本實用新型提供一種輔助拆卸工具，涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。所述輔助拆卸工具用于拆卸PVD設(shè)備的環(huán)形件，環(huán)形件安裝于所述加熱器上，加熱器具有孔位，所述輔助拆卸工具包括膨脹卡座和頂桿，所述膨脹卡座具有變形部，所述變形部能夠通過擠壓形變卡設(shè)于...

本申請涉及一種磷酸刻蝕殘留物的清洗方法、硅晶片及其加工方法、芯片。該磷酸刻蝕殘留物的清洗方法包括：對磷酸刻蝕后的樣品進行第一水洗，第一水洗的溫度為55℃~70℃；對第一水洗后的樣品進行SC1清洗液清洗，SC1清洗液清洗的溫度為60℃~7...

本申請涉及一種晶圓刻蝕的控制方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。晶圓刻蝕的控制方法包括：獲取反應(yīng)腔的邊緣區(qū)域的邊緣刻蝕參數(shù)以及中心區(qū)域的中心刻蝕參數(shù)；確定反應(yīng)腔的邊緣區(qū)域的目標邊緣刻蝕參數(shù)以及中心區(qū)域的目標中心刻蝕參數(shù)；根據(jù)邊緣刻蝕參數(shù)、...

本發(fā)明提供一種晶圓表面粗糙化方法及半導體器件的制備方法。粗糙化方法包括步驟：S1：提供待處理的晶圓，采用包含硝酸和氫氟酸的第一混合液對晶圓進行拋光刻蝕；S2：于晶圓表面形成磷酸擴散層；S3：采用包含磷酸、硝酸和氫氟酸的第二混合液對晶圓形...

本申請實施例公開了一種半導體機臺的異常檢測方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。該方案可以獲取全部晶圓所對應(yīng)的機臺信息、晶圓制程信息以及缺陷地圖，根據(jù)機臺信息、晶圓制程信息以及缺陷地圖構(gòu)建數(shù)據(jù)庫，獲取目標晶圓的ID信息，并根據(jù)ID信息在數(shù)據(jù)庫...

本申請涉及半導體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種靜電吸附盤的拆裝設(shè)備，包括施力轉(zhuǎn)盤、設(shè)于所述施力轉(zhuǎn)盤上的固定保護蓋、以及設(shè)于所述固定保護蓋上的T形把手，所述施力轉(zhuǎn)盤的內(nèi)壁上一體連接有若干個沿所述施力轉(zhuǎn)盤均勻排列的坡度滑塊，所述固定保護蓋沿所述坡...

本申請?zhí)峁┮环N流體流量檢測裝置，流體流量檢測裝置包括測量裝置，測量裝置包括傳感器和與傳感器連接的固定夾件，固定夾件用于將傳感器固定于待檢測件上，傳感器用于檢測待檢測件中的流體流量。在本申請中，通過將傳感器設(shè)置成與固定夾件連接，使得在對待...

本申請涉及半導體刻蝕機臺輔助設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種蝕刻金屬機臺真空管路的防護裝置，包括防護主體和設(shè)于所述防護主體上的密封件，所述防護主體的頂端開設(shè)有安置槽，所述安置槽內(nèi)設(shè)有與所述防護主體可拆卸連接的固定座，在所述固定座上轉(zhuǎn)接有提手拉環(huán)...

本實用新型提供一種機械手臂的輔助校準工具，包括：機械手、校準工具及定位銷，其中，機械手位于去膠機臺的傳送腔內(nèi)，機械手包括固定柱及固定于固定柱上的機械手臂，機械手臂包括第一機械手臂部及第二機械手臂部，且第二機械手臂部上設(shè)有第一校準孔及第二...

本實用新型提供一種恒溫水路監(jiān)測裝置及系統(tǒng)、PVD設(shè)備，涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。所述恒溫水路監(jiān)測裝置包括：殼體，內(nèi)部具有供冷卻液流通的腔體，且所述腔體與循環(huán)水路連通；傳感器組件，置于所述腔體內(nèi)部，用于監(jiān)測所述腔體內(nèi)冷卻液的溫度和冷卻液流...

