本申請提供一種清潔石，包括晶圓清潔塊，用于清理光刻機的晶圓載物臺，晶圓清潔塊具有側面以及與側面兩端連接的頂面和底面，側面設置有防滑部，以使清潔石清潔時不滑落，從而降低晶圓載物臺出現損壞的風險。低晶圓載物臺出現損壞的風險。低晶圓載物臺出現...

本申請實施例提供了一種晶圓的洗邊結果檢測方法、裝置、設備以及存儲介質，該方法包括：獲取設置的量測參數信息；然后，根據總量信息、位置信息以及量測比例，從待量測結構中確定目標量測結構；接著，基于量測控制參數，測量得到每個目標量測結構對應的第...

本申請公開了一種外延機臺溫度校正方法，該外延機臺溫度校正方法包括提供若干晶圓，并在若干晶圓上形成外延層；從若干晶圓中選取部分晶圓作為第一監控晶圓，并對每個第一監控晶圓依次進行第一離子注入和熱退火處理，每個第一監控晶圓的熱退火溫度不同；根...

本發明提供一種線寬測量方法，先從多個測試圖形中選取部分包含光學臨近效應的測試圖形作為量測點圖形，并獲取量測點圖形的位置信息；通過量測點圖形的位置信息建立自動測量程序以獲取量測點圖形對應的晶圓數據，晶圓數據包括量測點圖形對應在晶圓上的實際...

本申請公開了一種電容測試結構、制備方法、測試方法及應用，涉及半導體制造技術領域。該電容測試結構包括有源區襯底、柵氧化層、金屬接觸層和下極板電極；有源區襯底包括兩側的摻雜區和中間的襯底區，有源區襯底為電容的下極板；柵氧化層為覆蓋在襯底區和...

本發明提供一種半導體器件制備方法，包括步驟：制備得到半導體結構，所述半導體結構包括半導體材料的基底及位于基底內，且顯露于基底表面的有源區，以及位于基底上表面或基底內的柵極；于有源區表面和柵極表面涂布金屬前驅物以形成金屬前驅物材料層；進行...

本發明提供一種半導體器件的制作方法，包括：提供一半導體基底，于半導體基底上形成氧化硅層，氧化硅層劃分為柵氧區域和非柵氧區域；于氧化硅層上形成光刻膠層并圖形化，圖形化的光刻膠層顯露非柵氧區域；采用化學干法刻蝕法刻蝕非柵氧區域，其中，化學干...

本申請實施例提供的主軸清洗裝置中，包括清洗部以及控制部，清洗部環繞主軸設置，控制部與清洗部電連接，控制部用于控制清洗部對主軸進行清洗。其中，需要說明的是，當主軸在日常作業中，需要清洗時，可以通過控制部控制清洗部對主軸進行清洗。另外，其一...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種復合場板結構的LDMOS器件制備方法，包括：提供一襯底，且在所述襯底上沉積外延層；在所述襯底上形成STI隔離結構，且將所述襯底劃分出若干個有源區；回刻所述STI隔離結構，形成復合場板結構的STI基底；...

本申請涉及半導體設備技術領域，公開了一種用于FAB內施工區域的施工警示裝置，應用于FAB內施工區域的高架底板，包括：第一警示面板、第二警示面板以及用于固定所述第一警示面板與所述第二警示面板的固定件，所述第一警示面板的頂端與所述第二警示面...

本申請公開了一種半導體器件的制造方法及半導體器件，該半導體器件的制造方法包括：提供一基底，并在基底內形成有源區和淺槽隔離結構，淺槽隔離結構圍繞有源區設置，有源區包括源區和漏區，有源區的寬度為0.6um~1.5um；在基底上形成柵氧層；在...

本實用新型提供一種降噪安全頭帽，所述降噪安全頭帽包括頭盔、連接件及降噪耳罩；所述頭盔包括頭盔殼體及外沿帽檐；所述連接件包括左側連接件及右側連接件，所述降噪耳罩包括左側耳罩及右側耳罩；所述左側連接件的一端固定在所述外沿帽檐的左側上表面，另...

本實用新型提供一種降噪安全頭帽，所述降噪安全頭帽包括頭盔、連接件及降噪耳罩；所述頭盔包括頭盔殼體及外沿帽檐；所述連接件包括左側連接件及右側連接件，所述降噪耳罩包括左側耳罩及右側耳罩；所述左側連接件的一端固定在所述外沿帽檐的左側上表面，另...

本實用新型提供了一種吸塵器的吸嘴套筒和吸塵器。吸嘴套筒包括筒體、固定桿、連接桿、扇葉和毛刷；筒體為中空結構，筒體的一端用于連接吸塵器的吸氣口，另一端向遠離吸氣口的方向延伸；固定桿安裝在筒體的內部；連接桿的一端與固定桿連接，另一端用于安裝...

本申請公開了一種耐超高壓的半導體器件的制作方法及半導體器件，制作方法包括：提供襯底，在襯底的頂面制作間隔設置的第一電極和第一互連金屬層，其中，襯底內形成有與第一互連金屬層連接的器件層；在襯底的頂面制作介質層，介質層將第一電極和第一互連金...

本發明提供了一種離子束束流實時監測方法及裝置，該方法包括：在離子束束流的通路上設置一帶位置傳感器的可沿軸心反復轉動的非導磁性圓環，所述非導磁性圓環上設置有磁場強度傳感器；基于所述位置傳感器獲取磁感應強度采樣路徑并通過所述磁場強度傳感器獲...

本申請公開了一種側墻形成方法及半導體器件，該側墻形成方法包括提供一基底，基底包括半導體襯底和形成于半導體襯底上的功能層；將基底放置于電感耦合等離子體反應腔中進行沉積工藝，形成覆蓋半導體襯底和功能層上的沉積層；在電感耦合等離子體反應腔中對...

本申請提供一種石英環保護裝置，包括第一支撐柱、第二支撐柱、第三支撐柱以及用聚四氟乙烯制成的隔板，第一支撐柱、第二支撐柱以及第三支撐柱間隔設置，隔板設置于第一支撐柱、第二支撐柱以及第三支撐柱圍設的區域內，且隔板與第一支撐柱、第二支撐柱以及...

本實用新型實施例提供一種晶圓取片工具，該晶圓取片工具包括取片盤、支撐盤、連接桿以及鎖定機構，取片盤和支撐盤之間通過連接桿進行連接，連接桿用于使取片盤和支撐盤保持平行，鎖定機構的兩端分別于取片盤和支撐盤的延伸部固定，鎖定機構用于調整并固定...

本申請實施例提供的用于測試電阻溫度系數的裝置中，包括基板、控溫臺、樣品夾以及測試電路；其中，基板、控溫臺以及樣品夾依次層疊設置，測試電路位于控溫臺內以及樣品夾內。其一，采用上述設置，樣品夾可以起到很好的固定作用，能把將待測試樣品穩定地固...