本申請?zhí)峁┮环N機(jī)械臂定位工裝、晶圓定位裝置、半導(dǎo)體設(shè)備及定位方法，機(jī)械臂定位工裝包括工裝底座、第一定位部和多個夾持部。多個夾持部設(shè)置于工裝底座的徑向外緣，用于夾持晶圓工藝腔室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。內(nèi)部結(jié)構(gòu)的中心軸線與晶圓工藝腔室的晶圓定位軸線重合...

本申請?zhí)峁┝艘环N刻蝕終點確定方法及相關(guān)設(shè)備，其中，方法包括：獲取刻蝕處理過程中用于干涉測量的第一光譜數(shù)據(jù)和用于光學(xué)發(fā)射光譜測量的第二光譜數(shù)據(jù)；對所述第一光譜數(shù)據(jù)以及第二光譜數(shù)據(jù)分別進(jìn)行特征提取，得到第一光譜數(shù)據(jù)的第一特征以及第二光譜數(shù)據(jù)...

本申請涉及一種運(yùn)動臺的誤差補(bǔ)償方法及裝置，方法包括在控制運(yùn)動臺移動以對第一待測工件進(jìn)行檢測的過程中，基于第一補(bǔ)償表調(diào)整運(yùn)動臺移動到各第一位置的位移量，第一補(bǔ)償表包括運(yùn)動臺移動至各第一位置所需調(diào)整的第一位移補(bǔ)償量；基于檢測過程中第一待測工...

一種光學(xué)器件和半導(dǎo)體設(shè)備，涉及光學(xué)儀器技術(shù)領(lǐng)域，本申請?zhí)峁┑墓鈱W(xué)器件包括套筒、波片、導(dǎo)向圈和壓圈，套筒設(shè)置有支撐部，壓圈、導(dǎo)向圈、波片和支撐部沿軸向依次設(shè)置，導(dǎo)向圈上設(shè)有第一限位結(jié)構(gòu)，套筒內(nèi)設(shè)有第二限位結(jié)構(gòu)，第一限位結(jié)構(gòu)和第二限位結(jié)構(gòu)配...

本申請?zhí)峁┮环N加熱裝置及外延生長設(shè)備。包括基臺、第一光源組件和第一遮光筒，基臺設(shè)有用于承載待加熱件的第一表面；第一光源組件包括第一燈頭與第一光源陣列，第一燈頭設(shè)于第一表面?zhèn)龋⒕哂械谝惠S線，第一光源陣列安裝于第一燈頭，且包括多個用于發(fā)射...

本申請?zhí)峁┮环N傳動機(jī)構(gòu)以及晶圓傳輸裝置，涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。傳動機(jī)構(gòu)包括基座、主動輪、從動輪、封閉傳送帶和張緊組件。基座設(shè)有驅(qū)動軸和輸出支撐軸，驅(qū)動軸可轉(zhuǎn)動連接于基座，輸出支撐軸與驅(qū)動軸并排設(shè)置。主動輪設(shè)置于驅(qū)動軸，主動輪與驅(qū)動...

本申請實施例提供一種確定空間濾波器的布設(shè)位置的方法、光學(xué)系統(tǒng)及檢測設(shè)備，該方法應(yīng)用于半導(dǎo)體檢測設(shè)備，半導(dǎo)體檢測設(shè)備用于對待測樣品進(jìn)行檢測，半導(dǎo)體檢測設(shè)備包括光學(xué)系統(tǒng)，光學(xué)系統(tǒng)包括檢測光源和物鏡，該方法包括：獲取待測樣品的結(jié)構(gòu)周期以及光學(xué)...

本申請實施例公開了一種晶圓圖像獲取方法、裝置、終端設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)，上述方法包括：基于運(yùn)動控制參數(shù)控制晶圓掃描設(shè)備中的運(yùn)動臺運(yùn)動以控制晶圓基于目標(biāo)運(yùn)動軌跡承載在運(yùn)動臺上運(yùn)動；基于掃描控制參數(shù)控制晶圓掃描設(shè)備中的圖像獲取設(shè)備對運(yùn)動中的晶...

一種前驅(qū)體盒及半導(dǎo)體設(shè)備。前驅(qū)體盒包括前驅(qū)體容器、第一進(jìn)氣管道、第一箱體和第二箱體。前驅(qū)體容器用于存儲前驅(qū)體。第二箱體設(shè)于第一箱體內(nèi)，第二箱體的內(nèi)壁面圍合形成容納腔，容納腔用于收容前驅(qū)體容器。第一進(jìn)氣管道與容納腔連通，并用于向容納腔內(nèi)輸...

