提供能夠顯現出基板(層疊板)的尺寸穩定性的預浸料。此外，提供使用該預浸料得到的層疊板、印刷線路板以及半導體封裝體。具體而言，提供預浸料等，所述預浸料具有含有熱固性樹脂(A)及無機填充材料(B)的熱固性樹脂組合物或其半固化物和一個纖維基材...

本發明涉及一種半導體裝置的制造方法，其具備：樹脂膜形成工序，在半導體晶圓上形成包含通過與水反應而低分子化的樹脂的樹脂膜；帶有樹脂膜片的半導體芯片制作工序，通過將形成有所述樹脂膜的所述半導體晶圓用切割刀片進行切割而制作單片化的帶有樹脂膜片...

圖案的檢查方法包括：坐標測定工序，測定對象基板中的圖案的輪廓的坐標，所述對象基板為形成有作為抗蝕劑圖案及導體圖案中的任一者的圖案的用于裝載半導體元件的半導體封裝基板及印刷線路板中的任一者；及檢查工序，根據所述坐標來檢查所述圖案。對象基板...

本發明涉及帶樹脂的金屬箔、使用了該帶樹脂的金屬箔的印刷線路板的制造方法和半導體封裝體的制造方法，上述帶樹脂的金屬箔具有金屬箔、以及設于該金屬箔的一側表面的含有樹脂組合物的樹脂層，上述樹脂組合物含有：(A)熱固性樹脂；(B)25℃下為液狀...

本發明公開了一種半導體裝置的制造方法。該半導體裝置的制造方法具備：第1層疊體制作工序，制作依次具備半導體晶圓、包含通過照射光而低分子化的樹脂的樹脂層及基材層的第1層疊體；第2層疊體制作工序，對第1層疊體的半導體晶圓進行背面磨削而制作第2...

本發明公開了一種半導體裝置的制造方法。該半導體裝置的制造方法具備：樹脂膜形成工序，在半導體晶圓上形成包含通過照射光而低分子化的樹脂的樹脂膜；帶有樹脂膜片的半導體芯片制作工序，通過將形成有樹脂膜的半導體晶圓用切割刀片進行切割而制作單片化的...

本發明提供一種高頻特性優異、且能夠表現出與導體的高粘接性和高耐熱性的樹脂組合物等。具體而言，上述樹脂組合物含有(A)熱固性樹脂和(B)熱塑性樹脂，上述(B)熱塑性樹脂包含(B1)嵌段共聚物，所述(B1)嵌段共聚物具有嵌段(b1)和嵌段(...

公開一種制造InFO?L等半導體封裝件的方法，其包括：準備中間結構體的步驟，所述中間結構體具有：基材，具有第一主面及其背面側的第二主面；及再配線層，設置于第一主面上，且具有絕緣樹脂層及配線，所述中間結構體中，基材具有包含從第一主面貫穿至...

在本發明的半導體裝置的制造方法中，首先準備結構體(200)，該結構體(200)具有形成有用于將表面分割成多個設置區域(65)的多個溝槽部(61)的中介層(60)、以及配置于各設置區域(65)上的半導體元件(202a、202b)。半導體元...

本發明的電子零件裝置具備：再配線層；配置于再配線層上的電子電路芯片及光電路芯片；以及將電子電路芯片及光電路芯片密封的第一密封層，其中，在第一密封層的與再配線層側相反的一側上，第一密封層具有開口部，開口部的位置與光電路芯片的位置至少部分重疊。

本發明涉及一種永久抗蝕劑用的感光性樹脂組合物，其含有：(A)酸改性含乙烯基樹脂、(B)環氧化合物、(C)光聚合引發劑、(D)光聚合性化合物及(F)無機填料，(B)環氧化合物中所含的環氧基相對于(A)酸改性含乙烯基樹脂中所含的羧基的當量比...

一種帶導電通孔的基板的制造方法，其包括：工序a，準備設置有孔的基板，以填埋孔的內部且覆蓋基板的至少孔的周邊的表面的方式設置金屬膏部，所述金屬膏部包含金屬粒子和揮發性溶劑；工序b，對金屬膏部進行加熱，以去除揮發性溶劑的一部分；工序c，以使...

一種研磨液，其用于研磨未摻雜硅酸鹽玻璃，且pH為3.0以上。一種研磨方法，其包括使用所述研磨液對含有未摻雜硅酸鹽玻璃的被研磨部件的被研磨面進行研磨的工序。一種零件的制造方法，其使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件來獲得零件。

本發明的模擬方法包含以下步驟：準備半導體裝置的模擬模型的步驟，所述半導體裝置具備基板、元件、將所述基板與所述元件電連接的連接部、以及配置在所述元件的周邊部的加固材料；以及算出所述模擬模型的關于所述連接部的應變量的步驟。

一種感光性樹脂組合物，其含有(A)酸改性含乙烯基樹脂、(B)光聚合引發劑、(C)光聚合性化合物、及(D)聚合抑制劑，(B)光聚合引發劑包含(B1)烷基苯酮系光聚合引發劑、(B2)肟酯系光聚合引發劑、及(B3)二苯甲酮系光聚合引發劑。

本發明涉及一種感光性樹脂組合物，其含有包含順丁烯二酰亞胺化合物的基礎樹脂、交聯劑及光聚合引發劑，所述順丁烯二酰亞胺化合物為四羧酸二酐、二胺及順丁烯二酸酐的反應物，所述二胺包含二聚體二胺及所述二聚體二胺以外的第2二胺。

提供可以使生產性更提高，更具體而言，接合工藝時間短、并且開放時間長的連接構件的制造方法。是制造將第1連接體18與第2連接體20連接了的連接構件的制造方法，第1連接體18在一端部具有第1構件3，第2連接體20在一端部具有沿第1構件延伸的第...

一種半導體用黏合膜，其用于在埋入與其他半導體芯片連接的導線的同時將半導體芯片黏合于被粘附體上。在升溫速度5℃/分鐘、及頻率1Hz的條件下測定了黏合膜的90～180℃的范圍的動態粘彈性時，tanδ的最大值為1.0以下，最低熔融粘度為100...

本發明涉及一種預浸料，其含有熱固性樹脂組合物及纖維基材，所述預浸料具有一個表面和與該一個表面相反的一側的另一個表面，所述預浸料以所述一個表面及另一個表面當中的至少任一表面為起點，朝向成為該起點的表面的相反一側的表面方向，依次具有：第一區...

本發明涉及一種覆金屬層疊板的制造方法，是通過將預浸料和金屬箔加熱及加壓而層疊的覆金屬層疊板的制造方法，所述預浸料含有熱固性樹脂組合物及厚度40μm以上的纖維基材，且具有：第一樹脂層，其設于所述纖維基材的一個面上，并含有熱固性樹脂組合物；...