本實用新型提供一種靶材與磁鐵間距測量工具，涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。所述靶材與磁鐵間距測量工具包括支架和至少一個高度計，所述支架用于與腔室上蓋可拆卸連接，所述支架的尺寸與所述靶材的尺寸相匹配，所述高度計設(shè)于所述支架上并用于測量靶材與磁鐵...

本申請?zhí)岢隽艘环N安裝工具及輔具。該安裝工具包括：T型頂針，包括桿體和分別設(shè)置于桿體兩端的旋擰部和操作部；輔具，包括主體部和設(shè)置于主體部的持握部，主體部設(shè)置有沿預設(shè)方向排布的兩個收容孔，各個收容孔允許對應(yīng)的T型頂針的旋擰部穿過收容孔且T型...

本實用新型提供了一種叉蓋裝置及半導體工藝設(shè)備，所述叉蓋裝置包括：透明保護罩，所述透明保護罩的一端具有一開口；至少兩個把手，設(shè)置于所述透明保護罩的外壁上；至少兩個支撐板，設(shè)置于所述透明保護罩的所述開口所在一端的側(cè)壁上。本實用新型的技術(shù)方案...

本申請涉及半導體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種蝕刻氧化機臺的輔助裝置，包括機臺主體、與機臺主體活動連接的腔體蓋板以及設(shè)于機臺主體和腔體蓋板之間的防護主體，機臺主體上設(shè)有靜電吸附盤，在腔體蓋板上且與靜電吸附盤對應(yīng)處設(shè)有目標電極，腔體蓋板通過電極...

本實用新型提供了一種螺釘拆卸工具，用于拆卸一安裝孔內(nèi)的螺釘，安裝孔內(nèi)具有與螺釘螺紋連接的內(nèi)螺紋孔，螺釘拆卸工具包括工具主體以及活動套設(shè)在工具主體外的定位套、彈性件和限位套，定位套位于工具主體的前端并用于插入安裝孔內(nèi)，限位套位于工具主體的...

本實用新型提供了一種密封圈拆卸工具，包括握持手柄及至少一個翹曲件，所述翹曲件設(shè)置在所述握持手柄的端部，所述翹曲件背離所述握持手柄的一端設(shè)有一插入部，所述插入部的厚度朝背離所述握持手柄的方向逐漸減小。利用本實施例提供的密封圈拆卸工具拆卸機...

本發(fā)明提供了一種半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，在硅片上形成SOC膜之后，交替執(zhí)行至少一次升溫過程和降溫過程，所述升溫過程是將所述SOC膜升溫至第一預定溫度并保持第一預定時間，所述降溫過程是將所述SOC膜降溫至第二預定溫度并保持第二預定時間，所述...

本發(fā)明公開了一種快速建立暗場缺陷掃描檢測體系的方法，包括：獲取目標產(chǎn)品的所有暗場檢測機臺所處理晶圓；基于暗場檢測機臺所處理晶圓的膜層結(jié)構(gòu)和圖案設(shè)計，對所有暗場檢測機臺進行分組，獲取至少一組暗場檢測機臺組；通過預設(shè)母程式獲取方式，獲取每組...

本申請公開了一種晶圓清洗方法，該晶圓清洗方法包括提供一晶圓，晶圓的上表面和下表面分別形成有經(jīng)過退火處理的第一氮化硅層和第二氮化硅層；獲取退火處理的退火溫度；基于當前蝕刻液和退火溫度進行計算，得到第二氮化硅層被完全蝕刻所需的蝕刻時長；采用...

本申請涉及一種電容結(jié)構(gòu)及其制備方法。電容結(jié)構(gòu)的制備方法包括：形成第一金屬極板；采用第一射頻電源為等離子體提供能量，于第一金屬極板的表面形成第一介質(zhì)層；采用第二射頻電源和第三射頻電源為等離子體提供能量，于第一介質(zhì)層遠離第一金屬極板的表面形...