本申請?zhí)峁┮环N邊緣環(huán)及刻蝕設(shè)備，屬于半導(dǎo)體遠(yuǎn)程等離子體源刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，用于解決晶圓邊緣自由基濃度徑向梯度較大及副產(chǎn)物排出的問題；刻蝕設(shè)備包括：基座和邊緣環(huán)，基座用于放置待刻蝕的晶圓；邊緣環(huán)與基座相固定；邊緣環(huán)包括：第一環(huán)形部，當(dāng)對晶圓進(jìn)...

本申請?zhí)峁┮环N夾持機(jī)構(gòu)、承載臺以及半導(dǎo)體設(shè)備，涉及裝卡設(shè)備領(lǐng)域，用于解決目前的夾持件難以在夾持不同尺寸的晶圓時提供穩(wěn)定一致的夾持力的技術(shù)問題。該夾持機(jī)構(gòu)包括基座、夾頭和恒力彈性件，夾頭可沿晶圓的徑向運(yùn)動，以夾持或釋放晶圓；恒力彈性件的固...

本申請涉及快速熱處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鹵素?zé)粢约盁崽幚碓O(shè)備。包括套管、燈體、電極頭、連接體以及阻擋體。套管具有第一端和第二端；阻擋體安裝于所述套管的第一端且套設(shè)于所述燈體，所述阻擋體固定連接所述連接體，且覆蓋所述連接體的第一表面。由...

一種多陽極電子發(fā)射裝置及電子槍、半導(dǎo)體設(shè)備，電子發(fā)射裝置用于微焦斑電子槍，其包括陰極、柵極和陽極部，陰極用于釋放電子。陽極部設(shè)置于陰極的下游，陽極部與陰極間隔設(shè)置，用于吸引并加速陰極釋放的電子以形成電子束。柵極設(shè)置于陰極和陽極部之間，柵...

本申請?zhí)峁┮环N夾持裝置、物料傳輸系統(tǒng)及半導(dǎo)體設(shè)備。包括基座、支撐機(jī)構(gòu)、第一夾持機(jī)構(gòu)和第二夾持機(jī)構(gòu)；支撐機(jī)構(gòu)與基座連接，用于承載待夾持件，以及用于與待夾持件分別在第一方向與第二方向形成滾動摩擦接觸，第一方向與第二方向均垂直于支撐機(jī)構(gòu)支撐待...

本申請公開了一種收集系統(tǒng)及套刻誤差量測設(shè)備，收集系統(tǒng)包括：物鏡，用于獲取來自物面的標(biāo)記光并使標(biāo)記光成像于像面，物面用于放置待測物體，標(biāo)記光為照明光入射至待檢測物體的標(biāo)記后衍射的光；第一相位調(diào)制元件，設(shè)置于收集系統(tǒng)的收集光路的瞳面，其設(shè)置...

本申請公開了一種缺陷檢測方法、系統(tǒng)、裝置及半導(dǎo)體量測設(shè)備，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取半導(dǎo)體待測樣品的圖像數(shù)據(jù)，并利用第一可編程硬件處理器對圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行按照缺陷檢測算法的輸入要求確定的數(shù)據(jù)組合等預(yù)處理操作，生成目標(biāo)處理數(shù)據(jù)，然后將...

本申請公開了終點檢測方法、裝置、系統(tǒng)、半導(dǎo)體制造設(shè)備及介質(zhì)，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，應(yīng)用于終點檢測系統(tǒng)，終點檢測系統(tǒng)包括光譜儀、光開關(guān)，光開關(guān)的輸入端與待檢測晶圓對應(yīng)的多種采樣通道連接，光開關(guān)的輸出端與光譜儀連接，包括：獲取來自于光譜儀...

本申請公開了一種光學(xué)掃描系統(tǒng)及半導(dǎo)體檢測設(shè)備，光學(xué)掃描系統(tǒng)包括：光束產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生光束；掃描發(fā)生單元，設(shè)置于光束產(chǎn)生單元的出光側(cè)，用于使在預(yù)設(shè)時段內(nèi)的不同時刻出射的光束在中繼面上形成第一掃描線段，并用于調(diào)整光束在中繼面的光斑直徑或/...

本公開的實施例提供了一種組合分離臺及組合分離設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于提高掩膜板的鍍層的厚度的均一性。該組合分離臺包括固定板、多個第一支撐結(jié)構(gòu)、多個第二支撐結(jié)構(gòu)。第一支撐結(jié)構(gòu)包括第一支撐件和第一調(diào)節(jié)件。多個第一支撐件配置為支撐托盤；...

本申請涉及光電技術(shù)熱管理領(lǐng)域，尤其涉及一種控溫裝置、檢測設(shè)備及檢測系統(tǒng)，控溫裝置，包括導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，與溫控對象通過非連接方式進(jìn)行導(dǎo)熱；制冷結(jié)構(gòu)，制冷結(jié)構(gòu)的冷端與導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)焊接連接；散熱部件，與制冷結(jié)構(gòu)的熱端連接。通過導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)與溫控對象的非連接...