本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，包括：提供襯底和外延層，外延層位于襯底上；形成漂移區(qū)和第一摻雜區(qū)位于外延層中，且第一摻雜區(qū)位于漂移區(qū)的底部，第一摻雜區(qū)和漂移區(qū)的摻雜類(lèi)型相反；形成溝道區(qū)和第二摻雜區(qū)位于外延層中，且第二摻雜區(qū)位于溝...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N清潔裝置，清潔裝置用于清潔曲折管路，清潔裝置包括支桿、通氣管、氣囊和軟軸，軟軸與支桿連接，氣囊與支桿密封連接且包覆于支桿的外部，氣囊設(shè)置有進(jìn)氣口，通氣管與進(jìn)氣口連接，通氣管用于將氣體傳輸至氣囊內(nèi)，以使氣囊鼓脹，軟軸用于來(lái)回...

本技術(shù)提供了一種晶圓承載盤(pán)的清潔工具，包括：主桿；清潔結(jié)構(gòu)，其包括殼體、壓筒、支撐桿和清潔布，支撐桿與殼體連接，支撐桿穿設(shè)殼體并與壓筒連接，壓筒的一部分位于殼體外，清潔布的兩側(cè)固定在殼體的側(cè)壁，且壓筒位于殼體的腔室之外的部分與清潔布?jí)嘿N...

本技術(shù)提供一種遠(yuǎn)程等離子體設(shè)備的輔助安裝工具，由第一支架單元與第二支架單元組合而成，設(shè)置行走輪及升降組件，既方便移動(dòng)升降遠(yuǎn)程等離子體設(shè)備，節(jié)約人力，減少底部密封圈損耗，降低生產(chǎn)成本；還通過(guò)拆分兩支架單元進(jìn)行輔助安裝工具的移除，無(wú)需移動(dòng)遠(yuǎn)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的斜溝槽的制備方法，包括：S11提供半導(dǎo)體工件；S12在半導(dǎo)體工件上形成光阻層；S13對(duì)S12的產(chǎn)品進(jìn)行第一次蝕刻處理形成延伸入硅襯底的凹槽；S14通入第一六氟化硫和第一八氟環(huán)丁烷，第一八氟環(huán)丁烷發(fā)生反應(yīng)，在凹槽...

本技術(shù)提供一種晶圓溫度監(jiān)控裝置，該晶圓溫度監(jiān)控裝置包括：晶圓溫度監(jiān)控模塊以及光纖探測(cè)器，其中，晶圓溫度監(jiān)控模塊包括靜電卡盤(pán)以及設(shè)置于所述靜電卡盤(pán)上的多個(gè)光纖偵測(cè)孔與多個(gè)支撐桿運(yùn)動(dòng)孔，所述靜電卡盤(pán)上吸附有晶圓，所述光纖偵測(cè)孔以及所述支撐桿...

本申請(qǐng)涉及一種傳感器夾持工具，夾持工具包括：握持件；夾取件，連接于握持件，夾取件被配置為自握持件延伸設(shè)置；夾取件包括第一夾取臂和第二夾取臂；第一夾取臂自握持件沿第一方向延伸，第二夾取臂自握持件沿第二方向延伸，第一方向和第二方向之間的夾角...

本發(fā)明公開(kāi)了一種嵌入式閃存工藝的DEMOS結(jié)構(gòu)及其制備方法，包結(jié)構(gòu)括：介質(zhì)隔離層；設(shè)置于介質(zhì)隔離層上方的邏輯柵；設(shè)置于介質(zhì)隔離層下方的浮柵；將介質(zhì)隔離層、邏輯柵和浮柵的一側(cè)進(jìn)行包裹并延伸的硅化物；設(shè)置于延伸部分硅化物上方的接觸孔；其中，...

本發(fā)明提供了一種改善晶圓蝕刻工藝缺陷的方法及半導(dǎo)體器件的制造方法，該改善晶圓蝕刻工藝缺陷的方法包括提供一涂覆有光阻的晶圓；使用BOE刻蝕液對(duì)晶圓表面未被光阻覆蓋的部分進(jìn)行刻蝕；依次使用SPM溶液、水和第一SC1清洗劑對(duì)晶圓進(jìn)行第一清洗；...

