本公開涉及一種改善靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的制備方法及其結(jié)構(gòu)，提供襯底，襯底內(nèi)包括間隔陣列排布的有源區(qū)及用于限定有源區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)，于有源區(qū)內(nèi)形成第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)，以及位于第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間襯底頂面的柵極結(jié)構(gòu)，形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)的外表面及...

本發(fā)明提供了一種電阻阻值計(jì)算方法。所述電阻阻值計(jì)算方法包括：基于方塊電阻值基礎(chǔ)值和方塊電阻值修正值計(jì)算方塊電阻值，其中，所述方塊電阻值修正值基于所述電阻的長(zhǎng)度方向偏差值和所述電阻的寬度方向偏差值計(jì)算；以及，所述方塊電阻值結(jié)合所述電阻的長(zhǎng)...

本發(fā)明提供一種深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，在半導(dǎo)體襯底中形成初溝槽之后，繼續(xù)以圖形化的光刻膠層為掩膜，通過第二等離子體刻蝕工藝對(duì)初溝槽進(jìn)行刻蝕，以去除初溝槽側(cè)壁上的多個(gè)第一尖角并增大初溝槽與半導(dǎo)體襯底之間的角度而形成深溝槽，并通過第三等離...

本發(fā)明提供了一種多晶硅薄膜的形成方法及LPCVD工藝中污染物的去除方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。由于在本發(fā)明實(shí)施例所提供的形成方法和去除方法中，其在爐管的反應(yīng)區(qū)內(nèi)每執(zhí)行一次多晶硅薄膜的LPCVD工藝后，均再執(zhí)行一次熱氧化工藝，以通過將應(yīng)力...

本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器故障測(cè)試方法，包括：向每個(gè)地址寫入反棋盤格數(shù)據(jù)；進(jìn)行延時(shí)操作；從高地址向低地址依次進(jìn)行讀反棋盤格數(shù)據(jù)、讀反棋盤格數(shù)據(jù)、寫反棋盤格數(shù)據(jù)、讀反棋盤格數(shù)據(jù)、寫棋盤格數(shù)據(jù)、讀棋盤格數(shù)據(jù)、寫棋盤格數(shù)據(jù)和讀棋盤格數(shù)據(jù)的操作；從...

本實(shí)用新型提供了一種安裝工具，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。具體的，在本實(shí)用新型提供了一種安裝工具中，其是針對(duì)現(xiàn)有的需要安裝在刻蝕機(jī)臺(tái)反應(yīng)腔的內(nèi)壁上的密封圈，為其設(shè)計(jì)了一款利用螺旋力矩可分解部分應(yīng)力的作用原理的輔助安裝工具的輔助安裝工具。由于在...

本實(shí)用新型提供了一種拆卸輔助工具，其基于嵌入固定氣體均勻過濾裝置蓋板斜面的螺絲，設(shè)計(jì)了一款適用于輔助拆卸固定在刻蝕機(jī)臺(tái)反應(yīng)腔腔體內(nèi)的氣體均勻過濾裝置中的拆卸輔助工具，利用拆卸輔助工具將螺絲吸取出，通過目測(cè)螺絲所在孔洞位置，將拆卸輔助工具...

本實(shí)用新型提供了一種石英蓋板的安裝輔助工具，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該安裝輔助工具包括底板和支撐框架，支撐框架包括：吊環(huán)、若干個(gè)吊桿和若干個(gè)吊爪，其中，吊環(huán)的側(cè)壁開設(shè)有若干個(gè)通孔，每一通孔內(nèi)設(shè)置有第一樞轉(zhuǎn)部；若干個(gè)吊桿沿吊環(huán)的側(cè)壁均勻周向...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NMOS器件及其制備方法，MOS器件包括襯底、柵介質(zhì)層、柵電極、隔離層、側(cè)墻層、阻擋部以及第一金屬硅化物，襯底具有漂移區(qū)以及位于漂移區(qū)兩側(cè)的源漏極區(qū)；柵介質(zhì)層設(shè)置于襯底上，且位于漂移區(qū)；柵電極設(shè)置于柵介質(zhì)層上；隔離層設(shè)置于柵...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，通過以預(yù)設(shè)傾斜角度對(duì)存儲(chǔ)器件區(qū)的第一漏端注入?yún)^(qū)以及對(duì)高壓器件區(qū)的第二源端注入?yún)^(qū)和第二漏端注入?yún)^(qū)進(jìn)行輕摻雜離子注入，可以使注入第一漏端注入?yún)^(qū)的部分離子被圖形化的光刻膠層遮擋而使得第一漏端注入?yún)^(qū)上形成陰影...

