本申請提供了一種半導體器件生成方法、裝置、電子設備及存儲介質，涉及半導體器件設計及制造技術領域，該方法包括：在襯底上生成具有第一摻雜濃度的第一外延層；在第一外延層上生成具有第二摻雜濃度的第二外延層，第一摻雜濃度大于第二摻雜濃度；在第一外...

本發明提供一種硅基鍺光電探測器及制作方法，在硅襯底中形成V型槽，沉積鍺外延層時，位錯可以沿著V型槽斜面向外滑移，使位錯遠離有源光吸收區，能夠降低光電探測器的暗電流，提升光電探測器性能；并且，對V型槽的尖端底部圓弧化，能夠防止尖端底部對高...

本申請提供一種時段劃分方法、系統、電子設備、存儲介質及計算機程序產品，該方法用于對晶圓廠暫停生產時段的劃分，方法包括：獲取晶圓加工事件數據流，并基于批次標識符關聯同一批次的事件序列，生成暫停生產時段；建立二維優先級規則，基于二維優先級規...

本申請提供了一種LDMOS器件生成方法及LDMOS器件，該方法包括：在襯底的預設位置處生成淺溝道隔離結構；在襯底上生成埋層及復合摻雜區，在復合摻雜區上生成P型摻雜區和包裹淺溝道隔離結構的N型漂移區；在N型漂移區生成N型重摻雜區，在N型重...

本申請提供了一種鍺外延工藝的監控方法及鍺外延晶圓，方法包括：提供一硅襯底；在所述硅襯底上形成需求阻擋膜層；按照預設圖案，刻蝕出貫穿所述需求阻擋膜層并侵入所述硅襯底的凹槽；所述預設圖案為正方形；在所述凹槽內生長鍺外延層；通過配備有光學顯微...

本申請提供了一種雙極性晶體管及其制造方法，其中，雙極性晶體管包括發射區、基區、集電區、第一目標溝槽、第二目標溝槽、發射極、基極和集電極，其中，發射區、基區和集電區依次呈縱向排列，基區位于集電區之上，發射區位于基區之上，第一目標溝槽的側壁...

本發明涉及半導體器件制造技術領域，特別是涉及一種半導體金屬場板制造方法及半導體金屬場板，該方法在所述襯底，所述柵極和所述金屬硅化物阻擋層表面形成孔刻蝕保護層，在對所述層間介質層進行連接孔刻蝕時，只需要刻蝕至孔刻蝕保護層，不會破壞其余場板...

本申請提供了一種帶電可擦可編程只讀存儲器及其制備方法，方法包括：獲取第一半導體襯底，第一半導體包括已覆蓋介電層的懸浮柵；通過將目標光罩放置在第一半導體襯底之上來執行光刻操作，得到第二半導體襯底，第二半導體襯底包括通過光刻操作在懸浮柵上方...

本申請公開了控制晶圓變形的方法和半導體器件，通過對制程的調整優化，在晶圓的第一表面形成實現功能的半導體結構的過程中，出現晶圓的邊緣向第一表面翹曲的應力形變時，在晶圓的第二表面形成的多個第一應力塊以及包覆整個第二表面的第一應力層。第一應力...

本發明涉及半導體高壓器件技術領域，特別是涉及一種混合式高壓LDMOS器件及其制備方法；本發明所述混合式高壓LDMOS器件在N型漂移區內部設置淺槽隔離區的同時，在P型漂移區和所述N型漂移區表面設置厚氧化層，混合了淺槽隔離層和場板表面的厚氧...

本申請公開了一種測試晶圓制備方法、測試晶圓及測試晶圓使用方法，涉及半導體制造技術領域。該測試晶圓制備方法包括：基于測試晶圓待生長的氮化硅膜層的預設生長次數以及預設總厚度，確定測試晶圓每次生長的氮化硅膜層的生長厚度；基于預設生長次數以及生...

本申請提供了一種服務器硬盤狀態監控方法、裝置、設備及存儲介質，涉及服務器運維技術領域，解決了相關技術中難以高效實現對服務器的硬盤狀態進行檢測的問題，本申請能夠自動對列表文件中的全部服務器進行自動查找每塊硬盤并獲取硬盤狀態，實現了簡便且快...

本申請提供了一種通孔生成方法、裝置、電子設備及存儲介質，涉及半導體制造技術領域，該方法包括：從預設厚度比范圍中選取表征通孔深度與刻蝕阻擋層之間厚度比例關系的目標厚度比，基于通孔深度及目標厚度比確定刻蝕阻擋層厚度；基于每一層薄膜對應的層厚...

本申請實施例提供了一種N型深埋層的制造方法以及半導體器件，該方法包括：提供襯底，在襯底上涂覆光阻層，對光阻層進行曝光，并對曝光后的光阻層進行顯影得到目標襯底區域，對目標襯底區域進行包含氬元素的第一離子注入處理，對完成第一離子注入處理后的...

本申請公開了一種CrSi薄膜電阻制備方法及CrSi薄膜電阻，涉及半導體制造技術領域。該CrSi薄膜電阻制備方法包括：提供一襯底，在襯底上沉積第一介質層；在第一介質層上沉積金屬化合物層，將金屬化合物層刻蝕為多個連接焊盤；在第一介質層和連接...

本申請涉及集成電路技術領域，特別是涉及一種半導體結構及其制備方法。半導體結構的制備方法包括：提供襯底；于襯底上形成第一介質層，第一介質層內具有第一導電通孔；于第一導電通孔內形成第一導電層，第一介質層以及第一導電層具有第一翹曲類型，且第一...

本申請提供了一種OPC修正方法、半導體設備及半導體產品，涉及半導體制造技術領域，解決了相關技術中通孔圓整程度低而在顯影刻蝕后容易出現短路的問題，本申請方案通過對通孔版圖設計的修正，從而調整對應通孔的目標圖形，提升了成像對比度，從而提升成...

本申請提供了一種OPC模型過擬合檢測方法、裝置、設備及存儲介質，涉及集成電路技術領域，解決了相關技術中難以準確判斷OPC模型是否過擬合的問題，本方案能夠基于采樣點的光強計算，從而快捷簡便地確定OPC模型是否過擬合，以便于及時調整模型，進...

本申請提供了一種隔離器件版圖設計方法、裝置、電子設備及存儲介質，該方法包括：在前端設計階段，響應于針對當前隔離器件的隔離環類型選取指令，從多個候選隔離環類型中選取當前隔離器件的目標隔離環類型；基于目標隔離環類型獲取器件仿真網表，利用器件...

本申請實施例涉及一種金屬氧化物半導體器件的制備方法，金屬氧化物半導體器件的制備方法包括：提供半導體材料層；在半導體材料層上形成疊層結構，疊層結構具有暴露部分半導體材料層的開口；疊層結構包括依次層疊的介質層、多晶硅層、隔離層、抗反射層和第...