本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅刻蝕的方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：獲取待刻蝕的多晶硅的類(lèi)別，并確定所述多晶硅的類(lèi)別對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)關(guān)系曲線(xiàn)，從而得到所述多晶硅中不同位置下的刻蝕速率；根據(jù)所述多晶硅中不同位置下的刻蝕速率，計(jì)算得到所述多晶硅在預(yù)...

本公開(kāi)提供了一種耐壓深溝槽隔離方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)針對(duì)待隔離芯片進(jìn)行深溝槽蝕刻、襯氧化層生成以及深溝槽填充處理，在所述待隔離芯片的半導(dǎo)體襯底中生成隔離溝槽；在所述隔離溝槽對(duì)應(yīng)的槽口位置處進(jìn)行淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)蝕刻，生成有源區(qū)...

本技術(shù)提供一種腔體清潔裝置，包括清潔組件、連接裝置和手柄；所述清潔組件包括清潔基體和清潔件，所述清潔基體用于清潔傳送腔體，所述清潔件用于包裹清潔基體，防止所述清潔基體刮傷所述傳送腔體，所述清潔基體開(kāi)設(shè)有內(nèi)部水路，所述內(nèi)部水路用于向所述清...

本申請(qǐng)公開(kāi)一種濕法刻蝕方法，其中濕法刻蝕方法包括如下步驟：在晶圓表面執(zhí)行至少一輪光刻顯影、濕法刻蝕工藝；繼續(xù)在所述晶圓表面執(zhí)行光刻顯影、濕法刻蝕工藝，并在至少一次工藝處理之前采用具有導(dǎo)電功能的清洗溶液清洗所述晶圓。本申請(qǐng)可以采用清洗溶液...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種淺槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，該淺槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法包括提供一半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上具有至少一個(gè)溝槽；將半導(dǎo)體襯底置于高密度等離子化學(xué)氣相沉積腔室中；對(duì)腔室通入具有預(yù)設(shè)流量的反應(yīng)氣體，并施加第一預(yù)設(shè)功率，以在半導(dǎo)體襯...

本申請(qǐng)公開(kāi)一種光源提供裝置，包括支撐架、光源供給量控制組件和緩沖支撐組件，所述光源供給量控制組件包括頂板和光源移動(dòng)擋板，所述頂板固定于所述支撐架的頂端，且所述頂板的中心設(shè)置有通光孔；所述光源移動(dòng)擋板的一端通過(guò)移動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置固定于所述支撐架...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體及其制備方法，半導(dǎo)體的制備方法包括：提供一襯底，襯底上形成有目標(biāo)柵極；在襯底上形成生長(zhǎng)氧化層，生長(zhǎng)氧化層連接目標(biāo)柵極；基于生長(zhǎng)氧化層，在襯底上形成TEOS薄膜層，TEOS薄膜層覆蓋生長(zhǎng)氧化層以及...

本發(fā)明提供一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及其制作方法，該制作方法包括步驟：提供一晶圓，依次形成氧化層及阻擋層于晶圓上，阻擋層位于氧化層遠(yuǎn)離晶圓的一面，采用PECVD法形成阻擋層，形成光刻膠層于阻擋層上并圖形化光刻膠層以形成多個(gè)間隔排列的第一刻蝕窗口...

本發(fā)明提供了一種多晶硅片的清洗方法及半導(dǎo)體器件的回收方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該多晶硅片的清洗方法包括在硅片襯底表面生長(zhǎng)一層氧化層；在氧化層的表面生長(zhǎng)一層摻雜的多晶硅層；將生長(zhǎng)一層摻雜的多晶硅層之后的硅片于惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行快速熱退火處...

本申請(qǐng)涉及一種版圖修正方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該版圖修正方法包括：獲取至少一次光學(xué)鄰近效應(yīng)修正后得到的第一版圖和與第一版圖對(duì)應(yīng)的第一模擬光阻形貌；確定第一模擬光阻形貌中的若干個(gè)熱點(diǎn)形貌；一個(gè)熱點(diǎn)形貌包括至少一處滿(mǎn)足預(yù)設(shè)異常條件的形貌...

本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环NCUP螺絲固定工具，包括包括限位套件、至少一第一延伸部和至少一第二延伸部；限位套件用于圍繞CUP的調(diào)高螺絲，第一延伸部延伸并容置于調(diào)高螺絲的凹槽內(nèi)，通過(guò)第二延伸部可以對(duì)限位套件進(jìn)行限位，通過(guò)限位套件和第一延伸部對(duì)CUP的...