本發明提供一種金屬連接孔及其形成方法，通過在第二介質層和第三介質層中間增加第二刻蝕停止層，也即緩沖層，在刻蝕上層金屬層溝槽時，利用第二刻蝕停止層的阻擋作用，避免上層金屬層溝槽直角處的第二介質層被等離子體過刻蝕，從而避免形成傾斜的金屬連接...

本發明提供圖像傳感器及其形成方法，通過先對掩膜層執行光刻工藝，以在掩膜層上形成開口區和阻擋區，開口區貫穿掩膜層并暴露出保護層，阻擋區的上表面和側壁累積有靜電負電荷；然后執行光阻微縮工藝，微縮調整阻擋區的特征尺寸和厚度并去除阻擋區的上表面...

本申請涉及半導體設備技術領域，公開了一種用于半導體晶圓的噴涂裝置，包括：噴涂主體座，以及設于所述噴涂主體座上的若干個噴嘴組件；所述噴嘴組件包括與所述噴涂主體座可拆卸連接的固定體、外接光阻軟管的連接頭以及噴涂光阻劑至晶圓中心處的噴頭，所述...

本技術涉及半導體光刻制造技術領域，公開了一種標簽存儲裝置，包括標簽盒、輔助輪和連接件，標簽盒內形成有供標簽紙放置的工作腔，輔助輪則套設于包裝盒的鉸接軸上并可繞該鉸接軸轉動，輔助輪通過連接件與標簽盒相連接以帶動標簽盒同步繞鉸接軸轉動。與現...

本申請涉及一種用于擴散爐的清洗設備，包括：箱體，箱體的內部設置有清洗槽，箱體上開設有取放口；門體，門體與箱體連接，且覆蓋取放口；開關門控制裝置，開關門控制裝置安裝于箱體，開關門控制裝置與門體連接，用于帶動門體運動，以暴露取放口或關閉取放...

本發明提供一種半導體溝槽形貌的檢測方法及檢測系統，所述半導體溝槽形貌的檢測方法包括：提供半導體襯底，其上具有半導體溝槽；形成第一材料層填充滿半導體溝槽；蝕刻去除半導體溝槽內預設厚度的第一材料層；形成第二材料層覆蓋半導體襯底的表面、半導體...

本申請實施例公開了一種接觸溝槽形成方法和半導體器件，該半導體器件的制造方法包括提供一待蝕刻半導體結構，待蝕刻半導體結構由下至上依次包括半導體襯底、氧化層、緩沖層、介電層和抗反射涂層；在抗反射涂層上形成具有蝕刻窗口的光刻膠層；基于蝕刻窗口...

本申請公開了一種半導體器件的清洗方法及半導體器件，所述清洗方法包括：控制第一體積的清洗劑循環流動，對晶圓進行清洗，并且每隔第一預設時間向所述清洗劑中添加第二體積的水，其中，所述第二體積V2與所述第一體積V1之間的關系為：V2＝(0.00...

本申請公開了一種MIM電容結構、制作方法及半導體器件，MIM電容結構包括：襯底；TiN電極，形成在襯底上；介電層，形成在TiN電極上；第一金屬電極，形成在介電層的部分表面，以使介電層的表面形成一暴露區；隔離層，覆蓋第一金屬電極和暴露區；...

本技術公開一種掩膜版機臺以及掩膜版轉移系統，屬于半導體技術領域。該掩膜版機臺包括：放置平臺、版盒以及檢測組件；放置平臺頂部設置放置區；版盒，設于放置區；檢測組件包括設于放置平臺且位于版盒外側的發射元件以及接收元件，發射元件的發射部與接收...

本發明公開一種溝槽刻蝕方法及溝槽型柵器件，涉及半導體的技術領域，其中溝槽刻蝕方法通過改善溝槽型柵極的工藝流程，將溝槽型柵極的形成分為至少三步成型，并在第一溝槽成型后對其進行外擴工藝處理，以使溝槽型柵極的寬度尺寸得以增大，以使在后續離子注...

本申請公開一種燃燒控制系統及燃燒設備，燃燒控制系統包括工作模塊和控制模塊；工作模塊包括反應腔體和第一燃燒腔，反應腔體的一端通過第一管道連接特殊氣體供應裝置，反應腔體的另一端通過第二管道連接第一燃燒腔，第一燃燒腔的底端通過第三管道連接燃氣...

本申請公開了一種刻蝕速率高的P型元素摻雜硅的刻蝕方法、半導體器件及其制備方法。P型元素摻雜硅的刻蝕方法包括以下步驟：提供待刻蝕結構，所述待刻蝕結構的材料包括P型元素摻雜硅；對所述待刻蝕結構進行快速熱退火后，置于刻蝕液中進行刻蝕；其中，所...

本技術涉及半導體工藝技術領域，尤其是涉及一種半導體設備維保防護裝置，其包括：防護主體，與抽速口連接，防護主體與反應腔上設置有抽速口的部位相貼合，且覆蓋于抽速口，以切斷反應腔和渦輪泵的連通；防護主體朝向抽速口的一面形成有凸出的定位部，定位...

本發明提供一種產品生產成本模擬方法、裝置、電子設備及介質，涉及數據處理技術領域。該產品生產成本模擬方法，包括：獲取預設產品組合的產品配置參數、總生產物料配置信息、預設產品組合中各目標產品的工藝流程配置信息、各目標產品對應的標識；根據產品...

本申請提供了一種圖形量測方法、裝置、電子設備及存儲介質，方法包括：根據版圖坐標系與晶圓坐標系之間的偏移量，對目標版圖進行平移處理，獲得平移后的目標版圖；從平移后的目標版圖上確定一待量測圖形；對待量測圖形進行灰度處理，得到待量測圖形對應的...

本申請公開一種輔助裝配裝置及離子注入設備，包括若干導引固定組件，所述導引固定組件包括導引桿和鎖緊機構，所述導引桿的第一端與機臺的裝配面可拆卸連接，所有的所述導引桿的主體均插設于法蘭、套管和冷卻管的內部插孔內，所述導引桿的第二端通過鎖緊機...

本申請公開一種像素單元及攝像裝置，像素單元包括四晶體管陣列、第一晶體管和存儲單元；四晶體管陣列用于產生電荷，并通過信號控制將電荷輸出至列總線或釋放；第一晶體管的第一端連接供電端，第一晶體管的第二端連接四晶體管陣列，用于增加電荷釋放路徑以...

本申請公開一種機械手軸承更換裝置，包括支架、旋轉位移組件和固定組件；支架的底端設置有第一固定機構，用于將支架固定于真空腔體內；旋轉位移組件可旋轉設置于支架上，旋轉位移組件包括用于控制旋轉位移組件旋轉位移的旋轉驅動裝置；固定組件與旋轉位移...

本申請提供了一種基于多次噴涂的光刻膠涂布方法、裝置、設備及介質，涉及半導體集成電路制造技術領域，該方法包括：控制待涂布晶圓以第一轉速旋轉，利用噴嘴向待涂布晶圓的目標區域噴涂第一預設量的光刻膠，以在待涂布晶圓上形成光刻膠圓環，目標區域為位...