本發(fā)明提供一種化學(xué)電鍍銅方法，所述化學(xué)電鍍銅方法包括：提供一中間結(jié)構(gòu)，所述中間結(jié)構(gòu)包括溝槽及過孔；在第一電鍍準(zhǔn)備階段，提供一高速旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速，使所述中間結(jié)構(gòu)高速旋轉(zhuǎn)；在第二電鍍準(zhǔn)備階段，降低所述中間結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)速，使所述中間結(jié)構(gòu)以低速旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速入...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)組的投片量控制方法和裝置。該方案可以根據(jù)歷史生產(chǎn)信息計(jì)算機(jī)臺(tái)組的歷史每日過片量，獲取生產(chǎn)計(jì)劃信息中的計(jì)劃時(shí)間段、晶圓數(shù)量以及晶圓經(jīng)過機(jī)臺(tái)組的次數(shù)，根據(jù)計(jì)劃時(shí)間段、晶圓數(shù)量以及晶圓經(jīng)過機(jī)臺(tái)組的次數(shù)計(jì)算機(jī)臺(tái)組...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述方法包括：提供多個(gè)基片，每個(gè)所述基片包括襯底和在所述襯底上從下至上依次堆疊的第一柵極氧化層和浮柵層，所述襯底內(nèi)形成有高壓阱區(qū)和低壓阱區(qū)，所述第一柵極氧化層和所述浮柵層形成于所述高壓阱區(qū)的所述襯底...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件制備方法，包括：提供一襯底，在襯底上形成有淺溝槽；在淺溝槽上生長(zhǎng)第一氧化薄膜；去除第一氧化薄膜后，在淺溝槽上形成第二氧化薄膜；基于第二氧化薄膜，對(duì)淺溝槽進(jìn)行高溫氮?dú)馔?..

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體頂層金屬的OPC修補(bǔ)方法，包括：在襯底上形成頂層金屬圖案，頂層金屬圖案包括具有直角彎的第一金屬線，以及在第一金屬線的直角彎內(nèi)角方向的設(shè)定范圍區(qū)域內(nèi)，與第一金屬線平行或垂直的第二金屬線；以第一金屬...

本發(fā)明提供一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制造方法，柵極形成于溝道區(qū)上，場(chǎng)板形成于漂移區(qū)上，場(chǎng)氧化層形成于柵極與場(chǎng)板之間并延伸至場(chǎng)板與漂移區(qū)之間以使場(chǎng)板與柵極相互隔離；即場(chǎng)板與柵極之間通過場(chǎng)氧化層進(jìn)行間隔，也就是說，場(chǎng)板與柵極之間的...

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其測(cè)試結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。具體的，本發(fā)明提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)其通過提出利用類似于脊柱疊層形狀的設(shè)計(jì)的方式，在第N頂層金屬線層的下面依次形成由層間介質(zhì)層所隔離的多個(gè)不同的金屬線層，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)省后端可靠性測(cè)試結(jié)...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供一個(gè)襯底，且在所述襯底上刻蝕出若干個(gè)初溝槽，所述初溝槽以第一深度探入至所述襯底；在所述初溝槽上沉積多晶半導(dǎo)體材料，和/或非晶半導(dǎo)體材料的中間轉(zhuǎn)換層，所述中間轉(zhuǎn)換層覆...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種拆裝治具。上述拆裝治具中，拆裝治具至少包括插入件和承接件，承接件設(shè)于插入件沿縱長(zhǎng)方向的一端，插入件能夠沿縱長(zhǎng)方向伸入加熱件與基座之間的間隙內(nèi)，在插入件的帶動(dòng)下，承接件可以移動(dòng)至拆裝位置...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體工藝方法，包括步驟：S1：提供具有多個(gè)工藝棧點(diǎn)的化學(xué)氣相沉積腔室；S2：于固定的裝載位置將部分晶圓一一對(duì)應(yīng)放置于工藝棧點(diǎn)上；S3：對(duì)化學(xué)氣相沉積腔室進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以將未放置有晶圓的工藝棧點(diǎn)移動(dòng)到裝載位置；S4：將余下的晶...