本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體晶圓的表面處理方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：確定生成兩層氧化硅薄膜的第一工藝要求及第二工藝要求，第一工藝要求包括第一厚度及第一去除速率，第二工藝要求包括第二厚度及第二去除速率；在待...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制備方法。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體材料層；半導(dǎo)體材料層包括第一導(dǎo)電類型的漂移區(qū)；溝槽，位于漂移區(qū)中；至少兩個(gè)場(chǎng)板，間隔排布于溝槽內(nèi)；場(chǎng)板中的至少一個(gè)場(chǎng)板靠近溝槽的第一側(cè)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N離子注入機(jī)臺(tái)工藝匹配方法，包括：采用舊離子注入機(jī)臺(tái)以及新離子注入機(jī)臺(tái)分別對(duì)第一組晶圓及第二組晶圓以預(yù)設(shè)工藝參數(shù)進(jìn)行離子注入，并獲取相應(yīng)組晶圓的電性測(cè)試閾值；根據(jù)進(jìn)行離子注入的第一組晶圓時(shí)的真空度值，確定其能量污染產(chǎn)生的污染...

本發(fā)明提供一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，通過(guò)先在硬掩膜層上形成隔離層，隔離層覆蓋硬掩膜層；然后，在隔離層上形成光刻膠層，并執(zhí)行曝光工藝和顯影工藝，以形成圖形化的光刻膠層，圖形化的光刻膠層暴露出部分隔離層；接著，以圖形化的光刻膠層為掩膜，...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種套刻標(biāo)記及其制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。套刻標(biāo)記包括：前層套刻標(biāo)記，位于第一半導(dǎo)體材料層的表層；當(dāng)層套刻標(biāo)記，位于第二半導(dǎo)體材料層的表層，第二半導(dǎo)體材料層為外延層；其中，前層套刻標(biāo)記呈凸起圖案，第二半導(dǎo)體材料層中覆蓋前層套...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種晶圓傳送方法、裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，其中，方法應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備包括伯努利手臂，伯努利手臂包括多個(gè)功能區(qū)，方法包括：獲取晶圓對(duì)應(yīng)于多個(gè)功能區(qū)的多個(gè)位置處的翹曲情況；根據(jù)翹曲情況確定受力補(bǔ)償方案...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件芯片及其制作方法，該半導(dǎo)體器件芯片的制作方法包括以下步驟：提供一待制作半導(dǎo)體器件的正面電極結(jié)構(gòu)的晶圓，并測(cè)量晶圓的正面的翹曲度；形成覆蓋晶圓的背面的粘附層，并基于晶圓的翹曲度值于粘附層遠(yuǎn)離晶圓的一面形成預(yù)設(shè)厚度的...

本申請(qǐng)涉及一種導(dǎo)軌組件及移動(dòng)裝置，導(dǎo)軌組件包括導(dǎo)軌、滑塊、至少一個(gè)第一滾珠和至少四個(gè)第二滾珠，滑塊設(shè)置于導(dǎo)軌一側(cè)且與導(dǎo)軌滑動(dòng)連接，滑塊靠近導(dǎo)軌的一側(cè)設(shè)置有容納槽；第一滾珠設(shè)置于容納槽內(nèi)且與導(dǎo)軌抵接；四個(gè)第二滾珠均勻且間隔設(shè)置于第一滾珠與...

本申請(qǐng)涉及一種氣體管路逆止閥，所述氣體管路逆止閥包括閥體和閥片，閥體具有進(jìn)氣口和出氣口，閥體內(nèi)部設(shè)有分別連通于進(jìn)氣口和出氣口的容納腔，閥片設(shè)于容納腔內(nèi)，閥片的外周壁與容納腔的內(nèi)周壁相適配，且沿進(jìn)氣口指向出氣口的方向，閥片滑動(dòng)地連接于容納...

本技術(shù)提供一種用于機(jī)臺(tái)清潔的無(wú)塵布夾具，該無(wú)塵布夾具包括柱形手柄，柱形手柄的前端通過(guò)彎折板固定連接有第一夾板，彎折板處通過(guò)轉(zhuǎn)軸連接有第二夾板，第一夾板與第二夾板接觸形成夾緊面用于夾持無(wú)塵布對(duì)機(jī)臺(tái)平面部件進(jìn)行清潔；在柱形手柄的尾端設(shè)有一周...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供襯底；在襯底的頂表面上依次形成第一掩膜材料層、第二掩膜材料層和圖案化的光刻膠層；其中，第一掩膜材料層至少包括第一硬掩膜，第二掩膜材料層至少包括第二硬掩膜...

