本申請公開一種晶圓固定裝置及晶圓鍍膜設(shè)備，包括固定盤和吸附裝置，固定盤用于放置晶圓，吸附裝置設(shè)置于固定盤底端；固定盤的頂端邊緣外側(cè)設(shè)置有若干缺口槽，若干缺口槽在固定盤上均勻且等距分布，晶圓的邊緣設(shè)置有缺口，缺口槽的形狀與缺口的形狀相匹配...

本申請公開一種密封檢測裝置及氣相沉積設(shè)備，包括壓力檢測裝置、密封腔體和氣體控制裝置，壓力檢測裝置設(shè)置于密封腔體的內(nèi)部，氣體控制裝置設(shè)置于密封腔體的外側(cè)；氣體控制裝置包括第一管道、第二管道和設(shè)置于第一管道上的第一閥門，第一管道的第一端連接...

本申請實施例涉及金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。金屬氧化物半導(dǎo)體器件的制備方法包括：提供襯底；襯底中包括相鄰的漂移區(qū)和體區(qū)；在襯底中形成溝槽，溝槽的一部分位于漂移區(qū)，溝槽的另一部分位于體區(qū)；至少在溝槽的底部形成第一介質(zhì)層；第一介質(zhì)層包...

本發(fā)明提供一種Taiko晶圓分片方法，先采用分片機將第一晶圓盒中的第一、第二部分晶圓分別分到第二、第三晶圓盒中并自最底層卡槽開始由下至上按照卡槽編號依序放置，然后采用同一分片機進行同卡槽編號傳片，將第二、第三晶圓盒中的晶圓分別傳到第四、...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的金屬線及金屬線的制作方法，該金屬線的制作方法包括以下步驟：提供一上表層包括依次層疊的層間介質(zhì)層及金屬層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；于金屬層的上表面形成預(yù)設(shè)厚度的緩沖介質(zhì)層，并形成覆蓋緩沖介質(zhì)層上表面的介電抗反射層；形成覆蓋介...

本申請公開了一種氧化層溝槽形成方法及半導(dǎo)體器件，其中，該氧化層溝槽形成方法包括提供一待蝕刻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括由下至上依次層疊設(shè)置的半導(dǎo)體襯底、氧化層以及具有預(yù)設(shè)圖案的光刻膠層；將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于蝕刻反應(yīng)腔內(nèi)；設(shè)置蝕刻反應(yīng)腔的當(dāng)前...

本申請?zhí)峁┝艘环N減少爐管內(nèi)顆粒的方法，其中，該方法包括：在爐管的熱反應(yīng)腔體內(nèi)針對進行熱反應(yīng)工藝后的晶圓按照第一預(yù)設(shè)降溫條件對晶圓進行第一次降溫操作，以控制晶圓的溫度下降至第一預(yù)設(shè)溫度；在第一次降溫操作執(zhí)行后按照第二預(yù)設(shè)降溫條件對晶圓進行...

本發(fā)明提供一種Taiko晶圓分片方法，先在機臺控制系統(tǒng)中創(chuàng)建第一、第二虛擬子批晶圓并進行虛擬分片使虛擬子批晶圓在第一、第二虛擬晶圓盒中自最底層卡槽開始由下至上按照虛擬卡槽編號依序放置，然后基于第一、第二部分晶圓對應(yīng)的虛擬卡槽編號采用分片...

本發(fā)明涉及一種含氟氣體刻蝕殘留物的清洗方法、晶圓及其制備方法。上述清洗方法包括步驟：對含氟氣體刻蝕后的樣品依次采用第一含二氧化碳的去離子水、第一氫氟酸、第二含二氧化碳的去離子水、DSP+清洗液、第二氫氟酸以及第三含二氧化碳的去離子水進行...

本申請?zhí)峁┝艘环N用于安裝化學(xué)機械拋光頭的輔助裝置，其包括支撐件和夾持件；所述支撐件包括支撐主體和支撐部，所述支撐部包括支撐塊和支撐柱，所述支撐主體可以分別以所述支撐塊和支撐柱為支點轉(zhuǎn)動，以帶動所述夾持件上下移動；所述夾持件安裝于所述支撐...

