本發明提供一種柵極結構及制作方法，該方法包括：提供一基底，于基底上形成柵極；于基底上形成第一側墻層，第一側墻層還覆蓋柵極的上表面與側壁；于基底上形成第二側墻層，第二側墻層共形覆蓋第一側墻層表面；采用電感耦合等離子體法刻蝕第二側墻層以去除...

本申請涉及半導體制備技術領域，本申請實施例提供了一種安裝治具。上述安裝治具中，安裝治具用于安裝摩爾環和保持器組件，安裝治具至少包括治具本體，治具本體上設有通孔及定位槽，定位槽與摩爾環的凸部相對應，通過在定位槽內設置臺階部，以形成用于對保...

本申請提供一種安全保護系統及安全鞋。該安全保護系統包括：設置在叉車中的控制電路和閱讀器，設置在安全鞋中的電子標簽、電源模塊和發射天線；控制電路用于控制叉車移動，閱讀器與控制電路連接，以及與發射天線無線連接；電子標簽與電源模塊連接，以及與...

本實用新型提供了一種夾持工具及拆卸輔助工具，應用于半導體技術領域。具體的，在本實用新型提供了一種夾持工具中，其是針對現有的固定在刻蝕機臺上的鐘擺閥馬達，為其設計了一款只需一位操作人員就可快速穩定的拆除鐘擺閥馬達的輔助工具。由于在本實用新...

本實用新型提供了一種針對現有的固定在刻蝕機臺上的擋板，為其設計了一款操作人員在確保所述擋板不被損壞的情況下，可快速穩定的拆除擋板的輔助工具，應用于半導體技術領域。由于在本實用新型中，可以將拆卸輔助工具的螺桿的末端在上，手柄在下的方式，放...

本發明涉及一種半導體結構及其制備方法。半導體結構包括：襯底；柵極結構位于襯底上；柵極結構包括：柵極、絕緣隔離側墻及導電側墻；柵極包括柵介質層和柵極導電層；柵介質層位于襯底的上表面；柵極導電層位于柵介質層的上表面；絕緣隔離側墻位于柵極相對...

本申請提供一種半導體器件，包括襯底、光反射層以及外延層，光反射層設置于襯底上；外延層設置于光反射層遠離襯底的一側，外延層遠離襯底的一面具有P型摻雜部、第一P型部和浮置擴散部，P型摻雜部與第一P型部接觸設置，P型摻雜部與光反射層接觸，第一...

本發明提供一種高壓器件形成方法及嵌入式閃存器件形成方法，通過在邏輯柵和浮柵中摻雜第一導電類型的離子，使邏輯柵和浮柵中摻雜的離子與浮柵中原有的離子的導電類型相同，如此一來，無需對浮柵進行反型離子的注入，由此可以節省一層掩膜，簡化了工藝，并...

本申請提供一種晶圓驗收測試結構及檢測方法，用于檢測晶圓上的導線電阻，包括第一待測試導線、第二待測試導線、第一焊盤、第二焊盤、第三焊盤、第四焊盤以及第五焊盤，第一待測試導線與第二待測試導線的線寬不同，第一待測試導線與第二待測試導線沿第一方...

本申請提出了一種位置校準工具，用于對研磨機臺的上下設置的研磨頭和HCLU的位置進行校準。改位置校準工具包括殼體和多個游標卡尺，殼體側壁圍設形成的收容槽與HCLU的內邊緣連接固定，多個游標卡尺沿殼體側壁的圍設方向間隔設置，各個游標卡尺的標...

本申請公開一種夾持裝置，用于固定光刻機的排氣旋鈕，夾持裝置包括夾持手臂以及與夾持手臂連接的固定件，固定件具有通孔，通孔的內璧為圓形孔壁，通孔與排氣旋鈕相卡合。在本申請中，在固定件上述設置有與排氣旋鈕相卡合的通孔，使得通孔可以固定排氣旋鈕...

本發明提供一種閃存器件的測試分析方法，包括：確定并制造閃存器件以及由閃存器件衍生出的等效結構；獲取閃存器件的耦合系數表達式以及擦寫過程中浮柵電壓與浮柵電流的關系式；根據耦合系數表達式測試閃存器件與等效結構得到耦合系數；以及根據擦寫過程中...

本實用新型涉及一種暗場缺陷檢驗設備的輔助工具，所述暗場缺陷檢驗設備的輔助工具包括：支架，所述支架開設有穿孔；活動座，所述活動座穿過所述穿孔并與所述穿孔滑動連接；及分離組件，所述分離組件包括第一夾爪和第二夾爪，所述第一夾爪的一端與所述支架...

本申請涉及一種施工圍籬，施工圍籬包括圍籬本體和支撐組件，圍籬本體包括多個沿第一方向依次連接的圍籬子節，且相鄰的兩個圍籬子節中其中之一能夠繞平行于第二方向的軸線相對于其中之另一轉動，這樣，使施工圍籬能夠根據施工現場的具體布置情況自由地改變...

本實用新型涉及一種氣槍，氣槍包括槍體以及握把。槍體設有相對的兩端，槍體的一端設有噴頭，槍體的另一端連接有進氣管。進氣管用于與氣體提供設備相連通。握把設有安裝孔，槍體沿其長度方向位置可調節地穿設于安裝孔中。握把上設有鎖緊組件，鎖緊組件用于...

本申請公開了一種半導體器件的制造方法及半導體器件。其中，該半導體器件的制造方法包括：提供一基底；在基底上表面形成具有離子注入窗口的光阻層；通過離子注入窗口對基底進行第一離子注入，得到第一子漂移區；在第一子漂移區上表面依次層疊設置至少一個...

本申請公開了一種半導體器件的制造方法及半導體器件。其中，該半導體器件的制造方法包括：提供一基底；在基底上表面形成具有離子注入窗口的光阻層；通過離子注入窗口對基底進行第一離子注入，得到第一子漂移區；在第一子漂移區上表面依次層疊設置至少一個...

本發明提供一種Flash器件及其制備方法，該Flash器件的制備方法包括以下步驟：提供一襯底，于襯底中形成包括低壓區、高壓區及存儲區的有源區；于低、高壓區分別同步形成第一、二導電類型阱區；于低壓區上表面形成第一柵介質層；于高壓區及存儲區...

本實用新型提供了一種定位裝置及半導體工藝設備，所述定位裝置，包括：定位環，所述定位環具有多個螺紋孔和環形卡槽，各個所述螺紋孔間隔地設置于所述定位環的側壁上，所述螺紋孔貫穿所述定位環的側壁，所述環形卡槽設置于所述定位環的一端的內側壁上；多...

本申請涉及半導體設備技術領域，公開了一種用于晶圓運轉的鎖止裝置，包括支撐主體、設于支撐主體上且與推車架固定連接的承重管和設于支撐主體上且位于承重管一側的控制電機；支撐主體背離承重管的一側轉接行走輪，行走輪的一側設有同步齒，承重管內套設有...