本申請提供了一種抗反射層的厚度確定方法，其中，該方法包括：獲取待曝光晶圓對應的目標區域圖形的圖形文件；獲取至少一個預設窗口圖形和所述目標區域圖形分別對應的預設抗反射層厚度；將所述圖形文件和所述預設抗反射層厚度輸入至光學臨近修正模型來執行...

本申請公開了一種氮化硅波導制備方法、硅光芯片及電子設備。本申請在制備氮化硅波導時，首先在SOI襯底的頂層硅層上沉積形成氧化硅層后，在氧化硅層上沉積形成多晶硅層，并通過ICP機臺對多晶硅層進行圖案化蝕刻，形成多個交錯分布的多晶硅條狀區域以...

本申請公開了一種柵極氧化層生長方法、半導體器件制備方法和半導體器件，涉及半導體制備技術領域。該方法包括：在高壓阱區對應的第一柵極氧化層上形成浮柵層；在浮柵層上形成ONO結構膜層；刻蝕襯底的低壓阱區上的第一柵極氧化層以及形成ONO結構膜層...

本發明公開一種光刻膠模型優化及構建方法和光刻模型構建方法，光刻膠模型優化方法包括光刻膠閾值模型在完成迭代優化后，將迭代優化后得到的第一模型參數數據中的成像光強曲率的系數降低以得到第二模型參數數據，再次對第二模型參數數據進行迭代優化。與傳...

本申請提供了一種局部隔離氧化層器件結構的制備方法及裝置，涉及半導體制造技術領域，包括：根據磷酸連續刻蝕工作量與預設工作量閾值比較，確定對氮氧化硅層進行刻蝕的目標刻蝕試劑，根據目標刻蝕試劑、氧化硅層厚度、氮化硅層厚度、氮氧化硅層厚度、墊氧...

本技術公開一種水過濾器外殼的拆裝工具，涉及拆裝工具的技術領域，該拆裝工具包括支撐環，支撐環內形成有沿軸向貫通設置的拆裝孔，支撐環可通過拆裝孔套設在水過濾器外殼的外周，繞支撐環上間隔設置多個夾持部件，至少部分夾持部件的投影位于拆裝孔內，并...

本發明提供一種半導體結構及其制備方法，半導體結構包括：襯底，襯底的頂部具有離子摻雜區，離子摻雜區包括完全相同的第一檢測區域和第二檢測區域；第一電阻檢測結構，包括：第一阻擋結構，第一檢測區域被第一阻擋結構完全覆蓋；第一電極，用于獲取第一檢...

本申請提供了一種半導體金屬互連結構的制備方法、裝置及電子設備，涉及半導體制造技術領域，包括：對預設半導體器件進行光刻處理后，形成金屬互連基體，其中，金屬互連基體的表面形成一溝槽；先后在金屬互連基體的表面沉積金屬鎢和金屬鋁，得到目標半導體...

本申請提供了一種加工數據的處理方法，其中，該方法包括：間隔預設更新周期在晶圓加工工藝所對應的多個數據源中抽取多個預設數據表，多個預設數據表用于描述基于晶圓加工工藝進行預先配置的加工數據；響應于針對目標查詢數據的查詢操作，在所述多個預設數...

本申請涉及法拉第杯技術領域，尤其是涉及一種法拉第杯及離子注入機，法拉第杯包括安置部、石墨部和卡接部，安置部用于安置石墨部，卡接部的至少部分與安置部之間形成用于卡設石墨部的卡接間隙，卡接部與安置部兩者活動連接，以增大或者縮小卡接間隙的尺寸...

本發明涉及一種半導體器件及制備方法，涉及半導體技術領域，該半導體器件及制備方法中，在襯底上設置了具有第一凹槽的介質層，然后在第一凹槽中形成了柵極，在垂直于襯底的方向上，柵極的高度大于第一凹槽的高度，然后再在柵極的側壁形成導電結構。由于導...

本申請公開了一種半導體器件及其制備方法，涉及半導體加工技術領域，本申請的半導體器件的制備方法，包括提供晶圓，晶圓包括有效區域和邊緣區域；在晶圓上依次形成第一介質層和第一金屬布線層，第一金屬布線層與晶片連接；在第一金屬布線層上依次形成第二...

本發明公開一種探針卡、多結構功率器件芯片的測試方法、自動化同步測試系統及存儲介質，其探針卡設置有能夠同時連接至功率器件芯片上的多種結構的探針，且探針卡上還設置有與各結構對應的探針布局，各探針布局均包括有與相應結構對應的電路回路；其測試方...

本申請涉及一種半導體器件及其制備方法，包括：半導體材料層；第一溝槽，位于半導體材料層中，第一溝槽的側壁和底壁由圓弧角連接，側壁所在平面與底壁所在平面的夾角為鈍角；漏極區，位于第一溝槽外周半導體材料層中，其深度小于第一溝槽深度；阱區，位于...

本申請實施例提供了一種半導體器件的制造方法以及半導體器件，該方法包括：提供襯底，在襯底上形成有基于大馬士革工藝制備的含銅金屬結構，其中，含銅金屬結構已完成采用化學機械拋光工藝的研磨處理；使用第一等離子體對研磨處理后的含銅金屬結構的表面進...

本申請提供了一種陣列電容的失效位置確定方法，包括：僅對陣列上極板上位于第一方向的每排上極板區塊進行依次連接，并對位于第一方向的每排上極板區塊的第一目標端提供第一電平以及對下極板提供第二電平；檢測位于第一方向的每排上極板區塊與下極板之間的...

本申請提供了一種快速熱處理機臺的溫度確定方法，包括：獲取通過在硅襯底上生成氮化硅層而得到的初始檢測襯底；確定用于描述快速熱處理機臺的機臺溫度與氮化硅層的蝕刻速率之間的關系表達式；將初始檢測襯底運送至顯示溫度為預設機臺溫度的待測快速熱處理...

本技術公開一種用于物理氣相沉積設備的治具，包括治具本體，治具本體上設有第一開口、第一承載面和第二承載面，或者治具本體上設有第一開口、承載板和第二承載面，第一承載面或承載板上設有用于抵靠反應腔室的腔體的升降部件。需要更換物理氣相沉積設備的...

本申請提供了一種器件結構的制作和有效刻蝕方法及裝置，涉及半導體制造工藝技術領域，包括：分別確定氫氟酸試劑對氧化硅層及氧化隔離結構的第一刻蝕速率以及其對氮氧化硅層的第二刻蝕速率、磷酸試劑對氮氧化硅層的第三刻蝕速率、對氮化硅層的第四刻蝕速率...

本申請提供一種反應腔預處理方法及半導體設備，涉及半導體技術領域，解決了相關技術中晶圓刻蝕過程中硅槽深度不均勻的問題，本方案通過對反應腔的預處理，提升介電窗溫度的同時還可以清潔反應腔，使得反應腔的介電窗溫度達到目標溫度，從而為晶圓上的硅刻...