本發(fā)明提供了一種深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的改善方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。具體的，其可先在基底上形成多個深溝槽，以通過不同區(qū)域深溝槽的數(shù)量不同，將所述基底劃分為圖形密集區(qū)和圖形稀疏區(qū)，之后在形成填充在該基底上的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的膜層結(jié)構(gòu)，即第一硬掩...

本發(fā)明提供了一種側(cè)墻制造方法、裝置、芯片及電子設(shè)備，包括：在鈍化保護層的光罩的不透光的第一層材料和透光的第二層材料中間，加入至少一層透光率低于所述第二層材料的中間材料；根據(jù)芯片功能需求，調(diào)節(jié)所述第一層材料的第一長度和所述中間材料的第二長...

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件包括：襯底，所述襯底上設(shè)有STI淺隔離結(jié)構(gòu)；所述STI淺隔離結(jié)構(gòu)上依次層疊有第一多晶硅結(jié)構(gòu)層、隔離介質(zhì)層以及第二多晶硅結(jié)構(gòu)層；所述第一多晶硅結(jié)構(gòu)層為無摻雜的多晶硅，所...

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體器件制作方法及半導(dǎo)體器件，包括步驟：將聚酰胺酸涂布于帶溝槽的晶圓表面以形成填充層，所述填充層填充晶圓上的所有所述溝槽；去除所述填充層位于所述溝槽之外的部分，使所述晶圓的上表面暴露；在所述晶圓表面涂布光阻層；在所述光阻...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的互連層的制作方法及半導(dǎo)體器件，制作方法包括：提供基底，其中，所述基底包括襯底、形成在所述襯底上的半導(dǎo)體電路層、形成在所述半導(dǎo)體電路層上方的第一絕緣層、形成在所述第一絕緣層上的第一金屬互連層，以及形成在所述第一...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底；信道區(qū)域，設(shè)置于半導(dǎo)體襯底內(nèi)，包括漂移區(qū)和包覆漂移區(qū)的高壓加速區(qū)，高壓加速區(qū)的材料為SiP；LOCUS場板，設(shè)置于漂移區(qū)內(nèi)；中壓阱區(qū)，設(shè)置于半導(dǎo)體襯底內(nèi)，中壓阱區(qū)與信道區(qū)...

本技術(shù)提供一種用于半導(dǎo)體加工設(shè)備的保護罩及半導(dǎo)體加工設(shè)備，涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體加工設(shè)備包括泵口，所述保護罩包括主體構(gòu)件和蓋構(gòu)件，所述主體構(gòu)件與所述蓋構(gòu)件連接，所述主體構(gòu)件的至少部分伸入所述泵口，所述主體構(gòu)件與所述泵口的內(nèi)側(cè)壁貼...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法及半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件的制造方法包括提供一待蝕刻半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，待蝕刻半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括由下至上依次層疊設(shè)置的半導(dǎo)體襯底、氧化層和抗反射層；在抗反射層上形成具有預(yù)設(shè)圖案的光刻膠層；以光刻膠層為掩膜，在蝕刻...

本發(fā)明提供了一種CIS芯片的形成方法，包括：提供襯底，對準(zhǔn)區(qū)的襯底內(nèi)形成有自對準(zhǔn)金屬硅化物；在對準(zhǔn)區(qū)和非對準(zhǔn)區(qū)的襯底上均形成層間介質(zhì)層，層間介質(zhì)層包括氧化物；刻蝕層間介質(zhì)層，以在層間介質(zhì)層內(nèi)形成多個通孔，多個通孔的底部均殘留氧化物；將襯...

本申請公開一種提高激光標(biāo)記區(qū)域清晰度的方法，包括以下步驟：提供晶圓，在所述晶圓的表面涂覆光刻膠；將掩膜上的圖形投影到所述晶圓表面的光刻膠上實現(xiàn)曝光；在激光標(biāo)記區(qū)域添加無掩膜圖形使得激光標(biāo)記區(qū)域全部曝光；用顯影液溶解曝光區(qū)域。本方案分是改...