一種承載裝置，包括承載組件和驅動組件，承載組件包括承載盤、鎖邊件、傳送件和驅動機構；其中，承載盤包括吸附部和圍繞吸附部的承載部，鎖邊件和傳送件分別設置于承載部；驅動機構用于驅動鎖邊件升降，以通過鎖邊件支撐并固定被測件的框架部，使被測件與...

一種承載裝置，包括承載組件，承載組件包括承載盤和頂膜件，承載盤包括第一區域、圍繞第一區域的第二區域和圍繞第二區域的第三區域；頂膜件設置于第一區域且至少部分高于第二區域，用于支撐被測件的膠膜部，以使被測件與第一區域間隔；第三區域低于第二區...

本發明涉及半導體檢測技術領域，尤其涉及一種轉臺系統及其控制方法，轉臺系統包括：轉臺，所述轉臺沿旋轉軸可旋轉，所述旋轉軸垂直于轉臺頂面，所述轉臺頂面用于承載樣品；抖動抑制組件，所述抖動抑制組件位于所述轉臺承載樣品的一側；其中，預控制所述轉...

本申請提供一種缺陷檢測系統及缺陷檢測方法，缺陷檢測系統包括載物臺、照明通道和多個檢測通道，照明通道包括光源，光源用于向待測物的檢測區域提供檢測光斑。檢測通道包括物鏡和檢測器，物鏡用于收集檢測光斑在檢測區域產生的散射光，檢測器用于確定散射...

本申請提供的多波長干涉儀系統及其工作方法，設置第一光束和第二光束，第一光束的波長大于第二光束的波長，根據被測晶圓的翹曲量控制第一光束和第二光束的開啟，當測試正常小翹曲片時，第二光束產生的第二干涉光束照射待測晶圓的區域形成第二區域，第二區...

本發明公開了一種晶圓掃描方法、設備及存儲介質，其中方法包括：獲取待掃描的晶圓的半徑和預先設置的掃描相機的線光斑有效長度；基于半徑和線光斑有效長度將晶圓劃分為第一區域和第二區域，第一區域包括半徑值大于第一預設半徑閾值的環形區域，第二區域包...

本申請公開了一種檢測系統及檢測方法，檢測系統包括載物平臺、照明組件、多個探測通道，每個探測通道配置至少一個探測器，多個探測通道包括第一探測通道、第二探測通道、第三探測通道和第四探測通道。載物平臺用于承載待測物。照明組件被配置為向待測物發...

本申請提供一種缺陷檢測系統及缺陷檢測方法，缺陷檢測系統包括用于承載待測物的載物臺、位于載物臺同一側的照明通道和多個檢測通道。光源發出的入射光所在的入射平面與檢測平面垂直，檢測平面為多個檢測通道的光軸所在平面；多個檢測通道包括第一檢測通道...

本發明涉及半導體檢測技術領域，尤其涉及一種靜電卡盤，包括：基底，以及間隔排布設置在基底側面的多個安裝部，且所述安裝部具有撓性；電極層，所述電極層位于所述基底頂面，所述電極層包括相互絕緣的正電極層和負電極層；絕緣層，所述絕緣層位于所述電極...

本申請提供的一種受激輻射的晶圓檢測裝置，激發光源產生的激發光束經第一照明鏡組進行準直、勻光和形狀調制后形成均勻的整形光束，整形光束經第二照明鏡組進行匯聚產生的匯聚光束能夠經光束分離元件和物鏡后形成出射光束且照射于晶圓的表面以激發產生熒光...

本申請公開一種雙向離軸對位偏差量測方法、系統及離軸標記。通過調整成像裝置的光軸與待測樣品在X軸或Y軸的相對位移，由成像裝置拍攝得到目標標記圖像、第一參考標記圖像和第二參考標記圖像；目標標記位于待測樣品的目標對位單元。基于目標標記圖像和第...

本申請提供一種形貌參數的確定方法、裝置、設備和介質，確定高深寬比納米結構對應的參數化模型，參數化模型用于表示高深寬比納米結構的形貌參數與高深寬比納米結構的高度之間的函數關系，參數化模型包括多個基函數，以及每個基函數對應的基函數系數；對參...

本發明涉及一種電子束阻斷與聚焦的控制方法，包含靜電透鏡，靜電透鏡包括沿電子束路徑依次設置的上極片、電子束阻斷器和下極片，所述電子束阻斷器被配置為靜電透鏡的中間極片，所述電子束阻斷器包括左瓣電極和右瓣電極，包括以下操作模式：阻斷模式，對所...

本發明涉及光聲量測技術領域，具體提供一種光聲量測過程中光斑識別方法及光聲量測系統，通過降噪方法對光斑圖像進行降噪，再通過二維高斯擬合計算獲得初定光斑質心坐標和光斑高斯峰值灰度，依據設定的灰度閾值對光斑圖像進行分割；再通過距離閾值對光斑邊...

本申請公開了一種角度測量方法及半導體測量裝置，首先獲取目標在襯底中整體分布區域的圖像數據以及在各個目標上具備代表性和一致性的預設點，然后分別以每個預設點為中心，在圖像數據中確定固定尺寸的切片圖像，并計算相鄰切片圖像的偏移值，之后基于偏移...

本申請公開了一種自動繪制感興趣區域的方法及相關產品，可應用于半導體技術領域，該方法包括：基于預設光學模式，獲取待繪制晶粒的全晶粒圖像；基于預設灰階范圍，確定所述全晶粒圖像中的每一個像素點對應的目標灰階；根據所述目標灰階對每一個像素點進行...

本發明涉及半導體檢測技術領域，尤其涉及一種卡盤，包括：主體部，主體部具有承載面和中心通孔，承載面包括第一區域和圍繞第一區域的第二區域；位于第一區域的凸臺結構和位于第二區域的密封結構；其中，凸臺結構包括多個圓周凸臺組和多個徑向凸臺組，各圓...

本發明涉及半導體檢測技術領域，尤其涉及一種卡盤，卡盤包括：主體部，所述主體部具有承載面和沿厚度方向貫穿所述主體部的中心通孔，所述承載面包括第一區域和圍繞所述第一區域的第二區域，所述第一區域圍繞所述中心通孔；位于所述第一區域的凸臺結構和位...

本申請提供一種厚度測量裝置及厚度測量方法，厚度測量裝置包括載物平臺、第一測量機構、第二測量機構、調節機構和控制模塊；第一測量機構用于對位于載物平臺上的待測物的目標位置進行距離測量，得到目標位置與第一測量機構之間的目標距離；控制模塊用于基...

本申請公開了一種晶圓檢測設備的控制方法、晶圓檢測方法及晶圓檢測設備，屬于檢測技術領域。該方法包括：確定晶圓檢測設備的目標檢測模式，包括：將多種子檢測模式中的一種子檢測模式作為目標檢測模式，或者將由多種子檢測模式中的至少兩種子檢測模式按照...