本申請涉及一種緩解負電容效應的保護電路及其控制方法、電子設備，涉及集成電路技術領域，電路包括：第一場效應管被配置為：第一端用于連接直流電源，第二端用于輸出第一電信號；抑制電路被配置為：輸入端連接第一場效應管的第二端，第一輸出端接地，第二...

本發明公開了一種量測結果的圖形化輸出方法及系統，包括：基于預設的第一量測參數獲取所述掃描圖像的第一量測結果；根據所述掃描圖像的灰度值分布截面圖及所述第一量測參數提取所述掃描圖像對應的第一灰度極值點和第二灰度極值點，以計算所述掃描圖像對應...

本申請涉及一種電容結構及其制備方法、半導體結構，電容結構的制備方法包括：提供基底，基底包括襯底以及于襯底上依次形成的第一電極層、第一介質層、第二電極層和抗反射層；刻蝕抗反射層、第二電極層和部分第一介質層，形成電容溝槽；對抗反射層的暴露表...

本發明涉及一種半導體結構及其制備方法，半導體結構包括襯底及位于襯底上的源極結構，柵極結構，保護結構，放電結構以及切割道；柵極結構環繞源極結構；柵極結構朝向源極結構的一側具有凸起部分；保護結構環繞柵極結構；放電結構環繞保護結構；放電結構包...

本申請實施例提供了一種半導體測試結構、晶圓以及金屬短路測試方法，該半導體測試結構包括：梳齒結構單元、兩個U型結構單元組、第一測試焊墊、第二測試焊墊、第三測試焊墊以及第四測試焊墊，兩個NMOS管組；梳齒結構單元包括主干金屬線以及分別設置于...

本申請提供了一種晶圓級標記的曝光方法及裝置，其中，方法包括：獲取晶圓級標記所在的目標曝光名義尺寸，所述目標曝光名義尺寸包括部分有效區域和晶圓級標記；按照所述部分有效區域的大小，確定所述晶圓級標記對應的擴充區域，所述擴充區域與所述部分有效...

本申請提供了一種金屬互連器件的阻擋層制備方法，方法包括：獲取初始半導體襯底，所述初始半導體襯底包括位于金屬互連器件的器件層上的介質層中的第一溝道；按照第一沉積條件在所述初始半導體襯底上沉積出第一阻擋層，所述第一阻擋層覆蓋所述初始半導體襯...

本發明公開一種擋片及其制備方法、刻蝕終點的確認方法和循環使用方法，其中，擋片包括襯底；設置在襯底上的、用于避免鋁刻蝕反應腔刻蝕到襯底的阻擋層；和設置在阻擋層上的鋁金屬層。由于本發明擋片的鋁金屬層在鋁刻蝕反應腔進行刻蝕的過程中能夠生成有效...

本申請實施例涉及一種半導體器件、制備方法及封裝方法、半導體封裝結構，包括：提供襯底，襯底上形成有頂層金屬層；形成導電凸塊材料層，導電凸塊材料層覆蓋頂層金屬層，導電凸塊材料層與頂層金屬層導電連接；刻蝕導電凸塊材料層，以形成導電凸塊；形成鈍...

本申請涉及一種半導體制造設施用吸塵器，包括：吸氣裝置和可變吸嘴。吸氣裝置用于產生吸力，可變吸嘴與吸氣裝置連接；可變吸嘴包括主體部分和進氣管，進氣管連接在主體部分的進氣端，進氣管能夠在外力作用下發生變形以改變管口大小。本申請所提供的半導體...

本申請涉及一種軸承結構拆卸工具，包括：支撐結構，用于支撐在待拆卸的軸承結構的周圍；連接盤，用于與軸承結構連接或分離；驅動機構，驅動機構包括固定部分和活動部分，固定部分固定連接支撐結構，活動部分分別連接固定部分和連接盤，活動部分能夠相對固...

本申請公開了一種隔離結構形成方法、半導體器件制備方法以及半導體器件，涉及半導體制備技術領域。該方法包括：在晶圓的正面刻蝕中等深度隔離溝道；通過爐管工藝在中等深度隔離溝道中沉積多晶硅以及在晶圓的背面形成多晶硅膜層；清除晶圓的背面的多晶硅膜...

本發明公開一種嵌入式閃存高壓器件及其制備方法，其中，嵌入式閃存高壓器件為HVNMOS器件，且其柵極為P型柵。由此，得到的嵌入式閃存HVNMOS器件的閾值電壓大約為?0.9V；而常規的、柵極為N型柵的嵌入式閃存HVNMOS器件的閾值電壓大...

本申請公開了一種光刻機對準方法，涉及半導體制造技術領域。該方法包括：提供一包含對準標識和輔助標識的晶圓，對準標識和輔助標識設置在晶圓的切割道內，多個輔助標識均勻分布在對準標識的兩側或四周；其中，對準標識為包含點狀圖形單元的粗對準標識時，...

本技術公開一種用于物理氣相沉積設備的治具，包括呈非封閉狀的主體，主體上設有至少一個緊固組件和至少一個升降組件。需要更換物理氣相沉積設備的加熱器時，將主體的非封閉狀的部位對準腔體的滑軌，然后橫向插接治具使腔體的滑軌容置在主體的非封閉狀的部...

本申請提供一種CrSi薄膜電阻制備方法及CrSi薄膜電阻，涉及半導體技術領域，解決了相關技術中制備CrSi薄膜電阻的制備過程復雜的問題，本申請的CrSi薄膜電阻通過采用干法刻蝕的工藝進行刻蝕，可以很好地控制薄膜電阻的形貌，且在結構上本方...

本申請實施例涉及一種半導體器件及其制備方法。半導體器件包括：半導體材料層；阱區和漂移區，位于半導體材料層中，且彼此相鄰；源極區和漏極區，分別位于阱區和漂移區中；至少一個隔離溝槽，位于漂移區中，且位于源極區和漏極區之間；至少一個場氧層，位...

本申請涉及一種半導體結構及其制備方法。該半導體結構的制備方法包括：提供襯底；于襯底內形成溝槽；襯底的上表面及溝槽的底面均為第一晶面，溝槽的側壁為第二晶面；獲取不同生長溫度條件下第一晶面與第二晶面氧化層的生長比值；基于第二晶面所需形成氧化...

本申請實施例涉及一種垂直擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法。垂直擴散金屬氧化物半導體器件包括：半導體材料層；埋層和漂移區，位于半導體材料層中，且漂移區位于埋層上；場板溝槽，位于半導體材料層中，且沿半導體材料層的厚度方向，場板溝槽在半導...

本申請提供了一種深溝槽隔離結構的制備方法及半導體器件，其中，制備方法包括：獲取目標襯底，所述目標襯底包括深溝槽結構；對所述目標襯底依次通過爐管工藝和化學氣相沉積工藝來生成第一隔離結構之后，將所述目標襯底移動至刻蝕腔；按照預設沉積條件在所...