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        索尼半導(dǎo)體解決方案公司專利技術(shù)

        索尼半導(dǎo)體解決方案公司共有3114項(xiàng)專利

        • 本發(fā)明的光檢測裝置包括:半導(dǎo)體基板,其具有對(duì)光進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換元件;和絕緣層,其與所述半導(dǎo)體基板堆疊,且具有至少一個(gè)薄膜晶體管。所述絕緣層還具有用于將所述薄膜晶體管與所述半導(dǎo)體基板連接的配線。所述配線的至少一部分包含與所述薄膜晶體...
        • 本發(fā)明減少在基板上設(shè)置有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的組件的工藝數(shù)量。半導(dǎo)體封裝包括硅基板、多個(gè)半導(dǎo)體芯片、有機(jī)基板和互連層。在該半導(dǎo)體封裝中,在硅基板中形成凹部。此外,在半導(dǎo)體封裝中,多個(gè)半導(dǎo)體芯片布置在每個(gè)凹部中。而且,在半導(dǎo)體封裝中,互連層布置...
        • 本公開提供了一種能夠抑制性能劣化的光電檢測裝置及該光電檢測裝置的制造方法。該光電檢測裝置包括:半導(dǎo)體基板,其具有第一面和位于第一面的相反側(cè)的第二面;多個(gè)像素,其設(shè)置于半導(dǎo)體基板并且具有光電轉(zhuǎn)換元件;以及像素間隔離部,其設(shè)置于半導(dǎo)體基板,...
        • [問題]提供一種能夠改善與色光的接收相關(guān)的光學(xué)特性的光檢測裝置。[解決方案]根據(jù)本公開的實(shí)施方案的光檢測裝置包括:透鏡,光入射在所述透鏡上;濾色器,其透射包括在透過所述透鏡的光中的特定色光;以及光電轉(zhuǎn)換元件,其對(duì)通過所述濾色器接收到的所...
        • [問題]為了提供一種能夠抑制根據(jù)從像素初始化起的時(shí)間流逝的電勢變化的成像設(shè)備和成像方法。[解決方案]本公開提供了一種成像設(shè)備,包括:像素陣列單元,其中,以矩陣配置多個(gè)第一像素,每個(gè)第一像素輸出與光量對(duì)應(yīng)的亮度信號(hào);檢測電路單元,當(dāng)多個(gè)第...
        • 描述了一種dToF測量系統(tǒng),包括:光發(fā)射器,被配置為在預(yù)定位置處發(fā)射至少一個(gè)光區(qū)域,以照射真實(shí)世界對(duì)象的一部分;控制器,被配置為選擇與預(yù)定位置不同的真實(shí)世界位置進(jìn)行照射;以及致動(dòng)器,被配置為在控制器的控制下,移動(dòng)要發(fā)射的光區(qū)域以照射選擇...
        • 本發(fā)明提供了一種能夠減小可靠性的降低的光檢測裝置、半導(dǎo)體裝置和光檢測裝置的制造方法。該光檢測裝置包括:半導(dǎo)體基板;有機(jī)絕緣膜,其由透光性有機(jī)材料制成,并設(shè)置在半導(dǎo)體基板的第一面?zhèn)?;凹槽,其設(shè)置于有機(jī)絕緣膜和半導(dǎo)體基板,該凹槽使半導(dǎo)體基板...
        • 根據(jù)本公開的光檢測裝置包括半導(dǎo)體層、浮動(dòng)擴(kuò)散部、傳輸柵極以及絕緣膜或氣隙。所述半導(dǎo)體層具有設(shè)置在其內(nèi)部的光電二極管。所述浮動(dòng)擴(kuò)散部在所述半導(dǎo)體層的一個(gè)表面?zhèn)仍O(shè)置在所述半導(dǎo)體層內(nèi)部。所述傳輸柵極包括垂直柵極部和水平柵極部。所述垂直柵極部從...
        • 本發(fā)明減少磁阻效應(yīng)元件與布線之間的連接缺陷。該存儲(chǔ)器裝置包括:存儲(chǔ)器單元,包括設(shè)置在布線區(qū)域中的磁阻效應(yīng)元件和設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的單元晶體管;第一下層布線,設(shè)置在布線區(qū)域中并且連接單元晶體管的端子和磁阻效應(yīng)元件的一端;第二下層布線,設(shè)置...
        • 本公開涉及用于喚醒電子設(shè)備的方法、裝置、傳感器、設(shè)備和介質(zhì)。在該方法中,經(jīng)由傳感器捕獲圖像數(shù)據(jù);使用深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(DNN)對(duì)捕獲的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行處理;以及根據(jù)DNN的處理結(jié)果喚醒所述電子設(shè)備。基于上述方案,通過使用DNN處理傳感器捕獲的圖...
