本申請?zhí)峁┮环N開合蓋裝置和半導體設備，涉及半導體技術領域，用于實現重載開蓋，解決人工開蓋困難以及上蓋存在下垂風險的技術問題。開合蓋裝置包括支架以及相對設置的第一組件和第二組件，第一組件和第二組件均包括滑動機構、升降機構、開蓋件、安全導向...

本申請?zhí)峁┮环N工裝，用于安裝或拆卸氣彈簧，該工裝包括導軌件、第二支座和第二支座，第一支座上的第一裝配座和第二支座上的第二裝配座分別用于與氣彈簧的兩端配合。第二支座沿導軌件向可移動設置，實現對氣彈簧的壓縮或復位操作。第二支座的移動可以改變...

本申請?zhí)峁┝艘环N套刻標記、套刻誤差量測方法及量測裝置，上述套刻標記設置于裸晶的其中一層的非功能區(qū)域內，上述套刻標記的最小結構單元內部結構的周期與上述其中一層的至少一個功能區(qū)域的關鍵結構周期保持一致。在本申請中，套刻標記可以設置于裸晶的非...

本申請實施例提供一種等離子室、腔體模組及半導體設備，涉及半導體設備領域。第一分件包括第一接合面及凸設于第一接合面的第一凸起，第一接合面設于第一分件朝向第二分件的一側，第一接合面環(huán)繞中空腔設置。第二分件包括第二接合面與凹設于第二接合面的第...

本申請?zhí)峁┮环N半導體器件的制備方法和半導體器件，涉及半導體技術領域，用以解決如何改善在制備半導體器件的過程中襯底發(fā)生翹曲的技術問題。該制備方法包括提供襯底；在襯底的第一側形成疊層結構，在形成疊層結構的過程中，在襯底的第二側形成應力層，第...

本申請公開一種修正方法、裝置、存儲介質以及程序產品，涉及材料處理技術領域，用于提升待執(zhí)行操作的執(zhí)行過程中對操作參數控制的精確性和穩(wěn)定性。該方法包括：獲取待執(zhí)行操作的目標參數曲線，目標參數曲線包括待執(zhí)行操作的操作參數在至少兩個時間點對應的...

本申請實施例提供一種連接組件和工藝設備，工藝設備包括設備主體、驅動裝置、連接組件以及與設備主體相對布置的蓋體，連接組件包括套筒、連接件和底座。套筒固定于驅動裝置，底座固定于蓋體。套筒內設有通道，底座設有孔槽，連接件的第一端可活動地設于通...

本申請?zhí)峁┮环N可調電感裝置及電子設備，涉及電感技術領域。可調電感裝置，包括：電感線圈，由導線繞制形成且呈螺旋狀，電感線圈包括至少兩匝線圈；調節(jié)機構，包括：連接組件，與電感線圈連接；調節(jié)件，與連接組件連接且可轉動地設置；其中，轉動調節(jié)件時...

本申請公開一種承載裝置、反應腔室及半導體設備，涉及半導體設備技術領域，用于解決卡盤實際運行時的水平度與調測時水平度不一致的技術問題。該承載裝置包括用于與固定組件連接，包括：第一安裝機構、第二安裝機構和承載主體；承載主體用于支撐卡盤；第一...

本申請公開了一種同軸度測試儀、測試系統及同軸度的測試方法，涉及半導體設備技術領域，為了解決針對中空環(huán)狀裝配件的同軸度測量的問題，該同軸度測試儀用于檢測圍繞卡盤設置的至少一個中空環(huán)狀部件的同軸度，包括基座組件，用于與卡盤可拆卸固定連接；至...

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種工藝腔室及半導體設備。該工藝腔室包括反應腔、內襯、外腔殼和進氣管，外腔殼與內襯之間有安裝間隙，內襯開設有第一進氣通道，第一進氣通道與反應腔連通；進氣管插裝于外腔殼，進氣管包括第一管段和第二管段，其中...

本申請公開了一種腔室與機臺對接的安裝裝置及半導體設備，涉及半導體設備技術領域，為了解決集成化后的機臺腔室與傳片機臺對接困難的問題，腔室可移動的設于承載結構，腔室的一側設有定位銷，定位銷可拔插的設于機臺的銷孔中，安裝裝置包括導向組件，導向...

本申請公開一種液體調節(jié)閥，用于調節(jié)兩個液體源向卡盤輸送液體的比例，包括閥體閥芯，閥體的內部設有貫通的滑閥腔，設置兩組第一液體通道，每組第一液體通道包括一個第一進液通道和一個第一出液通道，第一進液通道和第一出液通道均與滑閥腔連通，第一進液...

本申請公開了一種原子力顯微鏡及其探測系統，涉及掃描原子力探針技術領域，所述原子力顯微鏡探測系統包括掃描器，所述原子力顯微鏡探測系統還包括光纖裝置和探針組件，光纖裝置位于所述掃描器的外側，包括發(fā)射端口，所述發(fā)射端口用于發(fā)射激光；探針組件連...

本申請涉及減震裝置技術領域。本申請?zhí)峁┝藦秃蠝p震裝置、包含復合減震裝置的設備。該復合減震裝置包括基臺、底座、至少一個減震組件和至少一個鉸接臂組件。一個鉸接臂組件包括四個鉸接連桿和四個鉸接軸，鉸接成四邊形結構。第一鉸接軸和第二鉸接軸位于四...

本申請涉及半導體領域，公開了半導體器件及其制作方法、電子設備，方法包括獲得半導體器件的基本結構體，基本結構體由基體層、第一介質隔離層和溝道結構組成；第一介質隔離層位于基體層的第一表面，相鄰溝道結構和第一介質隔離層之間分布有電極凹槽；在基...

本申請公開了熱處理設備及進氣裝置，涉及熱處理技術領域，包括：設有用于放置晶圓的平臺的腔室；進氣裝置包括沿著預設弧線分布的至少兩個進氣孔，每個進氣孔分別與預設邊界上的不同預設邊界點一一對應，并且，每個進氣孔與相應的預設邊界點之間在預設方向...

本發(fā)明公開了一種置中治具、晶圓定位裝置及半導體加工設備，涉及半導體制造技術領域，旨在解決治具與卡盤的對中位置不能精確調節(jié)，不能示教晶圓在卡盤上的中心位置，導致機械臂搬運位置的精度不夠，影響晶圓的生產的問題。該置中治具用于半導體加工設備，...

本申請?zhí)峁┝艘环N柔性鉸鏈、調節(jié)機構、承載裝置及半導體設備。柔性鉸鏈包括沿第一方向層疊設置的殼體與結構件，殼體用于收容致動器。殼體包括懸臂組件。懸臂組件用于在受到沿第一方向的作用力下彈性變形，從而在第一方向產生平動自由度。結構件設有貫穿結...

本申請?zhí)峁╇娺B接結構和半導體設備，涉及半導體檢測技術領域，用于解決如何提高電路板與密封腔室之間的密封性能的問題。具體的，該電連接結構用于密封腔室；電連接結構包括密封蓋板和電連接板，密封蓋板用于覆蓋密封腔室的開口，密封蓋板設有安裝通孔；電...