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        粵芯半導體技術股份有限公司專利技術

        粵芯半導體技術股份有限公司共有515項專利

        • 本申請涉及半導體輔助設備技術領域,公開了一種用于晶圓承載盤的防護裝置,包括防護主板和防護側板,所述防護側板繞所述防護主板的側邊一體連接且構成一防護槽,所述防護槽與晶圓承載盤相匹配,所述防護主板和所述防護側板均由聚四氟乙烯材料制成,在所述...
        • 本申請涉及管道輔助設備技術領域,公開了一種用于管道外壁的積水裝置,包括若干個搭接組件,所述搭接組件包括用于掛持管道的抱箍和用于承接引導凝結水的搭接盤,所述搭接組件之間通過所述搭接盤依次連接,所述搭接盤的一端開設有搭接槽,所述搭接盤的另一...
        • 本申請涉及半導體設備技術領域,公開了一種晶圓清洗固定裝置,包括濕法清洗槽,所述濕法清洗槽內設有用于承接晶圓的導軌件,在所述導軌件的上方且位于所述濕法清洗槽的側壁上,對稱設有用于分隔和限制所述晶圓竄動的扶正件,所述扶正件包括主體橫梁、一體...
        • 本申請涉及半導體設備技術領域,公開了一種微光照度傳感器調節裝置,包括支撐底座,以及設于支撐底座端部的安裝座,支撐底座上開設有導軌槽,支撐底座的兩側對稱設有用于位置鎖定的定位組件;定位組件包括固定銷、滑座、彈性件和堵頭,支撐底座的兩側對稱...
        • 本申請涉及蝕刻機臺輔助設備技術領域,公開了一種用于蝕刻機臺中間腔體的清理裝置,包括用于承載刮擦布的清潔主體和設于所述清潔主體上的握持件,所述握持件包括設于所述清潔主體一端的中間隔板和與所述中間隔板一體連接的手柄,在所述清潔主體上且靠近所...
        • 本發明提供的離子注入工藝中襯底溫度的監測方法中,包括:提供一襯底,襯底上形成有介質層;形成圖形化的光阻層,圖形化的光阻層包括多個光刻圖形,圖形化的光阻層覆蓋介質層并暴露部分介質層;對圖形化的光阻層中光刻圖形的特征尺寸進行量測獲得第一測試...
        • 本實用新型提供一種干法刻蝕設備,所述干法刻蝕設備包括:腔體頂壁、噴淋圓盤及氣流調節裝置,其中,所述噴淋圓盤固定設置在所述腔體頂壁上,所述噴淋圓盤設置有N個噴淋孔,所述噴淋孔與所述噴淋圓盤圓心的距離愈大,其孔徑愈大;所述氣流調節裝置包括驅...
        • 在本申請實施例提供的簡易平面結構微熱板氣體傳感器及其制備方法中,簡易平面結構微熱板氣體傳感器包括微熱板空腔層、第一自停止層、加熱電極、介質層以及測試電極中。通過沉積氮化硅材料構成的介質層來制備空腔能省去一層氮化硅結構,從而簡化制備工藝步...
        • 本發明提供一種薄膜器件性能測試結構、測試方法及測試結構的制備方法,該薄膜器件性能測試結構的制備方法包括以下步驟:提供一第一襯底,并于第一襯底的上表面形成圖案化的光刻膠層;基于圖案化的光刻膠層于第一襯底的上方依次形成預設厚度且包括多個間隔...
        • 本發明提供一種半導體器件失配模型量測數據處理方法及裝置,處理方法包括:量測半導體器件的預設數據,得到失配模型所需的原始數據文件;讀取配置文件中預置的數據處理語句,所述數據處理語句用于實現所述原始數據文件的格式化;加載所述原始數據文件,并...
        • 本發明提供一種監測外延層電阻率的方法,包括步驟:S1:提供第一導電類型的襯底;S2:對襯底進行第二導電類型的離子注入,以于襯底表面形成反型層;S3:于反型層表面生長外延層;S4:采用四探針測量法量測外延層的電阻率。本發明經改善的流程設計...
        • 本申請涉及半導體技術領域,公開了一種MIM電容器制備方法及MIM電容器,包括:在基底上沉積初始底層金屬;在所述初始底層金屬上沉積初始介質層,且在所述初始介質層上沉積初始頂部金屬;刻蝕所述初始頂部金屬以及所述初始介質層,得到用作上電極的目...
        • 本發明提供一種高壓MOS器件及其制備方法。所述高壓MOS器件包括襯底、柵極、源極、漏極、漂移區及多個隔離溝槽;所述柵極位于襯底內或襯底上表面;多個漂移區位于襯底內,且位于柵極的兩側,源極和漏極各自位于柵極兩側的漂移區內,源極和柵極之間以...
        • 本申請涉及半導體技術領域,公開了一種高深寬比的深溝槽隔離結構的制備方法,包括:提供一個襯底,且在所述襯底上刻蝕出若干個初溝槽,所述初溝槽以第一深度探入至所述襯底;在爐管內沉積第一氧化層至所述初溝槽的側壁;基于所述第一氧化層,沉積第二氧化...
        • 本申請涉及半導體技術領域,公開了一種LDMOS器件的制備方法及其結構,包括:提供一襯底,且在襯底上沉積外延層;在外延層上沉積第一HTO層;沉積SiN保護層覆蓋第一HTO層,以形成初始場板區;光刻并刻蝕初始場板區,得到去除了非場板結構的目...
        • 本發明提供了一種用于爐管的工藝方法,包括提供至少一個擋片晶圓及至少一個產品晶圓,產品晶圓的正面和背面均形成有第一沉積層;將產品晶圓和擋片晶圓放置在晶舟內,將晶舟置于爐管的高溫反應區,向高溫反應區通入第一反應氣體進行低壓氣相沉積工藝,以形...
        • 本申請涉及一種車間機臺設備布局方案確定方法、裝置、計算機設備和計算機可讀存儲介質。方法包括:獲取各車間機臺設備布局方案中機臺設備之間的搬運距離,獲取產品的工藝信息,并根據工藝信息以及機臺設備之間的搬運距離確定各車間機臺設備布局方案對應的...
        • 本實用新型提供一種晶圓承載裝置及探針機,該晶圓承載裝置包括晶圓承載臺、真空管道及真空氣壓閥,晶圓承載臺包括間隔設置的第一真空吸附區與第二真空吸附區,第一/二真空吸附區分別位于晶圓承載臺的中間及邊緣區域;真空管道位于晶圓承載臺的下方且與其...
        • 本實用新型涉及一種清潔工具,所述清潔工具包括:旋轉件,所述旋轉件設有兩個以上工作面,兩個以上所述工作面沿所述旋轉件的周向依次設置;清洗件,所述清洗件為兩個以上,且兩個以上所述清潔件與所述工作面為一一對應設置,每一所述清潔件與一個所述工作...
        • 本申請涉及一種貼紙安裝工具及半導體無塵生產系統,本申請提出的貼紙安裝工具用于安裝貼紙上的目標部分,貼紙安裝工具包括切割件及拾取件。切割件包括呈筒狀設置的主體部及設于主體部一端的切割部,主體部沿第一方向延伸設置,切割部用于切割分離貼紙上的...
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