本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種檢測(cè)方法、檢測(cè)設(shè)備及計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)。檢測(cè)方法用于檢測(cè)密閉腔室內(nèi)的部件之間的相對(duì)位置，密閉腔室通過(guò)第一分體與第二分體在第一方向共同圍成，檢測(cè)方法包括：在密閉腔室內(nèi)，第一攝像頭采集包括第一目標(biāo)標(biāo)示的第一圖像，第一目標(biāo)標(biāo)示...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種光斑尋優(yōu)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備，涉及半導(dǎo)體量檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：發(fā)送調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)控制指令，以將光路中的多個(gè)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)調(diào)節(jié)至至少一個(gè)綜合狀態(tài)，并獲取每個(gè)綜合狀態(tài)對(duì)應(yīng)的光斑圖像；對(duì)光斑圖像進(jìn)行基于二...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N校準(zhǔn)方法、測(cè)量方法、電子設(shè)備、程序產(chǎn)品和半導(dǎo)體設(shè)備，可用于光學(xué)測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：基于被測(cè)樣品的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)和光學(xué)測(cè)量設(shè)備的光學(xué)參數(shù)，仿真獲得標(biāo)準(zhǔn)穆勒矩陣；基于標(biāo)準(zhǔn)穆勒矩陣和光學(xué)測(cè)量設(shè)備的器件參數(shù)，獲得光學(xué)測(cè)量設(shè)備對(duì)應(yīng)的...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光學(xué)量測(cè)裝置及其量測(cè)方法、半導(dǎo)體量測(cè)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體的領(lǐng)域。光學(xué)量測(cè)裝置包括照明模組和光接收模組。照明模組包括用于產(chǎn)生入射光的光源和第一偏振單元，第一偏振單元設(shè)置于入射光的傳輸光路中，用于將入射光轉(zhuǎn)換為多個(gè)第一偏振光束，...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N激光維持等離子體光源及其光譜調(diào)控方法，可用于光學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該光源包括：激光器、放電腔室、氣體控制系統(tǒng)、真空控制系統(tǒng)和光譜調(diào)控系統(tǒng)；激光器用于發(fā)射激光束；放電腔室內(nèi)通入有氣體，氣體在激光束的作用下維持等離子體形態(tài)，以產(chǎn)生...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓圖像灰度區(qū)間分割方法、裝置、電子設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，可用于光學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取待檢測(cè)晶圓的晶圓灰度圖像；響應(yīng)于用戶的選擇操作，在晶圓灰度圖像上選擇至少三個(gè)裸晶的至少一個(gè)參考點(diǎn)位對(duì)應(yīng)的點(diǎn)位圖像；對(duì)至少三個(gè)裸晶的...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種晶圓缺陷的分類方法、裝置、服務(wù)器及產(chǎn)品。該方法包括：獲取待分類數(shù)據(jù)和第一任務(wù)信息；其中，待分類數(shù)據(jù)包括至少一種類型的晶圓缺陷的結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)，第一任務(wù)信息包括文本信息和/或圖像信息；根據(jù)第一任務(wù)信息，確定缺陷特征矩陣；根...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N反射板及半導(dǎo)體設(shè)備，該反射板設(shè)置在半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室中，反射板的反射層包括內(nèi)圈部以及與內(nèi)圈部連接的外圈部，外圈部的和內(nèi)圈部的采用不同的反射率，內(nèi)圈部設(shè)置有多個(gè)測(cè)溫通孔，測(cè)溫通孔用于安裝測(cè)溫傳感器。通過(guò)設(shè)計(jì)內(nèi)圈部和外圈部不...

本申請(qǐng)涉及一種主副屏聯(lián)動(dòng)的主副屏控制方法、計(jì)算設(shè)備、主副屏聯(lián)動(dòng)系統(tǒng)，主屏控制方法包括響應(yīng)于主屏的目標(biāo)程序的啟動(dòng)顯示目標(biāo)程序?qū)?yīng)的程序界面，并控制副屏執(zhí)行顯示產(chǎn)品圖像界面的操作，產(chǎn)品圖像界面用于展示基于目標(biāo)半導(dǎo)體工藝過(guò)程制造目標(biāo)產(chǎn)品過(guò)程中...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N計(jì)算資源調(diào)度方法、光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)和半導(dǎo)體設(shè)備，可用于光學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該方法應(yīng)用于光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)，該光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)包括圖像采集單元、前處理單元和計(jì)算服務(wù)單元，該計(jì)算資源調(diào)度方法包括：監(jiān)測(cè)前處理單元的第一任務(wù)負(fù)載；當(dāng)?shù)谝蝗蝿?wù)負(fù)載大...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N吊裝工裝以及吊裝系統(tǒng)，具體涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。吊裝工裝包括框架、提取結(jié)構(gòu)以及轉(zhuǎn)臂組件。提取結(jié)構(gòu)用于固定待吊裝工件。轉(zhuǎn)臂組件可拆卸地連接于框架，轉(zhuǎn)臂組件包括依次相連的多個(gè)轉(zhuǎn)臂結(jié)構(gòu)，提取結(jié)構(gòu)設(shè)置于遠(yuǎn)離框架的轉(zhuǎn)臂結(jié)構(gòu)上。...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓缺陷聚類模型參數(shù)尋優(yōu)方法、裝置和終端設(shè)備，上述方法包括：確定第一網(wǎng)絡(luò)參數(shù)與第一參數(shù)搜索域；基于第一網(wǎng)絡(luò)參數(shù)、第一參數(shù)搜索域和貝葉斯優(yōu)化算法確定第一參數(shù)配置組合；基于第一參數(shù)配置組合與目標(biāo)函數(shù)確定候選評(píng)分值；基于第一參數(shù)...