        • 半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括半導(dǎo)體基板、電容器和第一絕緣膜。半導(dǎo)體基板包括薄膜晶體管并且沿著第一表面延伸。電容器設(shè)置在半導(dǎo)體基板上并且與薄膜晶體管耦合。電容器具有在與第一表面相交的第一方向上凹陷的孔。第一絕緣膜設(shè)置在電容器的孔中。電容器具有層疊結(jié)...
        • 一種LiDAR傳感器,被配置為:在LiDAR傳感器的主動(dòng)照射部分內(nèi)部的感興趣區(qū)域中,獲取直接信號(hào)貢獻(xiàn),以獲得距離信息,其中,直接信號(hào)貢獻(xiàn)是利用直接反射的照射光入射到的直接宏像素獲取的;以及在LiDAR傳感器的主動(dòng)照射部分外部的感興趣區(qū)域...
        • 本公開涉及一種通信方法和通信設(shè)備,其使得可以避免在單個(gè)物理線路上的同向通信的沖突。當(dāng)在通過物理層發(fā)送第一數(shù)據(jù)期間輸入了第二數(shù)據(jù)時(shí),根據(jù)本公開的通信設(shè)備通過將中斷控制數(shù)據(jù)插入到第一數(shù)據(jù)來中斷發(fā)送并發(fā)送第二數(shù)據(jù),其中所述物理層能夠在單個(gè)物理...
        • 根據(jù)本公開的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括:第一基板,具有包括光接收單元的第一像素以及包括導(dǎo)光單元的第二像素;以及第二基板,堆疊在第一基板上,第二基板具有面向第一像素布置并且驅(qū)動(dòng)第一像素的晶體管單元以及面向第二像素布置的發(fā)光單元。
        • 本發(fā)明在不涉及D相電平的情況下緩和檢測每一列的P相電平的能量集中。一種成像裝置,包括:第一列信號(hào)線,連接至第一像素;第一比較電路,連接至第一列信號(hào)線;第二列信號(hào)線,被設(shè)置為鄰近于第一列信號(hào)線并且連接至第二像素;第二比較電路,連接至第二列...
        • 提供了一種成像裝置,其能夠在不增加組件和步驟的數(shù)量的情況下,抑制在其中容納成像元件的容納空間中加熱期間的壓力升高。該成像裝置包括:具有安裝面的基底基板;設(shè)置在安裝面上的成像元件;覆蓋受光面的蓋玻璃;透鏡,隔著成像元件設(shè)置在與基底基板相反...
        • 提供了一種電子設(shè)備,該電子設(shè)備包括電路系統(tǒng),該電路系統(tǒng)被配置為執(zhí)行以下操作:獲取來自ToF傳感器的深度圖像數(shù)據(jù)以及來自可視圖像傳感器的可視圖像數(shù)據(jù);在深度圖像數(shù)據(jù)中檢測對(duì)象;基于用戶輸入或者自主地基于預(yù)定選擇標(biāo)準(zhǔn)來選擇深度檢測對(duì)象;基于...
        • 本技術(shù)涉及一種使得可以減少連接端子的數(shù)量的半導(dǎo)體裝置和多孔板。該半導(dǎo)體裝置包括:MEA,其包括由多個(gè)電極形成的電極陣列單元,并且被構(gòu)造為輸出通過使用所述電極陣列單元進(jìn)行測量而獲得的一條以上的第一數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù);和第一多路復(fù)用單元,其被構(gòu)造為對(duì)...
        • 提供了能夠使發(fā)光元件的布線的結(jié)構(gòu)優(yōu)化的發(fā)光裝置及測距裝置。根據(jù)本公開的發(fā)光裝置(1)包括:多個(gè)發(fā)光單元(26?28),布置在一個(gè)方向(U)上;多個(gè)發(fā)光元件(23),多個(gè)發(fā)光元件(23)中的至少一個(gè)發(fā)光元件設(shè)置給多個(gè)發(fā)光單元(26?28)...
        • 本技術(shù)的主要目的是提供雖配置簡單卻能提升空間分辨率的一種信號(hào)處理設(shè)備、測量設(shè)備和信號(hào)處理方法。本技術(shù)提供一種信號(hào)處理設(shè)備(100),包括接收來自對(duì)象(2:21,22)的信號(hào)的接收單元(1)、將信號(hào)朝向?qū)ο蠡蚪邮諉卧瓷涞姆瓷鋯卧?),...
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