本申請公開了一種半導體器件、制造方法及裝置。該制造方法包括濕法刻蝕工藝，所述濕法刻蝕工藝包括以下步驟：在待刻蝕晶圓放入刻蝕槽內進行濕法刻蝕前，對待刻蝕晶圓的放置角度進行調整，使得待刻蝕晶圓的notch槽的開口朝向平行于刻蝕槽內的溶液表面...

本發明提供一種改善離子注入監控穩定性的方法，通過對控片晶圓進行第一次離子注入，且使該第一次離子注入的摻雜濃度波動在

本發明提供一種二氧化硅濕法刻蝕方法，包括：提供一基底，基底上形成有二氧化硅層，二氧化硅層劃分為刻蝕區域和非刻蝕區域；于二氧化硅層上形成光刻膠層并圖形化，圖形化的光刻膠層顯露刻蝕區域，其中，刻蝕區域的表面帶負電荷；采用離子注入法于刻蝕區域...

本實用新型提供了一種半導體設備，包括反應腔室、冷卻氣源、氣動控制閥及電磁控制器。所述冷卻氣源通過管道連通所述反應腔室，用于為所述反應腔室提供冷卻氣體冷卻晶圓，所述氣動控制閥位于所述管道上，用于控制所述管道的通斷，所述電磁控制器連接所述氣...

在本申請實施例提供的用于圖像傳感器的開蓋裝置中，用于圖像傳感器的開蓋裝置包括底座、支撐部以及夾片；支撐部包括第一支撐部和第二支撐部，第一支撐部和第二支撐部之間設有空隙；夾片包括第一夾片和第二夾片，第一夾片和第二夾片分別位于第一支撐部和第...

本實用新型實施例提供一種熱板排風裝置，該熱板排風裝置包括設置在排氣管上的電動馬達、調節齒輪、調節軸以及遮板，熱板中央設置排風孔，遮板覆蓋在排風孔上，以對排風孔進行遮擋，調節齒輪與調節軸嚙合，調節軸與遮板固定，電動馬達通過調節齒輪帶動調節...

本實用新型提供一種加熱器輔助拆裝治具，包括手柄、連接桿、支撐架及L型提拉結構，所述連接桿一端與所述手柄相連接，另一端與所述支撐架相連接，所述L型提拉結構為2個以上；2個以上L型提拉結構與所述支撐架背離所述連接桿的一端可拆卸連接，并在支撐...

本申請涉及半導體設備技術領域，公開了一種基于RFID的槽罐加藥系統，包括設于所述化學品儲罐上的控制柜門以及用于向所述化學品儲罐加藥的槽罐車連接口；所述控制柜門內設有與所述化學品儲罐一體連接的罐充口，所述槽罐車連接口與所述罐充口相匹配；所...

本申請提出了一種靜電吸附盤清洗工具，包括：底盤、刮件、從動軸、支架、旋擰手環、旋擰柱以及主動軸。底盤夾持靜電吸附盤的側面以固定靜電吸附盤；刮件設置于底盤頂壁的開口內，刮件的直徑等于開口的直徑；從動軸與刮件連接；支架的支撐柱的一端連接底盤...

本發明提供一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法，漂移區上形成有介質層，介質層包括第一介質層和位于第一介質層中的第二介質層，第一介質層位于溝道區和漏區之間的漂移區上，第二介質層自第一介質層表面延伸至第一介質層中，且第一介質層與第二...

本發明提供一種浮柵測試器件及其制作方法，該器件包括襯底、柵極、第一摻雜區及第二摻雜區，其中，柵極位于襯底上方，包括從下往上依次層疊的第一柵介質層、第一柵多晶硅、第二柵介質層及第二柵多晶硅，第一柵多晶硅與第二柵多晶硅電連接且均包括第一導電...

本申請提供了一種芯片內部結構的失效位置確定方法，通過將一個芯片上沿著第一預設方向排列的多個待檢測結構一起挖取下來，得到晶圓區塊，對晶圓區塊的各個待減薄子區進行第一次減薄，每個待減薄子區包含一個待檢測結構，并且第一次減薄沒有貫穿晶圓區塊的...

本申請提供了一種芯片內部結構檢測方法，通過對多個待觀察結構的晶圓區塊進行分次切割，每次切割在空閑的格柵立柱上保留一個待觀察結構對應的待觀察結構子區，并對待觀察結構子區進行減薄，得到待觀察結構對應的透射電子顯微鏡樣品，從而使得每個格柵立柱...

本發明提供一種半導體器件及其制造方法，通過在漂移區上形成多個漂移區插塞，每個漂移區插塞的底部延伸至場氧化層中，且相鄰的兩個漂移區插塞錯位排布，可以在漂移區的三維方向即長度方向、寬度方向和厚度方向上引入多個電場峰值，從而可以對漂移區的表面...

本申請提出了一種半導體膜層的厚度控制方法、半導體器件及其制造方法。該方法包括：采用第一刻蝕液對經過CMP制程的半導體器件進行第一刻蝕制程，以使半導體器件正面和背面的氮化硅層的厚度差位于預設閾值內；采用第二刻蝕液對經過第一刻蝕制程的半導體...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種多層場板結構的LDMOS器件及其制備方法，包括：在襯底上沉積外延層；在襯底上形成STI隔離溝槽；在STI隔離溝槽上沉積第一種隔離材料層，得到初始STI隔離結構，且第一種隔離材料層覆蓋外延層；回刻，和/...

本申請實施例公開了光刻機焦距偏移監測方法、裝置、電子設備和存儲介質。采集多個光刻樣本晶圓的圖案的樣本側墻角度，光刻樣本晶圓的圖案由待測光刻機在不同樣本光刻焦距下，按第一光刻過程工藝進行光刻得到；根據樣本光刻焦距和樣本側墻角度，擬合得到焦距

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種雙T結構的LDMOS器件制備方法，包括：提供一襯底，且在所述襯底上沉積外延層；在所述外延層上形成用于作為場板的厚介質層，以及形成靠近所述厚介質層的柵氧層；在所述厚介質層上形成T型場板區，以及在所述柵氧...

本申請實施例提供的氣泡水平儀中，包括三角形框架以及位于三角形框架框架一側的支撐座，且支撐座均位于框架的頂點；三角形框架的每條邊中心位置開設有氣泡腔體，氣泡腔體內設有水平識別氣泡。其中，當采用本申請實施例的氣泡水平儀對轉移部件進行水平測試...

本實用新型提供了一種爐管輔助安裝治具，該爐管輔助安裝治具包括用于輔助將一爐管安裝或者拆卸至立式擴散爐的預設位置處，其特征在于，包括：底座；移動部；彈性件；測量組件，包括測量部，連接至所述底座或移動部，所述測量部沿所述移動部的運動方向設置...