本申請公開了一種光學鏡組、光學裝置和半導體設備，涉及半導體技術領域。該光學鏡組中，沿光路依次設置的固定組、變焦組、補償組和至少一個切換組。變焦組可沿光軸相對于所述固定組進行移動，實現焦距的連續調節，使得該光學鏡組為一種變焦鏡頭；而且，至...

本發明實施例提供一種導電件、導電組件及薄膜沉積設備，涉及半導體技術領域。導電件包括第一連接部、第二連接部和拐彎結構；拐彎結構連接在第一連接部和第二連接部之間，第一連接部用于與移動件固定連接，第二連接部用于固定件固定連接。拐彎結構具有多個...

本申請提供一種卡盤及半導體設備。卡盤用于承載晶圓。本申請提供的卡盤能夠提升在對晶圓進行加熱或者散熱時，晶圓表面溫度的均勻性。所述卡盤包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面沿所述卡盤的厚度方向相背設置。所述卡盤包括第一區域和第...

本申請提供層流元件、流量控制裝置和半導體設備，涉及半導體設備技術領域，用于解決如何提升層流元件的應用便利性的問題。具體的，該層流元件包括層疊設置的多個流道板，每個流道板包括實體結構以及流道組，每個流道組包括流道；任意相鄰兩個流道板中，位...

本申請公開了一種沉積設備，包括外殼、磁控裝置、電源、導電連接件和饋入件。磁控裝置包括驅動件、磁控件和聯軸器，驅動件安裝在外殼上，驅動件設有輸出軸，磁控件設有輸入軸，輸出軸通過聯軸器與輸入軸連接，并且輸出軸和輸入軸同軸。電源安裝在外殼上，...

本申請公開了一種工藝設備及其控流方法、裝置、存儲介質及流體輸入裝置，涉及流場控制技術領域，包括：獲取當前工藝設備的各流入孔中流體的實際狀態數據；基于所述實際狀態數據和各分區對應的目標產物特征，確定每個所述流入孔對應的控制參數；不同的分區...

本申請提供一種半導體設備的溫控系統及溫度控制方法、半導體設備，溫控系統用于維持半導體設備的部件的溫度，其包括液冷結構、主出液流路、主進液流路、冷卻控溫裝置、控溫切換部和控制組件。液冷結構被配置為利用冷卻液冷卻半導體設備的部件；冷卻液經由...

本申請提供一種預熱環、內襯結構及半導體設備。預熱環應用于半導體設備，半導體設備包括內襯結構。內襯結構形成有開口向上的環形的預熱環容納槽。預熱環容納槽的徑向外緣形成第一定位部，預熱環容納槽的徑向內緣形成第二定位部。預熱環包括第一環部以及由...

本申請涉及半導體領域，公開了一種半導體存儲器件及其制作方法、電子設備，包括提供堆疊結構，堆疊結構包括沿第一方向間隔設置的多個犧牲層、以及沿與第一方向垂直的第二方向間隔排列的多個字線接觸孔，每個字線接觸孔貫穿堆疊結構，每個字線接觸孔內填充...

本申請公開一種制動盒、運動控制系統、機械臂及半導體設備，涉及工業控制領域，用于實現動態制動，針對目前在動態制動時無法保證運動軌跡不偏離的問題，提供一種制動盒。本制動盒中的泄放電路與電動機的三相連接，可以對電動機發電產生的電能進行消耗，以...

本申請提供一種半導體加工設備，涉及半導體加工技術領域，用于解決相關技術中等離子體分布不均勻的問題，該半導體加工設備包括：等離子體腔室、環形柱狀結構和調節機構，等離子體腔室內生成有處理待加工件的等離子體；環形柱狀結構環繞于等離子體腔室的外...

本申請涉及反射板技術領域，提供了一種反射板、半導體加工腔室及半導體退火工藝設備，用于解決反射板熱膨脹并發生熱偏移而導致的測溫通孔與高溫計導光棒擠碰的問題；該反射板上設有沿平行于反射板的方向間隔的第一定位孔和第二定位孔；第一定位孔約束反射...

本申請實施例提供一種半導體裝置，包括：工藝腔體；工藝套件，設置于工藝腔體內部，用于約束工藝腔體內的反應空間；加熱組件，位于反應空間外周，用于加熱工藝套件；以及反射壁，被配置為反射加熱組件的熱輻射，以將熱輻射導向工藝套件。通過引入反射壁，...

本申請涉及半導體設備領域，尤其涉及工藝套件及半導體設備。工藝套件包括：限光壁(10)，其形成為環形，所述限光壁(10)的底部頂面具有凸出部(110)；外沉積環(20)，其底面具有凹陷部(210)，所述凸出部(110)伸入所述凹陷部(21...

本申請提供一種半導體器件及其形成方法和電子設備，能夠有效優化了不同尺寸的柵極開口內功函數金屬層的刻蝕工藝，提高半導體器件的電學性能與制程良率。形成半導體器件的方法包括：提供基體，基體上具有層間介電層，層間介電層的第一柵極開口與第二柵極開...

本申請提供一種屏蔽罩套件和沉積設備，屏蔽罩套件用于沉積設備，屏蔽罩套件包括屏蔽罩本體和隔離環，屏蔽罩本體包括圍合形成反應空間的屏蔽罩側壁，隔離環包括隔離本體，隔離本體設于屏蔽罩側壁朝向反應空間的內表面，且朝屏蔽罩套件的中心延伸。利用本申...

本申請公開了一種調節模組、光學裝置及半導體設備，涉及光學技術領域。本申請提供了一種用于調節光學鏡組角度的調節模組，該模組包括基準組件、用于固定光學鏡組的承載組件、設置于二者之間的調整座組件、第一調節組件和第二調節組件，第一調節組件連接于...

本申請涉及一種電容結構及其制造方法。該方法包括：在具有預設結構的基底表面交替制備電極層和電容介質層得到主體結構，且相鄰的電極層所使用的電極材料不同、多個電極層所使用的電極材料包括至少兩種；對多個電極層進行選擇性刻蝕后，制備位于主體結構表...

本申請提供一種阻尼單元、阻尼模塊、結構振動控制裝置及設備，涉及結構振動抑制技術領域，用于提升阻尼單元對于振動的抑制效果。該阻尼單元包括第一質量塊、第二質量塊、第一阻尼件以及第二阻尼件；第一阻尼件設置在第一質量塊和第二質量塊之間，第一阻尼...

本發明提供一種溫度計、晶圓溫度測量裝置、方法和半導體設備，涉及半導體制造領域。溫度計中包括正交偏振元件、第一探測器、第二探測器和處理器。第一探測器用于采集經過晶圓后的第一光束的第一信號強度；第二探測器用于采集到達第二探測器的第二光束的第...