本申請(qǐng)公開了一種缺陷檢測(cè)方法及相關(guān)裝置。該方法可以包括：對(duì)晶粒的第一圖案進(jìn)行傅里葉變換得到第一圖案的第一頻譜，第一圖案包括一種或多種陣列圖案；根據(jù)與第一頻譜的幅值相關(guān)的截止強(qiáng)度對(duì)第一頻譜進(jìn)行濾波得到第二頻譜；對(duì)第二頻譜進(jìn)行傅里葉逆變換得...

本申請(qǐng)涉及一種指令調(diào)度方法及裝置、半導(dǎo)體設(shè)備、介質(zhì)，方法包括存儲(chǔ)接收到的業(yè)務(wù)進(jìn)程的多個(gè)業(yè)務(wù)指令；為已存儲(chǔ)的所述業(yè)務(wù)進(jìn)程的每個(gè)業(yè)務(wù)指令分配對(duì)應(yīng)時(shí)間片；在接收到的控制指令指示所述業(yè)務(wù)進(jìn)程需要啟動(dòng)的情況下，在所述對(duì)應(yīng)時(shí)間片發(fā)送所述業(yè)務(wù)指令。本...

本申請(qǐng)涉及電子光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種次級(jí)輻射激發(fā)裝置及分析檢測(cè)儀器，用于解決高能電子束轟擊金屬靶材時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸汽和陽(yáng)離子影響電子槍和其它附屬部件可靠性的問(wèn)題；該次級(jí)輻射激發(fā)裝置包括：激發(fā)源和金屬靶材，激發(fā)源用于發(fā)射電子束，金屬靶材設(shè)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N蜂窩整流結(jié)構(gòu)、裝置、等離子體光源及半導(dǎo)體設(shè)備，蜂窩整流結(jié)構(gòu)應(yīng)用于激光維持等離子體光源，所述蜂窩整流結(jié)構(gòu)包括：相鄰設(shè)置的多個(gè)蜂窩單元，所述蜂窩單元形成用于使氣流通過(guò)的通道結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)蜂窩單元的軸向延伸方向平行；設(shè)置于相鄰...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種組合分離裝置、半導(dǎo)體設(shè)備及組合分離方法。組合分離裝置包括固定臺(tái)、尋邊組件、翻轉(zhuǎn)裝置和移動(dòng)組件，固定臺(tái)包括底座和裝于底座的固定支架，固定支架包括承載架；尋邊組件裝于固定支架，以對(duì)套件和組合件尋邊定位，并定位圖案模板和套...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝丝烧{(diào)節(jié)的外限制型線圈支架、射頻阻抗匹配器。可調(diào)節(jié)的外限制型線圈支架用于固定線圈，線圈包括螺旋延伸的線圈主體，可調(diào)節(jié)的外限制型線圈支架包括第一主支架、第二主支架和多個(gè)成對(duì)設(shè)置的輔助支架。第一主支架和第二主支架在線圈主體的軸向上...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種卡盤結(jié)構(gòu)、工裝以及半導(dǎo)體設(shè)備，用于提高卡盤結(jié)構(gòu)的適用范圍，在半導(dǎo)體工藝的過(guò)程中無(wú)需更換卡盤結(jié)構(gòu)，提高了生產(chǎn)效率。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種卡盤結(jié)構(gòu)包括卡盤本體、第一承載部以及第二承載部，卡盤本體具有承載表面，第一承載部...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N全環(huán)柵晶體管的制備方法，屬于邏輯器件技術(shù)領(lǐng)域，用于解決凹槽刻蝕工藝中后續(xù)用于替換為柵極層的膜層刻蝕后形貌圓角的問(wèn)題；該方法包括：在襯底的一側(cè)形成第一堆疊層，第一堆疊層包括多層第一半導(dǎo)體層和多層第二半導(dǎo)體層；在第一堆疊層遠(yuǎn)離...