本申請公開一種CAN收發器耐高壓發送電路，包括第一總線差分輸出端和第二總線差分輸出端；所述第一總線差分輸出端包括第一耐高壓模塊，所述第二總線差分輸出端包括第二耐高壓模塊和差分信號處理模塊；所述第一耐高壓模塊、所述第二耐高壓模塊和所述差分...

本發明公開了一種金屬氮化物薄膜的物理氣相沉積方法和裝置，該方法包括將基板置于反應腔室中，使氮氣和轟擊氣體的第一混合氣體形成等離子體并轟擊靶材，以在基板上形成第一厚度金屬氮化物薄膜；隨后向反應腔室僅通入轟擊氣體，使轟擊氣體形成等離子體并轟...

本發明公開了一種防止鈍化層蝕刻產生電弧擊穿的方法及晶圓制備方法，其中防止鈍化層刻蝕產生電弧擊穿的方法包括：提供一襯底，在襯底上方依次形成第一層金屬層、頂層金屬層、光阻層、鈍化層膜層和等離子體；第一層金屬層和頂層金屬層之間通過連接孔連接；...

本申請涉及無線射頻技術領域，公開了一種基于RFID的防護面罩，包括面具本體以及配置在面具本體上且用于吸附或過濾化學有害物質的濾毒盒；面具本體上對稱設有盒體連接腔，盒體連接腔容置濾毒盒，面具本體設有用于標記濾毒盒首次使用日期的工作區，工作...

本申請實施例提供了一種半導體器件的溝槽隔離制備方法以及半導體器件，該方法包括：提供襯底，襯底上形成有第一隔離層；對第一隔離層進行第一刻蝕處理，形成開口；在襯底上沉積聚合物層，聚合物層覆蓋于第一光刻膠層、以及開口的側壁和底部；在襯底上對應...

本申請提供了一種氮化硅清洗方法及半導體器件，涉及半導體制備技術領域，解決了相關技術中對氮化硅層的刻蝕難度增大且在刻蝕過程中階梯高度難以控制的問題，本方案能夠通過兩次清洗并控制每次清洗的時長，從而在清洗半導體器件的氮化硅層的同時，還能夠控...

本申請提供一種半導體器件及其阻擋部偏移量的檢測方法，半導體器件包括襯底、P型阱、隔離結構、第一多晶硅、第二多晶硅、阻擋部以及測試部；P型阱設置于襯底中；隔離結構設置于P型阱中；第一多晶硅和第二多晶硅間隔設置于隔離結構上；阻擋部設置于第一...

本申請提供一種注釋信息校驗方法、電子設備及存儲介質，涉及數據處理技術領域。該方法包括：獲取注釋數據集，注釋數據集包括至少一條注釋信息，注釋信息包括至少一個注釋內容，各注釋信息根據預設注釋規則注釋生成；根據預設注釋規則中指示的預設分隔符對...

本申請提供一種半導體器件及其N型阱偏移量的檢測方法，P型阱、第一N型阱、第二N型阱以及隔離結構均設置于襯底中；第一N型阱和第二N型阱分別位于P型阱的兩側且均與P型阱間隔設置；隔離結構的兩側分別與第一N型阱和第二N型阱接觸設置，隔離結構的...

本申請提供了一種電容失效位置確定方法及裝置，其中，該方法包括：確定待測電容的目標側面和目標連接點，目標側面指的是待測電容的電容結構的映射面，目標連接點指的是待測電容的預設電極所對應的外部連接點；確定目標側面對應的待測側面以及目標連接點對...

本申請實施例提供了一種銅互連結構制備方法、裝置、設備以及存儲介質，該方法包括：獲取輸入的待處理產品片中阻擋層的銅互連結構的目標接觸電阻，將目標接觸電阻輸入至預先構建的曲線擬合模型得到目標蝕刻沉積比；在設置的參數對照表中查詢確定對應目標蝕...

本申請提供了一種圖形關鍵尺寸量測方法、裝置、電子設備及存儲介質，涉及電力電子半導體制造技術領域，包括：在切割道上形成每個曝光場對應的當層量測標識，當層量測標識由前層量測標識按照預設比例縮放確定，當層量測標識包括分別形成于曝光場四個頂角位...

本申請提供了一種分析磁場裝置及離子注入設備，該分析磁場裝置包括設置在分析磁場線圈內的石墨板結構，該石墨板結構包括至少一個石墨板，至少一個石墨板的朝向所述離子束注入方向的一側設置為鋸齒狀。將朝向離子束注入方向的一側設置為鋸齒狀，相對于表面...

本申請提供了一種輸出接口電路、輸出接口電路板及輸出接口設備，涉及集成電路技術領域，解決了相關技術的接口電路設計帶來的ESD防護效果差的問題，本方案的輸出接口電路能夠完成正常的邏輯傳輸功能，在實現正負耐高壓的同時，滿足了接口的ESD防護需...

本申請涉及一種固定治具及半導體設備。該固定治具，用于將熱電偶固定于反應腔室的內壁。固定治具包括彼此連接的本體和連接件，連接件用于可拆卸安裝至反應腔室的內壁；其中，固定治具與反應腔室的內壁之間能夠限定出安裝空間，安裝空間用于安裝熱電偶。本...

本申請提供一種半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，所述方法包括：提供襯底，并在所述襯底上依次形成有隔離層和第一埋入層；將所述第一埋入層轉換為第二埋入層；在所述第二埋入層上依次形成外延層和器件層，所述外延層相對的兩側露出于所述器件...

本發明提供一種半導體器件的制造方法，通過先采用化學氣相沉積工藝在襯底上形成第一硅化物阻擋層；然后，將具有第一硅化物阻擋層的襯底旋轉預定角度；接著，采用化學氣相沉積工藝形成第二硅化物阻擋層，第二硅化物阻擋層覆蓋第一硅化物阻擋層，通過將具有...

本申請提供了一種晶圓溫度監控裝置，該溫度監控裝置包括靜電卡盤和溫度監控模塊，靜電卡盤包括一承載晶圓的承載面，溫度監控模塊設置在承載面的下方。其中，靜電卡盤上設有偵測孔，偵測孔內設有透明蓋板，通過將溫度監控模塊的溫度探測端頭設置于偵測孔內...

本申請實施例涉及一種半導體結構的制備方法及半導體結構。半導體結構的制備方法包括：提供襯底；在刻蝕反應腔內對襯底執行第一刻蝕工藝，以形成深度小于溝槽預設深度的第一溝槽段；將襯底移出刻蝕反應腔后，對刻蝕反應腔執行第一清潔工藝；將襯底移入刻蝕...

本申請提供了一種光刻對準方法、裝置、電子設備及存儲介質，涉及電路電子半導體集成制造技術領域，包括：使用曝光設備將光罩上的圖形在晶圓的當層進行曝光，以在切割道上形成每個曝光場對應的當層拼接標識，當層拼接標識由前層拼接標識按照第一預設比例縮...