本申請公開一種晶圓分層對準的方法及裝置，包括依據對位標記的坐標信息對所述對位標記進行分區；針對每一所述分區的對位標記，分別建立第二對準偏差模型等步驟。在本申請提供的實施例中，在精對準階段，將對位標記進行了過濾，依照其坐標信息進行了分區，...

本發明提供一種柵介質層可靠性測試結構及測試方法，該測試結構包括晶圓結構、柵介質層、導電層、第一引出電極及第二引出電極，其中，晶圓結構包括襯底及嵌于襯底中的多個間隔的隔離結構，位于相鄰兩個隔離結構之間的襯底作為有源區；多個間隔設置的柵介質...

本申請公開了一種半導體工藝配方創建方法、裝置、存儲介質及電子設備，該半導體工藝配方創建方法采用獲取半導體工藝參數；對半導體工藝參數依次進行數據處理和格式轉換，生成次級工藝配方；判斷次級工藝配方的準確性；當次級工藝配方的準確性符合預期時，...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種半導體Flash結構及其制備方法，包括半導體襯底以及元胞存儲區，元胞存儲區包括控制柵組、選擇柵組、P+源區、P+漏區以及中間節點區；中間節點區位于P+源區與P+漏區之間，控制柵組和選擇柵組的側邊均設有...

本發明提供一種CMP工藝中研磨墊修整方法，先保持修整器的修整參數為現有常規的標準參數，當研磨墊的研磨效果不滿足預設要求時，對修整器的修整參數進行調整，使研磨墊的溝槽深度沿研磨墊的徑向逐漸增大，即使研磨墊的粗糙度沿研磨墊的徑向逐漸增大，由...

本實用新型提供一種反光鏡，所述反光鏡包括鏡片、光帶、調節部以及把持部，所述光帶沿所述鏡片外周設置；所述調節部連接所述把持部與所述鏡片并調整所述鏡片相對所述把持部的角度和/或距離。由于所述反光鏡具有光帶，因此所述反光鏡可適用于光線較暗的環...

本實用新型提供了一種機械手臂臨時夾持裝置，用于固定一反應腔內的機械手臂，所述機械手臂具有至少一個待夾持部，包括：支撐架，所述待夾持部位于所述支撐架上；兩個水平夾緊機構，分別設置在所述支撐架的兩端，兩個所述水平夾緊機構能夠相背運動以抵接所...

本實用新型提供了一種磁控管鋁環輔助安裝工具，用于輔助鋁環在磁控管上的安裝，包括：安裝環，套設在所述磁控管外，所述安裝環的安裝臺面與所述磁控管上的定位槽齊平，所述鋁環套設在所述磁控管外且位于所述安裝臺面上；至少兩個旋轉件，沿所述安裝環的周...

本實用新型提供了一種螺釘安裝工具，用于在一安裝孔內安裝螺釘，所述安裝孔內具有與所述螺釘螺紋連接的內螺紋孔，所述螺釘安裝工具包括：工具主體，用于旋擰所述螺釘的一端設置有一滑槽，所述滑槽位于所述工具主體的側壁上且平行于所述工具主體的軸向；滑...

本實用新型提供的清洗治具及清洗機，所述清洗治具包括：支撐桿組件，所述支撐桿組件包括至少兩個第一支撐桿和至少一個第二支撐桿，所述至少一個第二支撐桿正上方的兩側均分別設置有至少一個所述第一支撐桿，且所述第一支撐桿與所述第二支撐桿相互平行，所...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種半導體鈷硅化物膜層的制備方法，包括：向反應腔室內通入第一氣體流量的惰性氣體，且使反應腔室內的濺射壓力達到第一目標壓力；基于第一氣體流量，反應腔室針對惰性氣體進行預點火的瞬時點火動作；保持向反應腔室內通...

本實用新型提供一種晶圓傳送盒取放裝置，至少包括固定座及固定在固定座上的升降單元、旋轉單元、傳動單元及取放單元，升降單元和旋轉單元對應固定，并在傳動單元的帶動下同步運行，即升降桿升起后進行旋轉，降低后取放單元完成晶圓傳送盒的取放操作，結構...

本實用新型提供一種晶圓盒，該晶圓盒包括：晶圓盒主體、晶圓盒標牌及卡片，其中，所述晶圓盒標牌固定于所述晶圓盒主體的任一側壁，所述卡槽所在區域的所述晶圓盒標牌上設有包括所述晶圓盒主體的號碼標記區及機器識別碼標記區的信息區；所述卡片放置于所述...

本申請提供了一種晶圓吸附裝置，該晶圓吸附裝置包括吸盤，轉動部件和連接桿。其中，吸盤的表面為晶圓吸附面，其上用于吸附晶圓的吸附孔，吸盤內設有與吸附孔相連通真空腔，轉動部件設置在吸盤的下方，連接桿則與轉動部件相連接，連接桿內設有真空通道和電...

本實用新型提供一種半導體設備。設備包括：工藝腔室、真空泵、第一閥門、第二閥門、透明觀察窗和終點檢測裝置，所述工藝腔室和真空泵通過管路相連通，所述第一閥門和第二閥門間隔設置于工藝腔室和真空泵之間的管路上，所述透明觀察窗設置于第一閥門和第二...

本實用新型提供一種晶圓傳送盒，所述晶圓傳送盒包括：晶圓傳送盒主體、抽拉式擋板裝置，其中，所述晶圓傳送盒主體的側壁設有透光窗口；所述抽拉式擋板裝置包括滑槽組及活動擋板，所述滑槽組固定于設置有所述透光窗口的側壁上，所述活動擋板放置于所述滑槽...

本發明提供一種低介電常數介質層及金屬互連結構的制作方法，通過優化低介電常數介質層的制備方法中前驅物和含氧的反應氣體的組分配比，使所述低介電常數介質層具有改善的機械強度同時其介電常數變化不大。本發明的金屬互連結構的制作方法中包括根據前述的...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種半導體深接觸孔結構研磨方法，包括提供一具有深接觸孔的初始半導體結構；在第一研磨條件下，第一研磨盤研磨去除初始半導體結構的表面鎢金屬層和阻擋/黏附層，且暴露初始半導體結構的氮化硅阻擋層；在第二研磨條件下...

本發明提供一種接觸通孔及制作方法，該方法包括：提供一襯底，于襯底上形成自下而上層疊的層間介質層、底部抗反射層和光刻膠層，并圖形化光刻膠層以形成光刻膠層開口；基于圖形化的光刻膠層刻蝕底部抗反射層，其中，刻蝕底部抗反射層通入的氣體包括C4F...

本實用新型提供一種支撐桿高度輔助校準工具，包括：支撐基座、U形標尺、移動校準桿、固定旋鈕、指示標牌、水平儀及去膠機臺工藝腔。其中，支撐基座中包括空心部；U形標尺固定于支撐基座上且包括具有多個刻度線的刻度尺部、頂部及位置范圍標識部，U形標...