本申請涉及一種半導體結構及其制備方法，包括：提供初始半導體結構；所述初始半導體結構包括襯底以及位于所述襯底上的柵極結構，其中，所述襯底包括漂移區，所述柵極結構覆蓋部分所述漂移區；于所述襯底內形成溝道區，所述溝道區包括第一離子注入區和第二...

本申請實施例公開了一種針對于鋼結構焊接防火星濺射的高度可調節安全裝置，該針對于鋼結構焊接防火星濺射的高度可調節安全裝置包括防火布和連接組件，其中防火布上設置有至少4個固定通孔，固定通孔內設置有鍍鋅扣環；連接組件包括安全掛鉤、安全繩和環鉤...

本申請涉及一種溝槽結構的制備方法及溝槽結構，通過提供襯底，襯底上包括至少一個溝槽和位于襯底頂面的介質層，于溝槽的表面形成第一氧化層，在目標溫度下，于第一氧化層和介質層上形成目標氧化層，其中，溝槽頂部側壁的目標氧化層的厚度大于溝槽底部的目...

本申請涉及一種半導體器件測試方法、裝置、設備、存儲介質，屬于半導體器件制造領域。方法包括：根據包括多個測試項目的測試流程進行測試；判斷當前測試項目的測試特性是否為破壞性的測試，在當前測試項目需要加載的電壓高于第一電壓，和/或，當前測試項...

本申請公開了一種器件壽命測試方法、裝置、設備及存儲介質，涉及半導體制造技術領域。該方法包括：按周期進行循環操作，每個周期內對待測試的EEPROM器件進行預設循環次數的擦除和寫入的循環操作，在每周期的循環操作結束后確定EEPROM器件的控...

本發明提供一種半導體結構及其制作方法，包括以下步驟：提供一半導體襯底，于半導體襯底上表層形成間隔設置的第一摻雜區及第二摻雜區；形成覆蓋半導體襯底上表面的層間介質層并于層間介質層中形成底面顯露出第一摻雜區的第一接觸孔及底面顯露出第二摻雜區...

本技術涉及一種石英清洗裝置。石英清洗裝置包括托籃、水槽及支架，托籃用于承載石英；水槽能夠與托籃相對移動，以使托籃容設于水槽的內腔；支架包括勾掛件、連桿和兩個吊臂，勾掛件連接于連桿，且用于連接托籃，兩個吊臂沿連桿的延伸方向滑動連接于連桿，...

本申請涉及半導體生產技術領域，尤其是涉及一種液體檢測輔助裝置及半導體生產線，用于半導體生產線的液體檢測，半導體生產線包括測試設備和廢氣排放部；液體檢測輔助裝置包括檢測柜體，檢測柜體內設置有用于檢測液體的密閉容腔；檢測柜體包括均與密閉容腔...

本申請涉及一種貼膜返工裝置，包括殼體和吸氣組件，吸氣組件包括設于殼體的一端的空心管以及設于殼體內的活塞，活塞和殼體界定出一體積可變的儲氣腔，空心管的內腔連通于儲氣腔，活塞配置為能夠響應于外部作用力而沿空心管的中心軸線的延伸方向往復移動，...

本發明公開一種晶圓量測數據的處理方法、處理設備及存儲介質，其方法包括獲取量測晶圓的量測數據信息；根據量測晶圓的量測數據信息確定量測晶圓的量測朝向方向；對量測朝向方向為第一方向的量測晶圓，根據量測晶圓的量測數據信息和標準晶圓圖，確認是否需...

本發明公開一種垂直型功率器件及其制造方法，功率器件包括自下而上依次連接的漏極電極、溝道區和源極電極，所述溝道區的旁側設置有場板氧化層，所述場板氧化層呈自下而上橫向厚度漸縮的階梯狀，所述場板氧化層背向所述溝道區的一側設有多晶體，所述多晶體...

本技術公開了一種吸盤式安全帶掛點裝置，包括吸盤組件和頂桿組件，所述吸盤組件包括支架、吸盤本體及掛環，所述吸盤本體和掛環固定于所述支架上；所述頂桿組件包括底座，固定于底座上的套筒，設置于所述套筒上的且高度可調的套桿，固定于套桿端部的頂架，...

本申請公開了一種改善晶圓翹曲方法、分立器件制備方法以及分立器件，涉及半導體制造技術領域。該方法包括：在晶圓的正面上沉積層間介質層后，將層間介質層的表面磨平；在層間介質層上沉積氮化硅材料以形成保護層；通過爐管工藝在保護層的表面和晶圓的背面...

本申請提供了一種EEPROM器件，涉及半導體技術領域，解決了器件容易出現GIDL效應使得GIDL電流加劇而影響對EEPROM器件進行的寫操作的問題，本方案的EEPROM器件通過對選通管的控制，以對相應的存儲單元中的存儲管進行寫操作或擦除...

本申請涉及一種檢測工具，包括：框架主體，框架主體的一側設有沿第一方向的第一安裝槽和沿第二方向的第二安裝槽，第一方向和第二方向不平行；框架主體的另一側設有滾輪安裝空間；第一水平儀，沿第一方向安裝在第一安裝槽內；第二水平儀，沿第二方向安裝在...

本申請實施例涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法，包括：提供襯底，襯底包括第一導電類型的第一漂移區和第二導電類型的體區；形成第一柵極結構和第一阻擋結構，其中，第一柵極結構形成在部分體區和部分第一漂移區的上方，體區還包括未被第...

本公開涉及一種半導體結構及其制造方法。該半導體結構的制造方法包括：提供襯底，襯底具有有源區；于有源區上方形成柵極；形成覆蓋部分柵極及部分襯底的場板介質層；形成至少覆蓋場板介質層的接觸孔刻蝕停止層；接觸孔刻蝕停止層包括張應力氮化硅層；形成...

本發明公開一種用于LDMOS的接觸結構及其制備方法，方法包括在平坦化后的晶圓上進行光刻工藝以定義出接觸結構的形成位置；基于接觸結構的形成位置依次進行第一刻蝕和第二刻蝕，形成帶有硅溝槽的接觸結構，其中所述硅溝槽為在硅襯底上經過第二刻蝕形成...

本公開涉及一種半導體設備加液防呆方法及其裝置、設備、可讀存儲介質。該半導體設備加液防呆方法包括：獲取原液桶至第一檢測工位，識別原液桶上的原液標簽并監測原液桶內的原液重量；獲取待加液的目標工作液桶至第二檢測工位，識別目標工作液桶上的工作液...

本申請涉及一種真空吸嘴，包括：吸氣管體，吸氣管體的第一端被配置為伸入產品包裝吸氣；吸氣管體的內部具有供氣流通過的通道，通道的內壁包括第一內壁和第二內壁，第二內壁位于第一內壁的對側；若干支撐片，連接在第一內壁和第二內壁之間，若干支撐片從吸...