位于溝道層和柵極...

本申請提供一種應用于射頻系統的電弧檢測方法、裝置、設備及存儲介質。該方法包括：獲取射頻系統在運行過程中的待檢測信號；基于信號調制系數，對所述待檢測信號中的待調制信號進行調制處理，得到第三信號；對所述第三信號和所述調制參考信號進行差值計算...

本申請實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，涉及半導體技術領域，解決偏壓穩定性差的技術問題。該薄膜晶體管的制備方法包括：形成溝道層，溝道層的材質為過渡金屬氧化物；利用含硫和氟的氣體或等離子體對溝道層進行處理，以降低溝道層的氧空位和陷阱態。...

本公開實施例提供一種等離子體發生器的啟輝電路及啟輝方法，所述啟輝電路包括第一變壓器、反應腔室，所述反應腔室包括啟輝間隙；所述供電電源向啟輝電路提供第一電壓信號，向所述維持電路供電第二電壓信號；所述第一變壓器包括第一磁芯和第一次級繞組；所...