本發(fā)明提供一種刻蝕設(shè)備的檢測(cè)方法及晶圓的刻蝕方法，通過(guò)在所述刻蝕設(shè)備進(jìn)行漏率測(cè)試和底壓測(cè)試之后，增加暖機(jī)、刻蝕速率測(cè)試和顆粒物含量測(cè)試并判斷所述刻蝕速率和顆粒物含量是否符合預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)；若所述刻蝕速率和顆粒物含量符合預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，則恢復(fù)刻蝕工藝...

本技術(shù)公開(kāi)一種萬(wàn)向輪及移動(dòng)裝置，涉及移動(dòng)裝置的技術(shù)領(lǐng)域，其中，該萬(wàn)向輪包括輪架以及輪體，輪架設(shè)置有與其繞第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸線轉(zhuǎn)動(dòng)連接的安裝構(gòu)件，安裝構(gòu)件被配置為能夠與移動(dòng)裝置安裝配合，輪體則與輪架繞第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸線轉(zhuǎn)動(dòng)連接，輪體設(shè)置有多個(gè)環(huán)繞第二轉(zhuǎn)...

本技術(shù)提供一種預(yù)防副產(chǎn)物堵塞管路的裝置及副產(chǎn)物處理系統(tǒng)，所述預(yù)防副產(chǎn)物堵塞管路的裝置包括：第一連接裝置、第二連接裝置、溫度控制器、加熱帶及N條固定片，N為大于等于2的自然數(shù)；各固定件的一端通過(guò)所述第一連接裝置連接在一起，各固定片的另一端...

本發(fā)明提供一種硅光器件的制造方法，采用等離子體刻蝕工藝刻蝕第二基底，以在稀疏區(qū)的第二基底中形成至少兩個(gè)第一光波導(dǎo)，相鄰的兩個(gè)第一光波導(dǎo)之間具有第一凹槽，并在密集區(qū)的第二基底中形成至少兩個(gè)第二光波導(dǎo)，相鄰的兩個(gè)第二光波導(dǎo)之間具有第二凹槽，...

本技術(shù)實(shí)施例提供一種測(cè)漏裝置，該測(cè)漏裝置包括充氣口、氣壓計(jì)、泄壓閥以及保壓艙，所述充氣口設(shè)置在連接氣管的一端，所述連接氣管的另一端連接所述保壓艙，所述氣壓計(jì)設(shè)置在所述連接氣管的中段，用于檢測(cè)所述保壓艙內(nèi)的氣壓值，所述泄壓閥設(shè)置在所述連接...

本技術(shù)公開(kāi)一種電磁制動(dòng)萬(wàn)向輪及移動(dòng)裝置，涉及移動(dòng)裝置的技術(shù)領(lǐng)域，其中，該電磁制動(dòng)萬(wàn)向輪包括輪架以及輪體，輪體與輪架繞第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸線轉(zhuǎn)動(dòng)連接，輪體設(shè)置有多個(gè)環(huán)繞第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸線間隔設(shè)置的第一磁性件，對(duì)應(yīng)的，輪架設(shè)置有多個(gè)環(huán)繞第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸線間隔設(shè)置...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶圓的切割道結(jié)構(gòu)，切割道結(jié)構(gòu)包括切割部以及密封環(huán)，密封環(huán)設(shè)置于切割部與芯片之間，切割部具有間隔設(shè)置的第一切割槽和第二切割槽，且第一切割槽與第二切割槽靠近密封環(huán)設(shè)置，位于第一切割槽與第二切割槽之間的切割部用于切割晶圓，以改善...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NNLDMOS器件的檢測(cè)結(jié)構(gòu)及其制備方法，NLDMOS器件的檢測(cè)結(jié)構(gòu)包括襯底、P型體區(qū)以及測(cè)試結(jié)構(gòu)，襯底具有N型漂移區(qū)；P型體區(qū)設(shè)置于N型漂移區(qū)中；測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第一測(cè)試部、第二測(cè)試部以及耐壓部，第一測(cè)試部設(shè)置于N型漂移區(qū)中，...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其多晶硅部偏移量的檢測(cè)方法，半導(dǎo)體器件包括襯底、P型阱、多晶硅部以及測(cè)試部，P型阱設(shè)置于襯底中；第一N+區(qū)和第二N+區(qū)間隔設(shè)置于P型阱中；多晶硅部設(shè)置于P型阱上；自多晶硅部朝向P型阱的方向上，多晶硅部的兩側(cè)分別...